光伏电池材料课程基于网络考核改革试点方案.doc

光伏电池材料课程基于网络考核改革试点方案（2015年03月）一、考核改革的目的1通过本课程考核的改革，深入探索现代远程开放教育、成人学习课程考核的基本模式； 2通过本课程考核的改革，探索光伏电池材料课程的形成性考核和终结性考试的目标、形式、题型、题量、难易程度等；3通过本课程考核的改革，进一步强化教学过程的落实，指导学生在学习过程中理解把握课程的内容，引导学生实现各个学习环节，达到学习目标；4探索远程成人考核的信度、效度，保证学习质量。二、考核对象本方案适用于中央广播电视大学光伏发电技术及应用（专科）专业开放教育专业的所有学生。三、考核目标通过考核既要检测学生对光伏电池材料基本理论的掌握程度，又要检测学生对光伏电池材料基本理论的运用程度，重点考核学生的实践能力。四、考核方式本课程考核由网上形成性考核和网络终结性考试相结合形式。形成性考核占总成绩的50%，由4次作业构成，登陆形成性考核系统进行，随平时学习过程中完成；终结性考试占总成绩的50%，登陆终考考试系统进行，在学期末进行，具体时间及安排见中央电大统一考试安排。课程考核成绩满分100分。形成性考核成绩和终结性考试成绩均达到60分以上（双及格），方可获得本课程合格证。（一） 形成性考核通过形成性考核一方面可以加强对地方电大教师教学过程的引导、指导和管理，优质的完成教学任务，实现教学目标；另一方面可以加强对学生平时自主学习过程的指导和监督，重在对学生自主学习过程进行的指导和检测，引导学生按照教学要求和学习计划完成学习任务，达到掌握知识、提高能力的目标，提高学生的综合素质。第一部分 形考说明1比例：设计4次测验题，占课程综合成绩的50。2形式：题型为单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题，每次形考任务按百分制进行成绩评定。 3操作：所有形成性考核试题均由中央电大统一编制。第二部分 形考内容序号章节内容发布时间最迟提交时间权重 1第1章第2章硅单质及其化合物的性质晶体生长基础第3周第4周20%2第3章第4章硅料提纯单晶硅制备第6周第7周30%3第5章第6章铸造多晶硅的制备硅片制造第9周第10周30%4第7章第8章硅薄膜材料新型薄膜光伏材料第12周第13周20%第一次考核目的与要求 学习完第1章及第2章完成本测验（100分）。题型：单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题样题：1单项选择题（每小题2分） 以下（ ）不是自然界中的硅同位素。A）28Si B）29SiC）30Si D）32Si答案：D2多项选择题（每小题3分）硅在自然界主要以（ ）形式存在。A石英砂 B. 硅酸盐 C. 硅单质 D. 白炭黑答案：AB3判断题（每小题2分）滑移的方向是与位错线平行的为刃型位错。答案：4配伍题（每小题3分）将各类晶体缺陷与实例一一对应。（1）点缺陷 A. 位错（2）线缺陷 B. 空位（3）面缺陷 C. 相界答案：（1）-B、（2）-A、（3）-C目的：考核学生对硅的性质、晶体结构及其他方面的特点以及对硅材料的基本应用以及对晶体生长原理、基本技术和成核机理的掌握。要求：1认真研读教材1、2章的内容，理清各章的基本原理2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题第二次考核目的与要求 学习完第3章及第4章完成本测验（100分）。题型：单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题样题：1单项选择题（每小题2分） 改良西门子法所采用的提纯工艺是（）。 A）精馏 B）吸附C）物理提纯法 D）区域提纯答案：A2多项选择题（每小题3分）由于跟FZ技术相比，CZ法具有（）。A熔体稳定B. 晶体直径大C. 对多晶形状要求低D. 通过晶转和锅转控制晶体-熔体边界层能较好的控制径向掺杂均匀度答案：ABCD 3判断题（每小题2分）改良西门子法是一个闭路循环系统，多晶硅生产中的各种无聊得到充分的利用，排出的废料极少。答案：4配伍题（每小题3分）将吸附的设备与工艺一一对应。（1）流体和固体吸附剂置于同一容器内 A. 半连续操（2）固定吸附床 B. 连续操作（3）移动吸附器 C. 间歇操作答案：（1）-C、（2）-A、（3）-B目的：考核学生对硅料化学提纯、物理提纯等方法的掌握，对硅中杂质去除的机理的理解和灵活运用；对单晶硅主要制备工艺的掌握，以及缺陷、杂质对太阳电池性能影响的理解并灵活运用的能力。要求：1认真研读教材3、4章的内容，理清各章的基本原理2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题第三次考核目的与要求 学习完第5章及第6章完成本测验（100分）。题型：单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题样题：1单项选择题（每小题2分） 铸造多晶硅制备目前最常用的方法是（）。A）布里奇曼法 B）电磁铸锭法C）浇铸法 D）热交换法答案：D2多项选择题（每小题3分）石英坩埚喷涂氮化硅的作用是（）。A隔离硅熔体与石英坩埚，减少杂质B. 绝热，保温C. 降低热应力D. 有效较少碎裂，使坩埚能重复利用答案：AD3判断题（每小题2分）硅片切割得越薄，切割损耗也越多。答案：4配伍题（每小题3分）将清洗时试剂与作用一一对应。（1）无机酸A. 去除镁、铝、铜、银、金、氧化铝、氧化镁、二氧化硅等杂质（2）有机溶剂B. 对一些难溶物质转化为易溶物质（3）过氧化氢C. 相似相溶答案：（1）-A、（2）-C、（3）-B目的：考核学生对铸造多晶硅主要制备工艺的掌握，以及缺陷、杂质对太阳电池性能影响的理解并灵活运用的能力；对硅材料加工的各种方法和技术以及加工工艺的原理的掌握能力，及实际操作能力；要求：1认真研读教材5、6章的内容，理清各章的基本原理2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题第四次考核目的与要求 学习完第7章及第8章完成本测验（100分）。题型：单项选择题，多项选择题，判断题，配伍题样题：1 单项选择题（每小题2分）PECVD主要利用的是（）区域。A）阴极辉光 B）法拉第暗区C）阳极辉光 D）正离子柱区答案：D2 多项选择题（每小题3分）非晶硅太阳电池相对与晶体硅太阳电池的优点在于（）。A材料和制造工艺成本低B. 易于形成大规模生产能力以及大面积化生产C. 易实现柔性电池D. 具有S-W效应答案：ABC3 判断题（每小题2分）非晶硅是间接带隙结构。答案：4 配伍题（每小题3分）将有机半导体薄膜制备方法与描述一一对应。（1）旋转涂层法A. 是有机太阳电池具有低成本和高生产率的主要原因（2）有机气相沉积法B. 可得到有机材料和金属电极材料良好接触的界面，减少界面处的截流子流过的损耗，提高了转换效率（3）丝网印刷技术C. 所采用的主要设备为匀胶机答案：（1）-C、（2）-B、（3）-A目的：考核学生对非晶硅薄膜和多晶硅薄膜材料的制备方法、加工工艺的掌握；对新型薄膜材料的基本性质及制备方法的了解。要求：1认真研读教材7、8章的内容，理清各章的基本原理2认真完成电大网以及教材后提供的相关练习题（二）终结性考试 主要目的：主要考核学生对光伏电池材料的基本理论、基本知识、基本概念、基本技能的理解与把握。第一部分 考核说明比重：占课程综合成绩的50%，按百分制计算。题型：单项选择题、多项选择题、简答题、论述题。操作：采用网络终考考试系统进行，中央广播电视大学统一编制试题，地方广播电视大学组织考试。时间：60分钟第二部分 考核内容一、单项选择题（每题2分）1. 观察晶体中位错最简单的方法是（ ）。A）浸蚀观察法 B）透射电镜法C）手触感觉法 D）肉眼观察法答案： A二、多项选择题（每题3分）1. 关于位错的观察，说法正确的是（ ）。A浸蚀观察法观察到的其实是位错的蚀坑 B. 蚀坑具有规则的外形，如三角形，正方形等规则的几何外形 C. 位错密度很大的晶体也能浸蚀观察 D. 晶体内部位错无法浸蚀观察答案： ABD三、简答题（每题10分）简述相图在晶体生长中的应用。答：相图是表示材料相得状态和温度成分的综合图形，是材料科学的基本内容。主要有以下几个方面的应用：（1）研制开发新材料，确定材料成分。 2分（2）利用相图制定材料生产和处理工艺。 2分（3）利用相图分析平衡态的组织和推断不平衡态可能的组织变化。 2分（4）利用相图和性能关系预测材料性能。 2分（5）利用相图进行材料生产过程中的故障分析。 2分四、论述题（本题共20分）试述直拉单晶硅中氧、碳杂质的形成过程以及这些氧、碳杂质会对材料的性能产生怎样（有害、有利）的影响？ 答：直拉硅中的氧主要来自于拉晶过程中熔硅对石英坩埚侵蚀，其反应式为: si+sio2sio 4分有利作用：4分由于硅中氧的存在而带来的好处也有报导， 如能避免由于热应力产生的位错增殖。换句话说，由于氧的存在，多少能使硅点阵坚固些。另一个例子是SiO2沉淀吸除杂质或缺陷。由于采用了SiO2沉淀体浓度高的硅片作衬底，因而能长出高质最的外延层。这就是所说的本征吸收。有害作用：4分a. 氧施主的形成 氧施主可以改变硅片电阻率及P-N结击穿电压b. 堆垛层错堆垛层错随初始氧浓度的增加而增加c. 漩涡漩涡的形成与氧分布的不均匀行有关直拉硅中的碳主要来源于拉晶过程中石英坩埚和石墨坩埚接触面反应生成的CO气体，研究者指出在c-sio2系中可能有六种反应，主要的反应是 c+ sio