正夫人电磁炉维修手册

正夫人电磁炉维修手册正夫人电磁炉HT47系列DS4800DS4500SDS4510DS3110SB适用内容介绍本是针对正夫人旗下中山电子研究中心所设计开发的47系列电磁炉售后服务用途而编写，共分三大部分第一部分主要介绍电磁加热的原理及47系列电磁炉简介；第二部分为47系列电磁炉原理分析，第三部分介绍电路的检测方法及标准,并针对检测时出现的不良情况给出对策,而且介绍一些故障案例供维修时作参考。一、简介11电磁加热原理12正夫人电磁炉47系列筒介二、原理分析21特殊零件简介211LM339集成电路212IGBT22电路方框图23主回路原理分析24振荡电路25IGBT激励电路26PWM脉宽调控电路27同步电路28加热开关控制29VAC检测电路210电流检测电路211VCE检测电路212浪涌电压监测电路213过零检测214锅底温度监测电路215IGBT温度监测电路216散热系统217主电源218辅助电源219报警电路三、故障维修31故障代码表32主板检测标准321主板检测表322主板测试不合格对策33故障案例331故障现象1一、简介11电磁加热原理电磁灶是一种利用电磁感应原理将电能转换为热能的厨房电器。在电磁灶内部，由整流电路将50/60HZ的交流电压变成直流电压，再经过控制电路将直流电压转换成频率为2040KHZ的高频电压，高速变化的电流流过线圈会产生高速变化的磁场，当磁场内的磁力线通过金属器皿导磁又导电材料底部金属体内产生无数的小涡流，使器皿本身自行高速发热，然后再加热器皿内的东西。1247系列筒介47系列是由正夫人旗下中山电子技术开发制造厂设计开发的全新一代电磁炉,介面有LED发光二极管显示模式、LED数码显示模式、LCD液晶显示模式、VFD莹光显示模式、TFT真彩显示模式机种。操作功能有加热火力调节、自动恒温设定、定时关机、预约开/关机、预置操作模式、自动泡茶、自动煮饭、自动煲粥、自动煲汤及煎、炸、烤、火锅等料理功能机种。额定加热功率有500W3400W的不同机种,功率调节范围为额定功率的90,并且在全电压范围内功率自动恒定。200240V机种电压使用范围为160260V,100120V机种电压使用范围为90135V。全系列机种均适用于50、60HZ的电压频率。使用环境温度为2345。电控功能有锅具超温保护、锅具干烧保护、锅具传感器开/短路保护、2小时不按键忘记关机保护、IGBT温度限制、IGBT温度过高保护、低温环境工作模式、IGBT测温传感器开/短路保护、高低电压保护、浪涌电压保护、VCE抑制、VCE过高保护、过零检测、小物检测、锅具材质检测。47系列须然机种较多,且功能复杂,但不同的机种其主控电路原理一样,区别只是零件参数的差异及CPU程序不同而己。电路的各项测控主要由一块8位4K内存的单片机组成,外围线路简单且零件极少,并设有故障报警功能,故电路可靠性高,维修容易,维修时根据故障报警指示,对应检修相关单元电路,大部分均可轻易解决。二、原理分析21特殊零件简介211LM339集成电路LM339内置四个翻转电压为6MV的电压比较器,当电压比较器输入端电压正向时输入端电压高于入输端电压,置于LM339内部控制输出端的三极管截止,此时输出端相当于开路当电压比较器输入端电压反向时输入端电压高于输入端电压,置于LM339内部控制输出端的三极管导通,将比较器外部接入输出端的电压拉低,此时输出端为0V。212IGBT绝缘双栅极晶体管IUSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR简称IGBT,是一种集BJT的大电流密度和MOSFET等电压激励场控型器件优点于一体的高压、高速大功率器件。目前有用不同材料及工艺制作的IGBT,但它们均可被看作是一个MOSFET输入跟随一个双极型晶体管放大的复合结构。IGBT有三个电极见上图,分别称为栅极G也叫控制极或门极、集电极C亦称漏极及发射极E也称源极。从IGBT的下述特点中可看出,它克服了功率MOSFET的一个致命缺陷,就是于高压大电流工作时,导通电阻大,器件发热严重,输出效率下降。IGBT的特点1电流密度大,是MOSFET的数十倍。2输入阻抗高,栅驱动功率极小,驱动电路简单。3低导通电阻。在给定芯片尺寸和BVCEO下,其导通电阻RCEON不大于MOSFET的RDSON的10。4击穿电压高,安全工作区大,在瞬态功率较高时不会受损坏。5开关速度快,关断时间短,耐压1KV18KV的约12US、600V级的约02US,约为GTR的10,接近于功率MOSFET,开关频率直达100KHZ,开关损耗仅为GTR的30。IGBT将场控型器件的优点与GTR的大电流低导通电阻特性集于一体,是极佳的高速高压半导体功率器件。目前458系列因应不同机种采了不同规格的IGBT,它们的参数如下1SGW25N120西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11使用,该IGBT配套10A/1200/1500V以上的快速恢复二极管D11后可代用SKW25N120。2SKW25N120西门子公司出品,耐压1200V,电流容量25时46A,100时25A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120,代用时将原配套SGW25N120的D11快速恢复二极管拆除不装。3GT40Q321东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25时42A,100时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。4GT40T101东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25时80A,100时40A,内部不带阻尼二极管,所以应用时须配套15A/1500V以上的快速恢复二极管D11使用,该IGBT配套6A/1200V以上的快速恢复二极管D11后可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321,配套15A/1500V以上的快速恢复二极管D11后可代用GT40T301。5GT40T301东芝公司出品,耐压1500V,电流容量25时80A,100时40A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120、GT40Q321、GT40T101,代用SGW25N120和GT40T101时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。6GT60M303东芝公司出品,耐压900V,电流容量25时120A,100时60A,内部带阻尼二极管。7GT40Q323东芝公司出品,耐压1200V,电流容量25时40A,100时20A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。8FGA25N120美国仙童公司出品,耐压1200V,电流容量25时42A,100时23A,内部带阻尼二极管,该IGBT可代用SGW25N120、SKW25N120,代用SGW25N120时请将原配套该IGBT的D11快速恢复二极管拆除不装。22电路方框图23主回路原理分析时间T1T2时当开关脉冲加至IGBTQ1的G极时,IGBTQ1饱和导通,电流I1从电源流过L1,由于线圈感抗不允许电流突变所以在T1T2时间I1随线性上升,在T2时脉冲结束,IGBTQ1截止,同样由于感抗作用,I1不能立即突变0,于是向C3充电,产生充电电流I2,在T3时间,C3电荷充满,电流变0,这时L1的磁场能量全部转为C3的电场能量,在电容两端出现左负右正,幅度达到峰值电压,在IGBTQ1的CE极间出现的电压实际为逆程脉冲峰压电源电压,在T3T4时间,C3通过L1放电完毕,I3达到最大值,电容两端电压消失,这时电容中的电能又全部转化为L1中的磁能,因感抗作用,I3不能立即突变0,于是L1两端电动势反向,即L1两端电位左正右负,由于IGBT内部阻尼管的存在,C3不能继续反向充电,而是经过C2、IGBT阻尼管回流,形成电流I4,在T4时间,第二个脉冲开始到来,但这时IGBTQ1的UE为正,UC为负,处于反偏状态,所以IGBTQ1不能导通,待I4减小到0,L1中的磁能放完,即到T5时IGBTQ1才开始第二次导通,产生I5以后又重复I1I4过程,因此在L1上就产生了和开关脉冲F20KHZ30KHZ相同的交流电流。T4T5的I4是IGBT内部阻尼管的导通电流,在高频电流一个电流周期里,T2T3的I2是线盘磁能对电容C3的充电电流,T3T4的I3是逆程脉冲峰压通过L1放电的电流,T4T5的I4是L1两端电动势反向时,因的存在令C3不能继续反向充电,而经过C2、IGBT阻尼管回流所形成的阻尼电流,IGBTQ1的导通电流实际上是I1。IGBTQ1的VCE电压变化在静态时,UC为输入电源经过整流后的直流电源,T1T2,IGBTQ1饱和导通,UC接近地电位,T4T5,IGBT阻尼管导通,UC为负压电压为阻尼二极管的顺向压降,T2T4,也就是LC自由振荡的半个周期,UC上出现峰值电压,在T3时UC达到最大值。以上分析证实两个问题一是在高频电流的一个周期里,只有I1是电源供给L的能量,所以I1的大小就决定加热功率的大小,同时脉冲宽度越大,T1T2的时间就越长,I1就越大,反之亦然,所以要调节加热功率,只需要调节脉冲的宽度二是LC自由振荡的半周期时间是出现峰值电压的时间,亦是IGBTQ1的截止时间,也是开关脉冲没有到达的时间,这个时间关系是不能错位的,如峰值脉冲还没有消失,而开关脉冲己提前到来,就会出现很大的导通电流使IGBTQ1烧坏,因此必须使开关脉冲的前沿与峰值脉冲后沿相同步。24振荡电路1当PWM点有VI输入时、V7OFF时V70V,V5等于D6的顺向压降,而当V5V6时,V7转态为OFF,V6亦降至D6的顺向压降,而V5则由C16、D6放电。3V5放电至小于V6时,又重复1形成振荡。“G点输入的电压越高,V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小”。25IGBT激励电路振荡电路输出幅度约41V的脉冲信号,此电压不能直接控制IGBT的饱和导通及截止,所以必须通过激励电路将信号放大才行,该电路工作过程如下1V8OFF时V80V,V8V9,V10为低,Q81截止、Q4导通,18V通过R23、Q4和Q1的E极加至IGBT的G极,IGBT导通。26PWM脉宽调控电路CPU输出PWM脉冲到由R30、C27、R31组成的积分电路,PWM脉冲宽度越宽,C28的电压越高,C29的电压也跟着升高,送到振荡电路G点的控制电压随着C29的升高而升高,而G点输入的电压越高,V7处于ON的时间越长,电磁炉的加热功率越大,反之越小。“CPU通过控制PWM脉冲的宽与窄,控制送至振荡电路G的加热功率控制电压，控制了IGBT导通时间的长短,结果控制了加热功率的大小”。27同步电路市电经整流器整流、滤波后的310V直流电，由R15R14、R16分压产生V3,R1R17、R28分压产生V4,在高频电流的一个周期里,在T2T4时间图1,由于C14两端电压为上负下正,所以V3V5,V7OFFV70V,振荡没有输出,也就没有开关脉冲加至Q1的G极,保证了Q1在T2T4时间不会导通,在T4T6时间,C3电容两端电压消失,V3V4,V5上升,振荡有输出,有开关脉冲加至Q1的G极。以上动作过程,保证了加到Q1G极上的开关脉冲前沿与Q1上产生的VCE脉冲后沿相同步。28加热开关控制1当不加热时,CPU17脚输出低电平同时CPU10脚也停止PWM输出,D7导通,将LM3399电压拉低,振荡停止,使IGBT激励电路停止输出,IGBT截止,则加热停止。开始加热时,CPU17脚输出高电平,D7截止,同时CPU10脚开始间隔输出PWM试探信号,同时CPU通过分析电流检测电路和VAC检测电路反馈的电压信息、VCE检测电路反馈的电压波形变化情况,判断是否己放入适合的锅具,如果判断己放入适合的锅具,CPU10脚转为输出正常的PWM信号,电磁炉进入正常加热状态,如果电流检测电路、VAC及VCE电路反馈的信息,不符合条件,CPU会判定为所放入的锅具不符2或无锅,则继续输出PWM试探信号,同时发出指示无锅的报知信息见故障代码表,如30秒钟内仍不符合条件,则关机。29VAC检测电路AC220V由D17、D18整流的脉动直流电压通过R40限流再经过，C33、R39C32组成的型滤波器进行滤波后的电压，经R38分压后的直流电压，送入CPU6,根据监测该电压的变化,CPU会自动作出各种动作指令。1判别输入的电源电压是否在充许范围内,否则停止加热,并报知信息见故障代码表。2配合电流检测电路、VCE电路反馈的信息,判别是否己放入适合的锅具,作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节。3配合电流检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息,调控PWM的脉宽,令输出功率保持稳定。“电源输入标准220V1V电压,不接线盘L1测试CPU第6脚电压,标准为265V006V”。210电流检测电路电流互感器CT1二次测得的AC电压,经D1D4组成的桥式整流电路整流、R12、R13分压，C11滤波,所获得的直流电压送至CPU5脚,该电压越高,表示电源输入的电流越大,CPU根据监测该电压的变化,自动作出各种动作指令1配合VAC检测电路、VCE电路反馈的信息,判别是否己放入适合的锅具,作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节。2配合VAC检测电路反馈的信息及方波电路监测的电源频率信息,调控PWM的脉宽,令输出功率保持稳定。211VCE检测电路将IGBTQ1集电极上的脉冲电压通过R1R17、R28分压R29限流后，送至LM3396脚,在6脚上获得其取样电压,此反影了IGBT的VCE电压变化的信息送入LM339,LM339根据监测该电压的变化,自动作出电压比较而决定是否工作。1配合VAC检测电路、电流检测电路反馈的信息,判别是否己放入适合的锅具,作出相应的动作指令见加热开关控制及试探过程一节。2根据VCE取样电压值,自动调整PWM脉宽,抑制VCE脉冲幅度不高于1050V此值适用于耐压1200V的IGBT,耐压1500V的IGBT抑制值为1300V。3当测得其它原因导至VCE脉冲高于1150V时此值适用于耐压1200V的IGBT,耐压1500V的IGBT此值为1400V,LM339立即停止工作见故障代码表。212浪涌电压监测电路当正弦波电源电压处于上下半周时,由D17、D18和整流桥DB内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压，当电源突然有浪涌电压输入时,此电压通过R41、C34耦合,再经过R42分压，R44限流C35滤波后的电压，控制Q5的基极，基极为高电平时,电压Q5基极,Q5饱和导通,CPU17的电平通过Q5至地,PWM停止输出，本机停止工作当浪涌脉冲过后,Q5的基极为低电平,Q5截止,CPU17的电平通过Q5至地,CPU再重新发出加热指令。213过零检测当正弦波电源电压处于上下半周时,由D17、D18和整流桥DB内部交流两输入端对地的两个二极管组成的桥式整流电路产生的脉动直流电压通过R40限流再经过，C33、R39C32组成的型滤波器进行滤波后的电压，经R38分压后的电压，在CPU6则形成了与电源过零点相同步的方波信号,CPU通过监测该信号的变化,作出相应的动作指令。214锅底温度监测电路加热锅具底部的温度透过微晶玻璃板传至紧贴玻璃板底的负温度系数热敏电阻,该电阻阻值的变化间接反影了加热锅具的温度变化温度/阻值祥见热敏电阻温度分度表,热敏电阻与R4分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化,即加热锅具的温度变化,CPU8脚通过监测该电压的变化,作出相应的动作指令1定温功能时,控制加热指令,另被加热物体温度恒定在指定范围内。2当锅具温度高于270时,加热立即停止,并报知信息见故障代码表。3当锅具空烧时,加热立即停止,并报知信息见故障代码表。4当热敏电阻开路或短路时,发出不启动指令,并报知相关的信息见故障代码表。215IGBT温度监测电路IGBT产生的温度透过散热片传至紧贴其上的负温度系数热敏电阻TH,该电阻阻值的变化间接反影了IGBT的温度变化温度/阻值祥见热敏电阻温度分度表,热敏电阻与R8分压点的电压变化其实反影了热敏电阻阻值的变化,即IGBT的温度变化,CPU通过监测该电压的变化,作出相应的动作指令1IGBT结温高于90时,调整PWM的输出,令IGBT结温90。当IGBT结温由于某原因例如散热系统故障而高于952时,加热立即停止,并报知信息祥见故障代码表。3当热敏电阻TH开路或短路时,发出不启动指令,并报知相关的信息祥见故障代码表。4关机时如IGBT温度50,CPU发出风扇继续运转指令,直至温度50,风扇停转风扇延时运转期间,按1次关机键,可关闭风扇。5电磁炉刚启动时,当测得环境温度对主板各点作测试后,一切符合才进行。321主板检测表一、待机测试不接入线盘,接入电源后不按任何键步骤测试点标准备注不合格对策1通电发出“B”一声按322第1项查2CN7305V确认输入电压为220V时按322第2项查318VDC18V2V按322第3项查45V5V01V按322第4项查5Q3G极中第110试步骤标准要求,如果不符则对应上述方法检查,如确认无误,测DW3正端电压如有间隔试探信号电压,则检查IGBT推动电路,如DW3正端电压点没有间隔试探信号电压出现,再测Q1、Q4发射极有否间隔试探信号电压,如没有,则检查振荡电路、同步电路,如果Q1、Q4射极没有间隔试探信号电压,再测CPU第10脚有否间隔试探信号电压,如没有,则检查C27、C28、C29、,如果CPU第10脚没有间隔试探信号电压出现,则为CPU故障。11动检时IGBTG极试探电压过高检查R21、R22、C13、D6。12动检时IGBTG极试探电压过低检查C27、C28、C29、LM339。13动检时风扇不转测CN12两端电压高于11V应为风扇不良,如CN12两端没有电压,测CPU第15脚如没有电压则为CPU不良,如有请检查Q3、R27。14通过主板113步骤测试合格仍不启动加热故障现象为每隔3秒发出“嘟”一声短音数显型机种显示E1,检查互感器CT1次级是否开路、C10、C11是否漏电、D1D4有否不良,如这些零件没问题,请再小心测试IGBTG极试探电压是否低于15V。331故障现象1放入锅具电磁炉检测不到锅具而不启动,指示灯闪亮,每隔3秒发出“嘟”一声短音数显型机种显示E1,连续1分钟后转入待机。分析根椐报警信息,此为CPU判定为加热锅具过小直经小于10CM或无锅放入或锅具材质不符而不加热,并作出相应报知。根据电路原理,电磁炉启动时,CPU先从第10脚输出试探PWM信号电压,该信号经过PWM脉宽调控电路转换为控制振荡脉宽输出的电压加至G点,振荡电路输出的试探信号电压再加至IGBT推动电路,通过该电路将试探信号电压转换为足己推动IGBT工作的试探信号电压,另主回路产生试探工作电流,当主回路有试探工作电流流过互感器CT1初级时,CT1次级随即产生反影试探工作电流大小的电压,该电压通过整流滤波后送至CPU第5脚,CPU通过监测该电压,再与VAC电压、VCE电压比较,判别是否己放入适合的锅具。从上述过程来看,要产生足够的反馈信号电压另CPU判定己放入适合的锅具而进入正常加热状态,关键条件有三个一是加入IGBTG极的试探信号必须足够,通过测试IGBTG极的试探电压可判断试探信号是否足够正常为间隔出现125V,而影响该信号电压的电路有PWM脉宽调控电路、振荡电路、IGBT推动电路。二是互感器CT须流过足够的试探工作电流,一般可通测试IGBT是否正常可简单判定主回路是否正常,在主回路正常及加至IGBTG极的试探信号正常前提下,影响流过互感器CT1试探工作电流的因素有工作电压和锅具。三是到达CPU第5脚的电压必须足够,影响该电压的因素是流过互感器CT1的试探工作电流及电流检测电路。以下是有关这种故障的案例1测18V电压高于22V,按322第3项方法检查,结果发现Q2击穿。结论由于Q2击穿,造成18V电压升高,另U2D正输入端V9电压升高,导至加到U2D负输入端的试探电压无法令IC2D比较器翻转,结果IGBTG极无试探信号电压,CPU也就检测不到反馈电压而不发出正常加热指令。2测IGBTG极没有试探电压,再测V7点也没有试探电压,再测G点试探电压正常,证明PWM脉宽调控电路正常,再测DW3正极电压为0V启动时CPU应为高电平,结果发现CPU第17脚对地短路,更换CPU后恢复正常。结论由于CPU第17脚对地短路,造成加至U2C负输入端的试探电压通过LM339被拉低,结果IGBTG极无试探信号电压,CPU也就检测不到反馈电压而不发出正常加热指令。3测IGBTG极试探电压偏低推动电路正常时间隔输出125V,按322第15项方法检查,结果发现C29漏电。结论由于C29漏电,造成加至振荡电路的控制电压偏低,结果IGBTG极上的平均电压偏低,CPU因检测到的反馈电压不足而不发出正常加热指令。4按321测试一切正常,再按322第17项方法检查,结果发现互感器CT1次级开路。结论由于互感器CT1次级开路,所以没有反馈电压加至电流检测电路,CPU因检测到的反馈电压不足而不发出正常加热指令。5按321测试一切正常,再按322第17项方法检查,结果发现C11漏电。结论由于C11漏电,造成加至CPU第5脚的反馈电压不足,CPU因检测到的反馈电压不足而不发出正常加热指令。6按321测试到第8步骤时发现V3为0V,再按322第8项方法检查,结果发现R15开路。结论由于R15开路,另U2A比较器因输入两端电压反向V4V3,输出OFF,加至振荡电路的试探电压因U2A比较器输出OFF而为0,振荡电路也就没有输出,CPU也就检测不到反馈电压而不发出正常加热指令。332故障现象2按启动指示灯指示正常,但不加热。分析一般情况下,CPU检测不到反馈信号电压会自动发出报知信号,但当反馈信号电压处于足够与不足够之间的临界状态时,CPU发出的指令将会在试探正常加热试探循环动作,产生启动后指示灯指示正常,但不加热的故障。原因为电流反馈信号电压不足处于可启动的临界状态。处理方法参考331第4、6案例检查。333故障现象3开机电磁炉发出两长三短的“嘟”声数显型机种显示E2,响两次后电磁炉转入待机。分析此现象为CPU检测到电压过低信息,如果此时输入电压正常,则为VAC检测电路故障。处理方法检查R39、R40、C32、C33。334故障现象4插入电源电磁炉发出两长四短的“嘟”声数显型机种显示E3。分析此现象为CPU检测到电压过高信息,如果此时输入电压正常,则为VAC检测电路故障。处理方法检查R38。335故障现象5插入电源电磁炉连续发出响2秒停2秒的“嘟”声,指示灯不亮。分析此现象为CPU检测到电源波形异常信息,故障在过零检测电路。处理方法检查零检测电路R38、R39、R40、C32、C33、D16均正常,根据原理分析,提供给过零检测电路的脉动电压是由D17、D18和整流桥BG1内部交流两输入端对地的两个二极管组成桥式整流电路产生,如果BG1内部的两个二极管其中一个顺向压降过低,将会造成电源频率一周期内产生的两个过零电压其中一个并未达到0V电压比正常稍高,CPU6脚在该过零点时间因电压未能消失而不能停止,CPU6在此时仍为低电平,从而造成了电源每一频率周期CPU检测的过零信号缺少了一个。基于以上分析,先将R38换入27K电阻目的将R38上的分压电压降低,以抵消比正常稍高的过零点脉动电压,结果电磁炉恢复正常。虽然将R38换成27K电阻电磁炉恢复正常,但维修时不能简单将电阻改68K能彻底解决问题,因为产生本故障说明整流桥BG1特性已变,快将损坏,所己必须将R38换回68K电阻并更换整流桥DB。336故障现象6插入电源电磁炉每隔3秒发出报警声数显型机种显示E6。分析此现象为CPU检测到按装在微晶玻璃板底的锅传感器负温系数热敏电阻开路信息,其实CPU是根椐第8脚电压情况判断锅温度及热敏电阻开、短路的,而该点电压是由R4、热敏电阻分压而成。处理方法检查R4是否开路、锅传感器有否插入及开路判断热敏电阻的好坏在没有专业仪器时简单用室温或体温对比阻值。337故障现象7插入电源电磁炉每隔3秒发出报警声数显型机种显示E4。分析此现象为CPU检测到按装在微晶玻璃板底的锅传感器负温系数热敏电阻短路信息,其实CPU是根椐第8脚电压情况判断锅温度及热敏电阻开/短路的,而该点电压是由R4、热敏电阻分压而成。处理方法检查R4是否开路、锅传感器是否短路判断热敏电阻的好坏在没有专业仪器时简单用室温或体温对比阻值。338故障现象8插入电源电磁炉每隔3秒发出报警声数显型机种显示E7。分析此现象为CPU检测到安装在散热器的TH传感器负温系数热敏电阻开路信息,其实CPU是根椐第8脚电压情况判断散热器温度及TH开/短路的,而该点电压是由R8、热敏电阻分压而成。处理方法检查R8是否开路、TH有否开路判断热敏电阻的好坏在没有专业仪器时简单用室温或体温对比阻值。339故障现象9插入电源电磁炉每隔3秒发出报警声数显型机种显示E6。分析此现象为CPU检测到安装在线圈上的TH传感器负温系数热敏电阻短路信息,其实CPU是根椐第7脚电压情况判断锅具温度及TH开/短路的,而该点电压是由R4、热敏电阻分压而成。处理方法检查R4是否开路、TH有否短路判断热敏电阻的好坏在没有专业仪器时简单用室温或体温对比阻值。3310故障现象10电磁炉工作一段时间后停止加热,间隔3秒发出报警声,响两次转入待机数显型机种显示E5。分析此现象为CPU检测到IGBT超温的信息,而造成IGBT超温通常有两种,一种是散热系统,主要是风扇不转或转速低,另一种是送至IGBTG极的脉冲关断速度慢脉冲的下降沿时间过长,造成IGBT功耗过大而产生高温。处理方法先检查风扇运转是否正常,如果不正常则检查Q3、R27、风扇,如果风扇运转正常,则检查IGBT激励电路,主要是检查R24阻值是否变大、Q1、Q4放大倍数是否过低、DW3漏电流是否过大。3311故障现象11电磁炉低电压以最高火力档工作时,频繁出现间歇暂停现象。分析在低电压使用时,由于电流较高电压使用时大,而且工作频率也较低,如果供电线路容量不足,会产生浪涌电压,假如输入电源电路滤波不良,则吸收不了所产生的浪涌电压,会另浪涌电压监测电路动作,产生上述故障。处理方法检查C1容量是否不足,如果1600W以上机种C1装的是1UF,将该电容换上33UF/250VAC规格的电容器。3312故障现象12烧保险管。分析电流容量为15A的保险管一般自然烧断的概率极低,通常是通过了较大的电流才烧,所以发现烧保险管故障必须在换入新的保险管后对电源负载作检查。通常大电流的零件损坏会另保险管作保护性溶断，而大电流零件损坏除了零件老化原因外,大部分是因为控制电路不良所引至,特别是IGBT,所以换入新的大电流零件后除了按321对电路作常规检查外,还需对其它可能损坏该零件的保护电路作彻底检查,IGBT损坏主要有过流击穿和过压击穿,而同步电路、振荡电路、IGBT激励电路、浪涌电压监测电路、VCE检测电路、主回路不良和单片机CPU死机等都可能是造成烧机的原因,以下是有关这种故障的案例1换入新的保险管后首先对主回路作检查,发现整流桥BG1、IGBT击穿，更换零件后按321测试发现18V偏低,按322第3项方法检查,结果为Q4击穿另18V偏低,换入新零件后再按测试至第9步骤时发现V4为0V,按322第9项方法检查,结果原因为R1开路,换入新零件后测试一切正常。结论由于R1开路,造成加到IGBTG极上的开关脉冲前沿与IGBT上产生的VCE脉冲后沿相不同步而另IGBT瞬间过流而击穿,IGBT上产生的高压同时亦另Q1、Q4击穿,由于IGBT击穿电流大增,在保险管未溶断前整流桥BG1也因过流而损坏。2换入新的保险管后首先对主回路作检查,发现整流桥BG1、IGBT击穿，更换零件后按321测试发现18V偏低,按322第3项方法检查,结果为Q1、Q4击穿令18V偏低,换入新零件后再按测试至第6步骤时发现Q2基极电压偏低,按322第6项方法检查,结果原因为R26阻值变大,换入新零件后测试一切正常。结论由于R26阻值变大,造成加到Q2基极的VCE取样电压降低,发射极上的电压也随着降低,当VCE升高至设计规定的抑制电压时,CPU实际监测到的VCE取样电压没有达到起控值,CPU不作出抑制动作,