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1/20,第三章 场效应管 场效应管是利用电场效应来控制电流大小（电压控制电流源），与双极型晶体管不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好、噪声低。 场效应管有两种:结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS,2/20,3.1 MOS场效应管 MOS场效应管有增强型（EMOS）和耗尽型（DMOS）两大类；每一类又有N沟道和P沟道两种导电类型。 一、增强型（EMOS）场效应管 1、结构与工作原理（N沟道）,3/20,G：栅极，S：源极， D：漏极，U：衬底极（一般与S极相连接） （1）VDS=0 VGS=0（对应截止区）VGSVGS(th)（开启电压）出 现了导电沟道（反型层）,4/20,（2）0VGS(th)时，出现了IDVGSID，VDSID,5/20,（3）由VGD=VGS-VDS，当VGD=VGS(th)时， 即VDS=VGS-VGS(th)，出现了预夹断,VGSVGS(th)，VDSVGS-VGS(th)VDSID基本不变,6/20,2、伏安特性（与三极管比较） 1）场效应管的D、G、S相当于C、B、E 2）场效应管是电压控制器件，栅流基本为0。 3）场效应管利用多子导电（单极型），故受外 界影响小。 4）场效应管的D、S可互换,7/20,输入特性：（转移特性） 输出特性： 1)非饱和区：VGSVGS(th)，VDSVGS-VGS(th) 相当于三极管的饱和区 2)饱和区：VGSVGS(th)，VDSVGS-VGS(th) 相当于三极管的放大区 3)截止区：VGSVGS(th) 4)击穿区：VGS或VDS太大,8/20,二、耗尽型场效应管（DMOS） 1、结构与工作原理 与EMOS相似，差别仅在于预先已在衬底表面扩散了一薄层与衬底相反的掺杂区，作为漏、源区之间的导电沟道。,2、伏安特性 输入特性： （转移特性） 输出特性： （与EMOS同）,9/20,10/20,四、小信号模型,电路模型：,11/20,3.2 结型场效应管,一、结构及工作原理（N沟道） P区：高掺杂,N区：低掺杂,12/20,1、VGS0，VDS为正电压 ID随VDS正向增长,13/20,2、VGS为负电压，VDS为正电压 VGS越负，沟道变窄，ID随VDS增长变慢,14/20,15/20,3、VGSVP（夹断电压），ID不随VDS变化(很小）,16/20,4、由VGD=VGD-VDS， 当VGD VGS(off) ，即VDS VGS- VGS(off)时，出现了预夹断，ID也不会随VDS变化,17/20,18/20,二、特性曲线,与DMOS类似,19/20,1)非饱和区：VGSVGS(off)，VDSVGS-VGS(off) （相当于三极管的 饱和区） 2)饱和区：VGSVGS(off)，VDSVGS-VGS(off) （相当于三极
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