2015模电总复习题

一、单选题(每题 1 分)1. 半导体的导电阻率为 。A 108m，C 介于 10-6108m， D 1010m2. 本征激发是指 现象。A 价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B 价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C 价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的4. P(N)型半导体是在本征半导体硅 (或锗)中掺入少量的 而获得的杂质半导体。A 二价元素，B 三价元素， C 四价元素，D 五价元素 ()5. 模拟信号是指 的信号。A 时间连续，B 数值连续，C 时间和数值都连续， D 时间和数值都不连续6. 放大电路放大倍数是指 。A 输出信号与输入信号的比值，B 输入信号与输出信号的比值，C 输出电压与输入电流的比值，D 输出电流与输入电压的比值。7. 某放大电路的电压增益为 60dB，则该电路的电压放大倍数为 倍。A 10 ，B 102 ，C 103，D 1048. 放大电路中的非线性失真是有 引起的。A 电抗元件，B 放大元器件的非线性， C 非电抗元件，D 输入信号的失真。9. PN 结雪崩击穿主要主要发生在 情况下。A PN 结反偏较低，B PN 结正偏电压较高，C PN 结反偏较高， D PN 结正偏电压较低。10. PN 结齐纳击穿主要主要发生在 情况下。A PN 结反偏较低， B PN 结正偏电压较高，C PN 结反偏较高，D PN 结正偏电压较低。11. 锗( 硅) 晶体二极管的正常工作电压约为 。A 0.7V， ()B 0.5V， C 0.1V， D 0.2V。 12. 晶体三极管工作在放大( 饱和、截止)状态的外部条件为 。A. 发射结正偏，集电结反偏， B. 发射结反偏，集电结正偏，C. 发射结正偏，集电结正偏， (饱)D. 发射结反偏，集电结反偏。 (截)13. PNJ 雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。A 5V 以下，B 81000V，C 58V， D 10500V。14. 硅( 锗) 晶体二极管的门坎电压( 又称为死区电压)为 。A 0.7V， B 0.5V， C 0.1V， ()D 0.2V。15. 对于低频小功率晶体管的基区体电阻 rb，通常情况下为 。A. 200 B. 100 C. 150 D. 300 16. 当温度升高 1oC 时，晶体管的参数 VBE 将增大 。A. (22.5)mV， B. (22.5)mV，C. (11.5)mV， D. (11.5)mV17. 当温度升高 1oC 时，晶体管的参数 将增大 。A. 0.5%，B. 0.5%1.0%， C. 0.5%2.0%，D. 1.0%2.0% 18. 三极管的电流分配关系为 。A. IEIC+I B B. IEIC IBC. ICIBIED. IB IC IE19. 晶体三极管放大作用的实质是 。A. 把微弱的电信号加以放大，B. 以弱电流控制强电流，C. 以强电流控制弱电流，D. 以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。 20. 多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数 。A. 的乘积， B. 的和， C. 的差，D. 相除的商。21. 多级放大电路的频率特性( 响应)随着级数的增加而 。A. 变宽， B. 变窄， C. 变大，D. 变小。22. fH (fL)称为放大电路的 。A. 截止频率，B. 上限频率， C. 下限频率， ()D. 特征频率。23. f(fT)称为共发射极 。A. 截止频率， B. 上限频率， C. 下限频率， D. 特征频率。 ()24. BJT(FET)又称为 。A. 单极型晶体管， ()B.双极型晶体管， C.电子型晶体管，D.空穴型晶体管。 26. 互补对称功率放大电路 BJT 工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略 VCES 时的效率约为 。A. 30%，B. 78.5%， C. 60%，D. 85%。27. 甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生 。A. 交越失真， B. 线性失真，C. 频率失真， D. 相位失真。28. 甲乙( 甲、乙) 类功放电路晶体管的导通角 为 。A. 2 ， ( 甲)B. ， (乙)C. 1，B. AF Ri )时，信号源 C 使用 更为有利。A. 电压源， B. 分压电路，C. 电流源， D. 集成运放。48. 测得某放大电路中 BJT 的三个电极 A、B、C 的对地电压分别为 VA9V，VB6V，VC6.2V，则 A ，该管 D 。A： A 为集电极，B 为发射极，C 基极；B： A 为发射极， B 为集电极， C 基极；C： A 为集电极， B 基极；C 为发射极，D: 为 PNP 管E: 为 NPN 管49. 某放大电路中 BJT 三个电极 A、B、C 的电流如图所示，用万用表电流档测得 IA2mA，IB0.04mA ，IC +2.04mA ，该管为 B ，其中 E 。A: 为 PNP 管 B: 为 NPN 管C ：A 为集电极， B 为发射极， C 基极；D：A 为发射极，B 为集电极，C 基极；E ：A 为集电极， B 基极；C 为发射极，三、判断题(每题 2 分，共 20 分)50. 晶体二极管正向工作时也具有稳压作用。 ()51.晶体二极管正向工作时没有稳压作用。 ()52. 图 a 所示电路对正弦交流信号有放大作用。 ()53. 图 a 所示电路对正弦交流信号无放大作用。 ()54. 图 b 所示电路对正弦交流信号有放大作用。 () 55. 图 b 所示电路对正弦交流信号无放大作用。 ()56. 晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后不可以恢复。()57.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后可以恢复。 ()58.微变等效电路即可以分析放大电路的静态,也可以分析动态。 ( ( ) 59.微变等效电路仅能分析放大电路的动态，不可以分析静态,。60. 图 1 所示电路无直流负反馈。 ()61. 图 1 所示电路有直流负反馈。 ()62. 图 1 所示电路有交流负反馈。 ()63. 图 1 所示电路无交流负反馈。 ()64. 图 2 所示电路级间为交直流电压并联负反馈电路。 ( )65. 图 2 所示电路级间为交流电压并联负反馈电路。 ( )66. 图 2 所示电路级间为交直流电压串联负反馈电路。 ( )67. 图 2 所示电路级间为交流电压串联负反馈电路。 ( )68. 图 3 所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 ()69. 图 3 所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 ()70. 图 3 所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 ()71. 图 3 所示电路为交流电流串联负反馈电路。 ()72. 图 4 所示电路为交直流电压并联负反馈电路。 ()73. 图 4 所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 ()74. 图 4 所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 ()75. 图 4 所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 ()76. 图 5 所示电路为桥式振荡电路。)77. 图 5 所示电路为电容三点式振荡电路。 ()78. 图 5 所示电路为电感三点式振荡电路。 ()79. 图 5 所示电路为 RC 振荡电路。()80. 图 6 所示电路为桥式振荡电路。)81. 图 6 所示电路为电容三点式振荡电路。 ()82. 图 6 所示电路为电感三点式振荡电路。 ()83. 图 6 所示电路为 RC 移相振荡电路。)84. 图 7 所示电路能产生正弦振荡。 ()85. 图 7 所示电路不能产生正弦振荡。()86. 图 8 所示电路能产生正弦振荡。()87. 图 8 所示电路不能产生正弦振荡。()88. 集成运放的两个重要特征是虚短和虚断。 ()89. 集成运放的两个重要特征是短路和断路。 ()90. 三端稳压器 7812 表示输出的是正 12V 的直流电压。 ()91. 三端稳压器 7812 表示输出的是负 12V 的直流电压。 ()92. 三端稳压器 7915 表示输出的是正 15V 的直流电压。 ()93. 三端稳压器 7915 表示输出的是负 15V 的直流电压。 ()94. 并联负反馈提高输入电阻。()95. 并联负反馈降低输入电阻。()96. 串联负反馈降低输入电阻。()97. 串联负反馈提高输入电阻。()9