模拟电子技术大一第一.ppt

模拟电子技术基础,德州学院计算机科学系 系统结构教研室 201209,主讲 ：安 定,第一讲,课程与专业关系及地位,首先，模拟电子技术是计算机科学与技术、网络工程与通信、信息与信息管理类专业的一门主要技术基础课。是关于模拟电子技术方面入门性质的技术基础课，它具有自身的体系，是实践性很强的课程。通过学习、掌握本课程专业知识与专业技能，为学习后续课程、将电子技术运用到计算机应用领域与信息技术领域打下坚实的基础。,课程与专业关系及地位,其次，模拟电子技术在计算机系统专业课程中具有承上启下的地位，是计算机专业本科教学中的重要课程。学好该课程，不仅对其后续课程数字电路、计算机组成原理、微机原理与接口技术、嵌入式系统等课程的学习有很大帮助，而且在实际中有广泛的用途。因此，模拟电子技术在计算机科学中有着非常重要的作用。,课程名称,模拟电子技术： 模拟电子技术是对电路信号进行仿真、模拟处理的电路技术，其处理和研究的对象是连续变化的交流信号。,课程名称,数字电子技术： 数字电子技术是对电路高、低电平信号进行计数、计算、定时、逻辑计算和分析、时序组合与分析等数字处理的电路技术，其处理和研究的对象是离散变化的直流信号。,绪 论,1.电子技术的现状与发展趋势,2.电子技术的应用范围,3.本课程与其它专业课的关系,4.电子技术基础学习特点,1.电子技术的现状与发展趋势,电子技术发展水平的关键是元器件的发展。 其中具标志性的发展（主线）是由： 电子管器件晶体管器件集成电路器件(LSI)大规模和超大规模集成电路器件(VLSI)。,1.电子技术的现状与发展趋势,元器件发展的（辅线）是电阻器、电容器、电感器、传感器等器件微小型化、高可靠性、高精密性的发展。,2.电子技术的应用范围,信号检测: 压力、温度、液位、流量等物理量的测量与调节。 电子仪器。 智能小区、医疗。,2.电子技术的应用范围,汽车电子: 电源 发动机控制点火装置、燃油喷射控制、发动机电子控制 行驶装置车速控制、间歇刮水、防雾装置、车门锁紧装置、,汽车电子,报警与安全装置安全带、车灯未关报警、车速报警、安全气囊 旅居性空调控制、动力窗控制 仪表里程表、数字式数字表、出租车用仪表 娱乐通讯收音机、汽车导航、汽车电话、汽车电台,3.本课程与其它专业课的关系,课程性质：技术基础课 服务对象：电专业、计算机专业、物理专业 课程特点：内容丰富，技术更新快，紧密联系实际，应用非常广泛。 本课程是电专业一切电类后续课程的基础。学时少，内容多，不能轻视。否则，对以后的学习将会造成很大影响。,3.本课程与其它专业课的关系,先行课程：电路分析基础 内容主要有： 电路基本概念 、电路定律 、线性电路的分析方法 、一阶电路 、二阶电路、高阶电路和复数频率 、正弦稳态电路分析 、交流功率 、频率响应等 。,3.本课程与其它专业课的关系,电专业、物理专业在模拟电子技术课程前先学习电路分析基础课程。 由于计算机专业属性，所以电路分析基础不作为本专业课程。因此这方面的缺失只能由自学，或教学中用到时再简介来弥补。,3.本课程与其它专业课的关系,再由于模拟电子技术课程课时少，内容多；对教和学都带来相当的困难。 因此要求同学们在课后挤时间自学电路分析基础的内容（至少需要了解概念和掌握最基本的内容）。 这样才能保证同学们跟上模拟电子技术课程的教学和学习。,4.电子技术基础学习特点,课堂教学： 紧跟老师讲课思路，搞清基本概念，注意解题方法和技巧。 习题： 独立完成作业，按时交作业。 实验： 注意理论联系实际，掌握常用仪器、仪表的使用方法，验证与探索相结合。,4.电子技术基础学习特点,教学形式： 课堂上，多媒体授课；课后办公室答疑。 联系方式： 电子邮件地址： 办公室：综合楼3楼(3015) 系统结构教研室,参考书：,模拟电子技术基础（第四版）： 清华大学童诗白、华成英主编,2. 电子技术基础（模拟部分第四版）： 华中理工大学康华光主编 3. 图书馆有关电子技术的书籍,自学参考书：,电路分析基础 翁黎朗：机械工业出版社 2009年09月,2. 电路分析基础 周茜 ：电子工业出版社 （2010年版） 3. 图书馆有关电路分析的书籍,1.1 半导体的基本知识 1.2 PN结 1.3 半导体二极管,第一章 晶体二极管,1.1 半导体的基本知识,根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、绝缘体和半导体。 半导体的电阻率为10-3109 cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。,1.1.1 本征半导体及其导电性,本征半导体化学成分纯净的半导体晶体。 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%，常称为“九个9”。它在物理结构上呈单晶体形态。,(1）本征半导体的共价键结构,硅和锗是四价元素，在原子最外层轨道上的四个电子称为价电子。它们分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。,这种结构的立体和平面示意图见图01.01。,（2）电子空穴对,当导体处于热力学温度0K时，导体中没有自由电子。当温度升高或受到光的照射时，价电子能量增高，有的价电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。,自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，原子的电中性被破坏，呈现出正电性，其正电量与电子的负电量相等，人们常称呈现正电性的这个空位为空穴。,这一现象称为本征激发，也称热激发。,可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。,本征激发和复合在一定温度下会达到动态平衡。,图01.02 本征激发和复合的过程（动画1-1）,(3) 空穴的移动,自由电子的定向运动形成了电子电流，空穴的定向运动也可形成空穴电流，它们的方向相反。只不过空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的，因此，空穴的导电能力不如自由电子（见图01.03的动画演示）。,（动画1-2）,图01.03 空穴在晶格中的移动,1.1.2 杂质半导体,(1) N型半导体 (2) P型半导体,在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质后的本征半导体称为杂质半导体。,(1）N型半导体,在本征半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，可形成 N型半导体,也称电子型半导体。 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。,在N型半导体中自由电子是多数载流子,它主要由 杂质原子提供；空穴是少数载流子, 由热激发形成。,提供自由电子的五价杂质原子因自由电子脱离而带正电荷成为正离子，因此，五价杂质原子也被称为施主杂质。N型半导体的结构示意图如图01.04所示。,图01.04 N型半导体结构示意图,(2) P型半导体,本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓、铟等形成 P型半导体，也称为空穴型半导体。因三价杂质原子与硅原子形成共价键时，缺少一个价电子而在共价键中留下一个空穴。,P型半导体中空穴是多数载流子，主要由掺杂形成；电子是少数载流子，由热激发形成。,空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。P型半导体的结构示意图如图01.05所示。,图01.05 P型半导体的结构示意图,图01.05 P型半导体的结构示意图,1.1.3 杂质对半导体导电性的影响,掺入杂 质对本征半导体的导电性有很大 的影响，一些典型的数据如下:,以上三个浓度基本上依次相差106/cm3 。,杂质半导体简化模型,1.2 PN结,1.2.1 PN结的形成,1.2.2 PN结的单向导电性,1.2.3 PN结的电容效应,1.2.1 PN结的形成,在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分别形成 N 型半导体和 P 型半导体。此时将在N型半导体和 P 型半导体的结合面上形成如下物理过程:,因浓度差 多子的扩散运动由杂质离子形成空间电荷区, 空间电荷区形成 内电场, 内电场促使少子漂移, 内电场阻止多子扩散,最后多子扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为 P N 结 , 在空间 电荷区，由于缺 少多子，所以也 称耗尽层。,图01.06 PN结的形成过程,（动画1-3）,PN 结形成的过程可参阅图01.06。,1.2.2 PN结的单向导电性,如果外加电压使PN结中：P区的电位高于 N 区的电位，称为加正向电压，简称正偏；,PN结具有单向导电性，若外加电压使电流从 P 区流到 N 区， PN结呈低阻性，所以电流大；反之是高阻性，电流小。,P 区的电位低于 N 区的电位，称为加反向电压，简称反偏。,(1) PN结加正向电压时的导电情况,外加的正向电压有一部分降落在 PN 结区，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响, PN 结呈现低阻性。,PN结加正向电压时的导电情况如图01.07,（动画1-4）,图01.07 PN结加正向电压 时的导电情况,(2) PN结加反向电压时的导电情况,外加的反向电压有一部分降落在PN结区，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场的作用 下形成的漂移电流大于扩 散电流，可忽略扩散电流 ，由于漂移电流本身就很 小，PN结呈现高阻性。,在一定温度条件下， 由本征激发决定的少子浓 度是一定的，故少子形成 的漂移电流是恒定的，基 本上与所加反向电压的大 小无关，这个电流也称为 反向饱和电流。,PN结加反向电压时的导电情况如图01.08所示。,图 01.08PN结加反向电压时的导电情况,PN结外加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。,（动画1-5）,图 01.08 PN结加反向电压时的导电情况,1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。,2. 在杂质半导体中少子的数量与 。 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。,3. 当温度升高时，少子的数量 。 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）,a,b,c,4. 在外加电压的作用下，P 型半导体中的电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流）,b,a,思考题：,1.2.3 PN结的电容效应,PN结具有一定的电容效应，它由两方面的因素决定。 一是势垒电容CB 二是扩散电容CD,(1) 势垒电容CB,势垒电容是由空间电荷区离子薄层形成的。当外加电压使PN结上压降发生变化时，离子薄层的厚度也相应地随之改变，这相当PN结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电。势垒电容的示意图见图01.09。,图 01.09 势垒电容示意图,扩散电容是由多子扩散后，在PN结的另一侧面积累而形成的。因 PN 结正