标准解读

GB/T 11073-1989 是一项中国国家标准，其全称为《硅片径向电阻率变化的测量方法》。该标准规定了测量硅片从中心到边缘电阻率变化的具体方法和要求，旨在为半导体材料的质量控制和性能评估提供统一的测试准则。以下是标准内容的详细说明：

标准适用范围

本标准适用于单晶硅片，特别是用于制造半导体器件的硅片，其目的是通过测量硅片不同半径位置的电阻率，来评估材料的均匀性和质量。

测量原理

  1. 四探针法：标准推荐使用四探针技术进行测量，这是一种非破坏性测试方法，通过在硅片表面放置四个紧密排列的探针，施加电流并通过电压探针测量电压降，从而计算出电阻率。

  2. 径向测量：测量时，探针沿硅片半径方向移动，从中心点开始逐步向外，记录不同半径下的电阻率值，以描绘出硅片的径向电阻率分布图。

测量设备与条件

  • 规定了四探针测试仪的技术要求，包括探针的材质、直径、间距以及施加电流的稳定性和测量精度。
  • 要求测量环境控制在一定温度和湿度范围内，以减少外部因素对测量结果的影响。
  • 对样品的预处理，如清洁度、温度均衡等也给出了指导。

测量步骤

  1. 样品准备：确保硅片表面干净无污染，温度稳定。
  2. 探针布置：按照标准规定的探针间距和布局放置探针。
  3. 电流施加与电压测量：向样品施加恒定电流，同时测量电压降。
  4. 数据记录：记录每个测量点的电阻率，并标记对应的半径位置。
  5. 数据处理：对收集的数据进行分析，计算电阻率随半径的变化趋势。

数据处理与报告

  • 描述了如何根据测量数据绘制径向电阻率曲线，以及如何计算平均电阻率、最大最小差异等关键参数。
  • 要求在测试报告中包含测量条件、设备信息、样品描述及所有关键测量结果。

标准的实施与监督

强调了标准执行的重要性，建议各使用单位应严格遵循标准操作，以确保测量结果的准确性和可比性。虽然未直接提及监督机制，但通常情况下，遵循国家标准的操作应接受行业或第三方机构的审核或认证。


如需获取更多详尽信息，请直接参考下方经官方授权发布的权威标准文档。

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  • 被代替
  • 已被新标准代替，建议下载现行标准GB/T 11073-2007
  • 1989-03-31 颁布
  • 1990-02-01 实施
©正版授权
GB-T11073-1989硅片径向电阻率变化的测量方法.pdf_第1页
GB-T11073-1989硅片径向电阻率变化的测量方法.pdf_第2页
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