标准解读

GB/T 36401-2018《表面化学分析 X射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告》是一项国家标准,主要针对使用X射线光电子能谱(XPS)技术进行薄膜材料表面成分及结构分析时如何规范地报告分析结果进行了规定。该标准适用于各种类型薄膜材料的XPS分析,包括但不限于金属、半导体、聚合物以及复合材料等。

根据标准内容,报告中应包含实验条件、样品信息、仪器参数设置等基本信息。其中,实验条件部分需详细说明样品处理方法(如清洗、切割)、环境因素(温度、湿度)以及任何可能影响测试结果的操作步骤;样品信息则涵盖了样品来源、物理状态、几何形状等方面;仪器参数设置涉及使用的X射线源种类及其能量、分析室真空度、探测器工作模式等内容。

对于XPS数据处理与解析,标准建议采用适当软件进行背景扣除,并对峰位、强度比值等关键特征进行准确测量。此外,还应对所测得的数据进行合理解释,比如通过比较不同元素或化合物之间的结合能差异来判断其化学状态;利用定量分析确定各组分相对含量;基于特定区域扫描结果推测微观结构特性等。

在撰写报告时,除了上述技术性内容外,还需注意语言表述清晰准确、逻辑结构严谨有序。同时,鼓励附上原始数据文件及处理过程中的中间结果作为补充材料,以便于他人复现研究或进一步深入探讨。

本标准旨在提高XPS薄膜分析领域的标准化水平,促进科研成果的有效交流与应用。


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  • 现行
  • 正在执行有效
  • 2018-06-07 颁布
  • 2019-05-01 实施
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文档简介

ICS7104040 G 04 . . 中 华 人 民 共 和 国 国 家 标 准 GB/T364012018/ISO134242013 : 表面化学分析 X 射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告 SurfacechemicalanalysisX-rayphotoelectronspectroscopy Reportingofresultsofthin-filmanalysis (ISO13424:2013,IDT)2018-06-07发布 2019-05-01实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 发 布 中国国家标准化管理委员会GB/T364012018/ISO134242013 : 目 次 前言 引言 范围1 1 规范性引用文件2 1 术语和定义3 1 缩略语4 1 薄膜分析综述5 XPS 1 引言 5.1 1 常规 5.2 XPS 2 变角 5.3 XPS 3 峰形分析 5.4 3 可变光子能量 5.5 XPS 3 溅射深度剖析 5.6 XPS 3 样品处理6 3 仪器和操作条件7 3 仪器校准 7.1 3 操作条件 7.2 4 方法 实验条件 分析参数和分析结果的报告8 XPS 、 、 4 薄膜分析方法 8.1 XPS 4 实验条件 8.2 4 分析参数 8.3 5 汇总表示例 8.4 6 分析结果 8.5 8 附录 资料性附录 常规 A ( ) XPS 9 附录 资料性附录 变角 B ( ) XPS 15 附录 资料性附录 峰形分析 C ( ) 20 附录 资料性附录 溅射深度剖析 D ( ) XPS 30 参考文献 32 GB/T364012018/ISO134242013 : 前 言 本标准按照 给出的规则起草 GB/T1.12009 。 本标准使用翻译法等同采用 表面化学分析 射线光电子能谱 薄膜分析结果 ISO13424:2013 X 的报告 。 本标准由全国微束分析标准化技术委员会 提出并归口 (SAC/TC38) 。 本标准主要起草单位 厦门荷清教育咨询有限公司 清华大学化学系 : 、 。 本标准主要起草人 汤丁亮 李展平 岑丹霞 姚文清 刘芬 王水菊 : 、 、 、 、 、 。 GB/T364012018/ISO134242013 : 引 言 射线光电子能谱 广泛运用于材料 表 面 的 表 征 特 别 是 基 材 上 的 覆 盖 层 薄 膜 可 以 使 用 X (XPS) , 。 测定薄膜近表面区的化学组成 如果薄膜具有均匀的厚度 并且该厚度小于所测量光电子平均逃XPS 。 , 逸深度 的大约 倍 通过变角 或者峰形分析 可以测定薄膜的膜厚度以及膜中元素或者元 (MED) 3 , XPS , 素化学状态的深度剖析 对于较厚的膜 采用溅射深度剖析可以获得膜中元素的深度剖析 如果 。 , 。 XPS 系统具有足够的横向分辨率 则可以测定膜厚度或者深度剖面中可能的横向不均匀性 这些 应用 , 。 XPS 对于薄膜纳米结构的表征特别有价值 因为对于许多物质材料和常规 测量条件而言 通常小 , XPS ,MED 于 5nm。 本标准的第 章和第 章为 仪器的操作者在测定基材上覆盖层薄膜的有意义的化学组成和 6 7 XPS 膜厚度时所进行的有效测量提供了指导 本标准的第 章指出了 数据的测量和分析报告中应包 。 8 XPS 括的信息 附录 附录 附录 和附录 对于薄膜样品的不同类型 测量的数据分析方法提供 。 A、 B、 C D XPS 了补充信息 。 GB/T364012018/ISO134242013 : 表面化学分析 X 射线光电子能谱 薄膜分析结果的报告1 范围 本标准给出了采用 对基材上薄膜的分析报告所需的最少信息量要求的说明 这些分析涉及 XPS 。 化学组成和均匀薄膜厚度的测量 以及采用变角 溅射深度剖析 峰形分析和可变光子能量 , XPS、XPS 、 的方式对非均匀薄膜作为深度函数的化学组成的测量XPS 。2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的 凡是注日期的引用文件 仅注日期的版本适用于本文 。 , 件 凡是不注日期的引用文件 其最新版本 包括所有的修改单 适用于本文件 。 , ( ) 。 表面化学分析词汇 第 部分 通用术语及谱学术语 ISO18115-1:2010 1 : (Surfacechemicalanaly-sisVocabularyPart1:Generaltermsandtermsusedinspectroscopy)3 术语和定义 中界定的术语和定义适用于本文件 ISO18115-1:2010 。4 缩略语 俄歇电子能谱 AES: (Augerelectronspectroscopy) 变角 射线光电子能谱 ARXPS: X (Angle-resolvedX-rayphotoelectronspectroscopy) 非弹性平均自由程 IMFP: (Inelasticmeanfreepath) 平均逃逸深度 MED: (Meanescapedepth) 相对灵敏度因子 RSF: (Relativesensitivityfactor) 迁移平均自由程 TRMFP: (Transportmeanfreepath) 射线光电子能谱 XPS:X (X-rayphotoelectronspectroscopy)5 XPS薄膜分析综述 51 引言 . 基材上薄膜的 分析可以提供化学组成随深度变化以及薄膜厚度的信息 如果总膜厚小于所 XPS 。 检测的光电子的 的 倍 则可以运用多种 方法 特定光电子的 为 和相对于表 MED 3 , XPS 。 MED IMFP 面法线的光电子发射角的函数 依赖于光电子能量和材料 值可从数据库中查得1 在 。IMFP 。MED 。 发射角 条件下 估算各种 值的简单分析式已发表2 对于这样的发射角 小于 5

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