课程设计（论文）-直流稳压电源的设计.doc

直 流 稳 压 电 源 的 设 计内容摘要： 随着科技的发展，电气、电子设备已经广泛的用于日常、考研、学习等各个方面。电源作为电气、电子设备必不可少的能源供应部件，需求日益增加，而且对电源的功能、稳定性等各项指标也提出了更高的要求。对电源的”研究和开发已经成为新的技术、新设备开发的重要环节，在推动科技的发展中起重要作用。本设计主要用单相桥式电路设计直流稳压电源，通过相关知识计算出各电路中各器件的参数，使电路性能达到设计要求中的电压调整率，电流调整率，纹波电压等各项指标。关键词：直流；稳压电源；桥式整流；滤波1 总方案及电路图的设计稳压电源由电源变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路四个部分组成， + 电 源 + 整 流 + 滤 波 + 稳 压 + u1 u2 u3 ui u0 _ 变压器 _ 电 路 _ 电 路 _ 电 路 _ u1 u2 u3 ui u0 0 t 0 t 0 t 0 t 0 t 图1稳压电源的组成框图及整流与稳压过程方案一：单相半波整流电路：单相半波整流简单，使用器件少，它只对交流电的一半波形整流，只要横轴上面的半波或者只要下面的半波。但由于只利用了交流电的一半波形，所以整流效率不高，而且整流电压的脉动较大，无滤波电路时，整流电压的直流分量较小，vo=0.45vi，变压器的利用率低。 图2单相半波整流电路 方案二：单相全波整流电路：使用的整流器件较半波整流时多一倍，整流电压脉动较小，比半波整流小一半。无滤波电路时的输出电压vo=0.9vi，变压器的利用率比半波整流时高。变压器二次绕组需中心抽头。整流器件所承受的反向电压较高。 图3单相全波整流电路 方案三：单相桥式整流电路：使用的整流器件较全波整流时多一倍，整流电压脉动与全波整流相同，每个器件所承受的反向电压为电源电压峰值，变压器利用率较全波整流电路高。图4单相桥式整流电路综合3种方案的优缺点:决定选用方案三。二、单元电路设计与参数计算整流电路采用桥式整流电路，电路如图2所示。在u2的正半周内，二极管d1、d2导通，d3、d4截止；u2的负半周内，d3、d4导通，d1、d2截止。正负半周内部都有电流流过的负载电阻rl，且方向是一致的。电路的输出波形如图3所示。图5整流电路图6输出波形图在桥式整流电路中，每个二极管都只在半个周期内导电，所以流过每个二极管的平均电流等于输出电流的平均值的一半，即 。电路中的每只二极管承受的最大反向电压为(u2是变压器副边电压有效值)。在设计中，常利用电容器两端的电压不能突变和流过电感器的电流不能突变的特点，将电容器和负载电容并联或电容器与负载电阻串联，以达到使输出波形基本平滑的目的。选择电容滤波电路后，直流输出电压：uo1=(1.11.2)u2，直流输出电流： （i2是变压器副边电流的有效值。），稳压电路可选集成三端稳压器电路。总体原理电路见图7。图7稳压电路原理图21选择集成三端稳压器因为要求输出电压可调，所以选择三端可调式集成稳压器。可调式集成稳压器，常见主要有cw317、cw337、lm317、lm337。317系列稳压器输出连续可调的正电压，337系列稳压器输出连可调的负电压，可调范围为1.2v37v， 最大输出电流为1.5a。稳压内部含有过流、过热保护电路，具有安全可靠，性能优良、不易损坏、使用方便等优点。其电压调整率和电流调整率均优于固定式集成稳压构成的可调电压稳压电源。lm317系列和lm337系列的引脚功能相同，管脚图和典型电路如图8和图9.图8管脚 图9典型电路输出电压表达式为:公式上下标要注意式中，1.25是集成稳压块输出端与调整端之间的固有参考电压，此电压加于给定电阻两端，将产生一个恒定电流通过输出电压调节电位器，电阻常取值，在这里，因为只买到10k的电位器，再串联一个r2，根据lm317输出电压表达式，取：r1=2.2k,r2=2k。我们一般使用精密电位器，与其并联的电容器c可进一步减小输出电压的纹波。图？中加入了二极管d，用于防止输出端短路时10f大电容放电倒灌入三端稳压器而被损坏。lm317其特性参数：输出电压可调范围：1.2v37v输出负载电流：1.5a输入与输出工作压差u=ui-uo：340v能满足设计要求,故选用lm317组成稳压电路。22选择电源变压器 电源变压器的作用是将来自电网的220v交流电压u1变换为整流电路所需要的交流电压u2。电源变压器的效率为：其中：是变压器副边的功率，是变压器原边的功率。一般小型变压器的效率如表1所示：表1 小型变压器的效率 副边功率10va10 30va10 80va80 200va 效率0.60.70.80.85 因此，当算出了副边功率后，就可以根据上表算出原边功率。由于lm317的输入电压与输出电压差的最小值，输入电压与输出电压差的最大值，故lm317的输入电压范围为： 即 ， 取 变压器副边电流： ，取，因此，变压器副边输出功率： 由于变压器的效率，所以变压器原边输入功率，为留有余地，选用功率为的变压器。23选用整流二极管和滤波电容由于：，。in4001的反向击穿电压，额定工作电流，故整流二极管选用in4001。24滤波电容根据 ，和公式可求得： 所以，滤波电容： 电容的耐压要大于，故滤波电容c取容量为，耐压为的电解电容。三、总原理图及元器件清单1总原理图、pcb？图图10总原理图 元件清单元件序列型号元件参数值数量ji变压器12v1d1 d2 d3 d4 d5 d6二极管1n4001，1a6d7发光二极管1fush熔断丝1a1c1 c2电解电容4700uf/25v2c5电解电容01uf1c9电解电容1uf/25v1c7电解电容10uf/25v1sw开关1r3电阻22k1r4电阻1k1r1电阻2k1r2电位器10k1u三稳压器lm317可调范围1.2v37v1四、安装与调试(使用multisim 调试) 按pcb？图所示，制作好电路板。安装时，先安装比较小的元件，所以先安装整流电路，再安装稳压电路，最后再装上滤波电路（电容）。安装时要注意，二极管和电解电容的极性不要接反。经检查无误后，才将电源变压器与整流滤波电路连接，通电后，用万用表检查整流后输出lm317输入端电压ui的极性，若ui的极性为负，则说明整流电路没有接对，此时若接入稳压电路， 就会损坏集成稳压器。然后接通电源，调节rw的值，若输出电压满足设计指标，说明稳压电源中各级电路都能正常工作，此时就可以进行各项指标的测试。因在multisim没有lm317元件，故用同一系列的lm117代替。电位器r2最大值时，u=9.02v电位器r2最小值时，u=2.96v 五、性能测试与分析1输出电压与最大输出电流的测试测试电路如图5所示。一般情 自耦变压器 io 电流表况下，稳压器正常工作时，其输出 被测 i电流要小于最大输出电流， 稳压 v 电压表 rl取，可算出rl=20， 电路 工作时上消耗的功率为： 图11 稳压电源性能指标的测试电路箭头故取额定功率为10w，阻值为 20的电位器。测试时，先使，交流输入电压为220v，用数字电压表测量的电压值就是uo。然后慢慢调小，直到uo的值下降5%，此时流经的电流就是，记下后，要马上调大的值，以减小稳压器的功耗。uo下降5%（8.332v）时，io=846.644ma,即iomax=io.2纹波电压的测试 用示波器观察uo的峰峰值，（此时y通道输入信号采用交流耦合ac），测量uop-p的值（约几mv）。 由示波器得出：uop-p=106。845uv3稳压系数的测量 按图5所示连接电路， 在时，测出稳压电源的输出电压uo。然后调节自耦变压器使输入电压，测出稳压电源对应的输出电压uo1 ；再调节自耦变压器使输入电压，测出稳压电源的输出电压uo2。则稳压系数为： 因为，在本调试中，无法得到自耦变压器，所以只能把电压归算到降压器的输出电压(ui):u1=198v, ui=10.8vu1=220v, ui=12.0vu1=242v, ui=13.2v ui=12时，uo=8.726v ui=10.8v时，uo=8.72v ui=13.2v时，uo=8.740v所以，稳压系数：=0.0022什么表?设计要求测试结果误差分析uo=+3v+9v2.983v 9.088v 0.01%iomax=800ma846.644ma0.05%vop_p5mv106。845uv106845uv 5mvsv0.00222%在允许的误差范围内，本设计已达到要求六、结论在实际做成的电路板中,由于买不到等值参数的元件，测量出来的性能指标参数难免会有一定的误差,对元件封装的不了解，也造成了铜板的浪费。第一次做成的板子，由于没有注意到protel给出的lm317的原理图管脚，花费了大量的时间去调试。正确的管脚为:1脚为调整，2脚为输出，3脚为输入。焊板的时候，不要对着3d来焊，应以pcb为基准。3d图虽然形象的把电路板模拟出来了，但与实物还有有很大的差别的，特别是二极管，电解电容，极性错乱，而且有很多图没有样板。还有，12v的变压器输入的电压会比12v高一些的。虽然输出电压增加或减少由lm317的调整脚上的串联电位器（r2）来控制，但是并联在lm317调整脚和输出脚上的电阻r1也可改变输出电压的最小值。本次的课程设计，培养了我们综合应用课本理论解决实际问题的能力；我觉得课程设计对我们的帮助是很大的，它需要我们将学过的理论知识与实际系统地联系起来，加强我们对学过的知识的实际应用能力！在设计的过程中还培养出了我们的团队精神，同学们共同协作，解决了许多个人无法解决的问题；在今后的学习过程中我们会更加努力和团结。但是由于水平有限，我们的课程设计难免会有一些错误和误差，还望老师批评指正。七、参考文献 1 华成英 童诗白 ，模拟电子技术基础， 北京 ，高等教育出版社，20062 陈大钦 ，电子技术基础实验，北京，华中理工