模拟电子技术综合复习(二)

1、1,综合复习（二）,2,第二章 半导体三极管 一、填充题 1.三极管从结构上看可以分成和 两种类型。 2.晶体三极管工作时有和两 种载流子参与导电，因此三极管又称为 晶体管。 3.设晶体管的压降 不变，基极电流为20A时，集电 极电流等于2mA，则 =_。若基极电流增大至25A，集电极电流相应地增大至2.6mA，则 =_。,NPN,PNP,自由电子,空穴,双极型,100,120,3,4.三极管的电流放大作用是指三极管的电流约是电流的倍，即利用电流，就可实现对电流的控制。 5.某三极管的发射极电流等于1mA，基极电流等于20A，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于_ ，电流放大系数等于_。 6

2、.当三极管工作在区时，关系式IC IB才成立，发射极偏置，集电极偏置。,集电极,基极,基极,集电极,0.98mA,49,放大,正向,反向,4,11.晶体三极管放大电路中 三个电极的电位分别为 试判断三极管的类型是 ，材料是。,PNP,锗,14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将_移，输出特性曲线将_移，而且输出特性曲线之间隔将变_,左,上,宽,15.当静态工作点设置偏低时，会引起失真，单级共射放大电路输出电流波形的半 16.当静态工作点设置偏高时，会引起失真，单级共射放大电路输出电压波形的半 17.造成放大电路静态工作点不稳定的因素很多，其中影响最大的是 。,截止,负,饱和,正,温度引起的

3、参数变化,5,二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、2.3V和2V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型,3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和12V，则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.7V和-6V，

4、则该三极管的类型为（ ）。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型,6,6、工作在放大状态的双极型晶体管是 （ ）。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=1V，V2=1.3V，V3=-5V，则三个电极为（ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e 8用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别为V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，则三个电极为（ ）。 A.1为e；2为b；3为c B.1为e；2为c；3为b C.1为b

5、；2为e；3为c D.1为b；2为c；3为e,7,9处于放大状态的NPN型晶体管，各电极的电位关系是_。 A. VBVCVE B. VEVBVC C. VCVBVE D. VCVEVB 10.处于放大状态的PNP型晶体管，各电极的电位关系是_。 A. VBVCVE B. VEVBVC C. VCVBVE D. VCVEVB 11.三极管共发射极输出特性常用一组曲线来表示，其中每一条曲线对应一个特定的_ Aic BuCE；CiB；DiE,8,1.固定偏置三极管放大电路如图所示，输入正弦交流电时，输出波形如图所示，试判断电路有无失真？是什么失真？产生该失真的原因是什么？如何改善这种失真？,RB,9,3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？,10,3.放大电路如图所示，判断下列电路能否正常放大交流信号，请写出为什么不能放大的理由？,11,静态工作点的估算,例：用估算法计算放大电路的静态工作点。,已知：EC=12V，R