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文档简介

湖南工业大学课 程 设 计资 料 袋 湖南工业大学 学院(系、部) 2010 2011 学年第 二 学期 课程名称 微波技术与天线 指导教师 邱银安 职称 副教授 学生姓名 曾辉 专业班级 通信081 学号 07450000106 题 目 史密斯圆图与应用 成 绩 起止日期 2011 年 6 月 20 日 2011 年 6月 26日目 录 清 单序号材 料 名 称资料数量备 注1课程设计任务书12课程设计说明书13源程序145湖南工业大学课程设计任务书20102011 学年第 2 学期 计算机与通信 学院 通信工程 专业 通信081 班级课程名称: 微波技术与天线 设计题目: 史密斯圆图分析与应用 完成期限:自 2011 年 6 月 20 日至 2011 年 6 月 26 日共 1 周内容及任务一、设计的主要技术(参数):史密斯圆图,史密斯圆图演示软件二、设计任务1.了解史密斯圆图的原理和作用;2.学会使用史密斯圆图分析问题。三、设计工作量1周完成进度安排起止日期工作内容6月20日分组、任务分配、课题理解6月21日功能分析、程序设计6月22日-6月24日实验验证和测试6月25日-6月26日总结、书写实验报告参考资料1 王新稳,李萍. 微波技术与天线,电子工业出版社,2009年2 廖承恩.微波技术基础.西安电子科技大学出版社,1995年3.吴万春,梁昌洪.微波网络及其应用.国防工业出版社,1980年指导教师(签字): 年 月 日系(教研室)主任(签字): 年 月 日微波技术与天线课程设计说明书史密斯圆图分析与应用起止日期: 2011年6月20日 至 2011年6月26日学生姓名曾辉班级通信081班学号07450000106成绩指导教师(签字)计算机与通信学院2011年 6 月 25 日课题名称微波技术与天线人 数5人组 长欧阳阿玲同组人员朱雄伟、丁春雨、吴多志、曾辉课题的主要内容和要求主要内容:1.了解史密斯圆图的原理和作用;2.学会使用史密斯圆图分析问题。课题要求:1实时显示史密斯圆图上的阻抗值和归一化阻抗值;2实时显示导纳圆图和归一化导纳值;3并联单可变匹配长度的计算;4并联双可变匹配长度的计算;5驻波系数、反射系数模和幅角;6传输线归一化长度并显示行驻波的波形;7计算传输线的输入阻抗和归一化输入阻抗;具体任务1、理解整个课程设计思想;2、完成相关程序设计;3、完成程序代码设计;4、完成整个设计的验证;时间安排与完成情况2011年6月20日:课程设计分组并选题,组长分配各成员任务,明确此次课程设计要求。2011年6月21:对该课题进行原理分析、程序设计。2011年6月2224日:运行并调试程序,观察实验结果,进行小组讨论。2011年5月25日26日:小组总结后完成课程设计报告。目 录第一章、史密斯圆图的基本介绍51.1 史密斯圆图的介绍51.2 史密斯圆图的理论分析6第二章、史密斯圆图的基本原理7第三章、史密斯圆图的应用83.1 用史密斯图求VSWR83.2 用史密斯图求导纳93.3 利用史密斯图进行阻抗匹配10第四章、史密斯圆图的应用程序11心得体会11第一章、史密斯圆图的基本介绍1.1 史密斯圆图的介绍史密斯图(Smith chart)是一款用于电机与电子工程学的图表,主要用于传输线的阻抗匹配上。 实部r=常数和虚 x常数,两族正交直线变化为正交圆并与反射系数|G|=常数和虚部x常数套用而成。 该图表是由菲利普史密斯(Phillip Smith)于1939年发明的,当时他在美国的RCA公司工作。史密斯也许不是图表的第一位发明者,一位名为Kurakawa的日本工程师声称早于其一年发明了这种图表。史密斯曾说过,“在我能够使用计算尺的时候,我对以图表方式来表达数学上的关联很有兴趣。”史密斯图的基本在于以下的算式: Smith 圆图当中的代表其线路的反射系数(reflection coefficient),即S-parameter里的S11,zL是归一负载值,即ZL / Z0。当中电路的负载值Z0是传输线的特性阻抗值,通常会使用50。图表中的圆形线代表电阻抗力的实数值,即电阻值,中间的横线与向上和向下散出的线则代表电阻抗力的虚数值,即由电容或电感在高频下所产生的阻力,当中向上的是正数,向下的是负数。图表最中间的点(1+j0)代表一个已匹配(matched)的电阻数值(ZL),同时其反射系数的值会是零。图表的边缘代表其反射系数的长度是1,即100%反射。在图边的数字代表反射系数的角度(0-180度)和波长(由零至半个波长)。有一些图表是以导纳值(admittance)来表示,把上述的阻抗值版本旋转180度即可。1.2 史密斯圆图的理论分析一、圆图概念圆图是求解均匀传输线有关阻抗计算和阻抗匹配问题的一类曲线坐标图,图上有两组坐标线,即归一化阻抗或导纳的实部和虚部的等值线簇与反射系数的模和辐角的等值线簇。所有这些等值线都是圆或圆弧,故称其为阻抗圆图或导纳圆图,简称圆图。圆图所依据的关系式如下所示:z(d)=Z(d)/Z0=(1+(d)/(1-(d) 或者(d)=(z(d)-1)/(z(d)+1) 式*j 式中z(d)和(d)一般为复数:j(d)z(d)=r(d)+jx(d)=|z|e(d)=re(d)+jim(d)=|(d)|e圆图便是依据式*将z(d)和(d)的两组等值线簇套印在一张图纸上而成的,便于直接读出相互转换的关系和数据。二、平面上的归一化阻抗圆依据下式可确定归一化电阻圆和归一化电抗圆,y由外到内依次为0,0.5,1,2,图1.2为归一化电阻图。图1.2 归一化电阻图传输线的正弦稳态分析所需的计算含有复数。在有效使用计算器和计算机之前,这些计算十分好事与繁复。结果导致图解分析技术的发展,并用来计算传输线的性能。史密斯圆图在其中是比较好的,它实质上是一个传输线计算器,能使用者迅速得出在传输线上任一点所发生的物理解释。除了确定线上任一点的输入阻抗,电压反射系数,VSWR,在线上放置短截线的位置以使传输线匹配外,还可由史密斯圆图获得一些其他数据。(三)圆图使用1).在传输线上移动半个波长,相当于圆图上旋转360;2).由负载向电源移动,圆图上为顺时针旋转;由电源向负载移动,为逆时针旋转;3).阻抗圆图的电阻圆全部都与=1的直线相切,并且都在单位圆内;r=0(短路)时,圆心在(0,0),半径=1(与单位圆重合);r=(开路)时,圆心在(1,0),半径=0(缩为1个点);坐标轴()是一条纯电阻线,线上的点从左到右电阻值从0到,中心为1;中心之左1,右半轴上的点代表电压最大点,其值大小等于驻波比。4).阻抗圆图的电抗圆全部都与=0的直线相切,并且圆心都在=1的直线上,它们截于单位圆内的为有效部分,其中:0的为电感线;LoadIcon(IDR_MAINFRAME);void CSmithChartDemoDlg:DoDataExchange(CDataExchange* pDX)CDialog:DoDataExchange(pDX);/AFX_DATA_MAP(CSmithChartDemoDlg)DDX_Control(pDX, IDC_SLIDER1, m_hSliderControl);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_DIANKANG, m_hDiankang);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_DIANZU, m_hDianzu);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_TEXING, m_hTexing);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_WAVELENGTH, m_hWavelenght);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_SWR, m_hSwr);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_FANSHE_SHIBU, m_hFansheShibu);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_FANSHE_XUBU, m_hFansheXubu);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_GUIYI_SHIBU, m_hGuiyiShibu);DDX_Text(pDX, IDC_EDIT_GUIYI_XUBU, m_hGuiyiXubu);DDX_Slider(pDX, IDC_SLIDER1, m_hSlider);/AFX_DATA_MAPBEGIN_MESSAGE_MAP(CSmithChartDemoDlg, CDialog)ASSERT(IDM_ABOUTBOX & 0xFFF0) = IDM_ABOUTBOX);ASSERT(IDM_ABOUTBOX AppendMenu(MF_SEPARATOR);pSysMenu-AppendMenu(MF_STRING, IDM_ABOUTBOX, strAboutMenu);chart.SetRange(CPoint(0,0),CPoint(400,400),CPoint(200,200);m_hTexing = 50;m_hDianzu = 50;m_hDiankang = 50;m_hSwr = ;m_hSliderControl.SetRange(0,100,TRUE);m_hSliderControl.SetPos(25);UpdateData(FALSE);return TRUE; / return TRUE unless you set the focus to a controlvoid CSmithChartDemoDlg:OnSysCommand(UINT nID, LPARAM lParam)if (nID & 0xFFF0) = IDM_ABOUTBOX)CAboutDlg dlgAbout;dlgAbout.DoModal();elseCDialog:OnSysCommand(nID, lParam);void CSmithChartDemoDlg:OnPaint() CDC * pDC = GetDC();chart.InitSmithChart(pDC);ReleaseDC(pDC);if (IsIconic()CPaintDC dc(this); / device context for paintingSendMessage(WM_ICONERASEBKGND, (WPARAM) dc.GetSafeHdc(), 0);dc.DrawIcon(x, y, m_hIcon);elseCDialog:OnPaint();HCURSOR CSmithChartDemoDlg:OnQueryDragIcon()return (HCURSOR) m_hIcon;void CSmithChartDemoDlg:OnBtnCacul() if(m_hTexing = 0)MessageBox(特性阻抗不能小于等于零!,警告.,MB_OK|MB_ICONHAND);return;if(m_hDianzuSelectObject(&pen); chart.DrawCircleR(rCircle,pDC);/画R圆chart.DrawCircleX(xCircle,pDC);/画X圆chart.DrawCircle(frfl,pDC);/画等反射系数圆chart.ShowImpedance(frfl,rlxl,impedance.impedanceChara,pDC);pDC-SelectObject(poldPen);ReleaseDC(pDC);/释放绘图设备/更新界面数据m_hSwr.Format(%.2f,chart.GetSWR(frfl);/获取驻波比m_hGuiyiShibu.Format(%.2f,rlxl.r);/归一化阻抗实部m_hGuiyiXubu.Format(%.2f,rlxl.x);/归一化阻抗虚部m_hFansheShibu.Format(%.2f,frfl.Fr);/反射系数实部m_hFansheXubu.Format(%.2f,frfl.Fl);/反射系数虚部UpdateData(FALSE);void CSmithChartDemoDlg:OnBtnFind() / TODO: Add your control notification handler code here UpdateData(TRUE);if(m_hTexing = 0)MessageBox(特性阻抗不能小于等于零!,警告.,MB_OK|MB_ICONHAND);return;if(m_hDianzuSelectObject(&pen); chart.DrawCircleR(rCircle,pDC);chart.DrawCircleX(xCircle,pDC);chart.DrawCircle(frfl,pDC);chart.ShowImpedance(frfl,rlxl,impedance.impedanceChara,pDC);pDC-SelectObject(poldPen);ReleaseDC(pDC);m_hSwr.Format(%.2f,chart.GetSWR(frfl);/获取驻波比m_hGuiyiShibu.Format(%.2f,rlxl.r);/归一化阻抗实部m_hGuiyiXubu.Format(%.2f,rlxl.x);/归一化阻抗虚部m_hFansheShibu.Format(%.2f,frfl.Fr);/反射系数实部m_hFansheXubu.Format(%.2f,frfl.Fl);/反射系数虚部UpdateData(FALSE);void CSmithChartDemoDlg:OnReleasedcaptureSlider1(NMHDR* pNMHDR, LRESULT* pResult) / TODO: Add your control notification handler code hereUpdateData(TRUE);m_hWavelenght = double(m_hSlider)/100;UpdateData(FALSE); UpdateData(TRUE);if(m_hTexing = 0)MessageBox(特性阻抗不能小于等于零!,警告.,MB_OK|MB_ICONHAND);return;if(m_hDianzuSelectObject(&pen); chart.DrawCircleR(rCircle,pDC);chart.DrawC

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