模拟电路复习题原

1、一、单选题(每题1分，共30分)1.半导体的导电阻率为。A108mC介于10-6108mD 1010m2.本征激发是指现象。A价电子从外界获得足够能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的B价电子依靠本身的运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的C价电子依靠互相的碰撞增加运动能量而挣脱共价键束缚而变为自由电子的3. 空穴的导电机理是。A电子的接力运动B空穴在电场作用下的定向运动C空穴的接力运动D杂质粒子在电场作用下的定向运动4.P(N)型半导体是在本征半导体硅(或锗)中掺入少量的而获得的杂质半导体。A二价元素B三价元素C四价元素D五价元素5.模拟信号是指的信号。A时间连续B数值连续，C时间和数值都连

2、续D时间和数值都不连续6.放大电路放大倍数是指。A输出信号与输入信号的比值B输入信号与输出信号的比值C输出电压与输入电流的比值D输出电流与输入电压的比值7.某放大电路的电压增益为60dB，则该电路的电压放大倍数为倍。A10B102C103D1048.放大电路中的非线性失真是有 引起的。A电抗元件B放大元器件的非线性C非电抗元件D输入信号的失真9.PN结雪崩击穿主要主要发生在 情况下。APN结反偏较低BPN结正偏电压较高CPN结反偏较高DPN结正偏电压较低10.PN结齐纳击穿主要主要发生在 情况下。APN结反偏较低BPN结正偏电压较高CPN结反偏较高DPN结正偏电压较低11.锗(硅)晶体二极管的

3、正常工作电压约为 。A0.7VB0.5VC0.1VD0.2V12.晶体三极管工作在放大(饱和、截止)状态的外部条件为。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结正偏D.发射结反偏，集电结反偏13.PNJ雪崩击穿和齐纳击穿同时出现在反偏电压为 。A5V以下B81000VC58VD10500V14.硅(锗)晶体二极管的门坎电压(又称为死区电压)为 。A0.7VB0.5VC0.1VD0.2V15.对于低频小功率晶体管的基区体电阻rb，通常情况下为 。A.200B.100C.150D.30016.当温度升高1oC时，晶体管的参数UBE将增大。A.(22.5)mVB.(2

4、2.5)mVC.(11.5)mVD.(11.5)mV17.当温度升高1oC时，晶体管的参数将增大。A.0.5%B.0.5%1.0%C.0.5%2.0%D.1.0%2.0% 18.三极管的电流分配关系为。A.IEIC+I BB.IEICIBC.ICIBIED.IBICIE19.晶体三极管放大作用的实质是 。A.把微弱的电信号加以放大B.以弱电流控制强电流C.以强电流控制弱电流D.以弱电流控制强电流，把直流电能转换为交流电能。20.多级放大电路总的放大倍数等于各级放大倍数 。A.的乘积B.的和C.的差D.相除的商21.多级放大电路的频率特性(响应)随着级数的增加而 。A.变宽B.变窄C.变大D.变

5、小22.fH (fL)称为放大电路的 。A.截止频率B.上限频率C.下限频率D.特征频率23. f(fT)称为共发射极 。A.截止频率B.上限频率C.下限频率D.特征频率 24. BJT(FET)又称为 。A.单极型晶体管B.双极型晶体管C.电子型晶体管D.空穴型晶体管 25.互补对称功率放大电路工作在乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率为 。A. 30%B. 78.5%C. 60%D. 85%26.互补对称功率放大电路BJT工作在甲乙类、负载电阻为理想值，忽略UCES时的效率约为 。A.30%B.78.5%C.60%D.85%27.甲乙类互补对称功率放大电路当工作点不合适时，将产生

6、。A. 交越失真B. 线性失真C. 频率失真D. 相位失真28.甲乙(甲、乙)类功放电路晶体管的导通角为 。A. = 2B. = C.2D.1B. AF 1C. AF 1D. AF 033.在电源电压不变的情况下，提高OTL功率放大电路输出功率的有效方法是 。A.加接自举电路B.改变工作状态C.降低静态工作点D.提高静态工作点34.正弦波电压信号的数学表达式是 。A u(t)C，BCD35.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 。A . UAO6V，二极管处于正偏导通状态B. UAO12V，二极管处于反偏截止状态C. UAO6V，二极管处于反偏截止状态D. UAO12V，二极管处于正偏导通状

7、态36.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 。A. UAO15V，二极管处于正偏导通状态。B. UAO12V，二极管处于反偏截止状态。C. UAO15V，二极管处于反偏截止状态。D. UAO12V，二极管处于正偏导通状态。37.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 。A. UAO12V，D1正偏导通， D2反偏截止B. UAO15V，D1反偏截止， D2正偏导通C. UAO0V，D1正偏导通， D2反偏截止D. UAO0V，。D2正偏导通， D1反偏截止38.如图所示，设二极管是理想二极管，该电路 。A. UAO12V，D1正偏导通， D2反偏截止B. UAO12V，D1反偏截止， D2

8、正偏导通C. UAO 6V ，D1正偏导通， D2反偏截止D. UAO6V， D1反偏截止， D2正偏导通39.有两个BJT，其中一个管子的 150，ICEO200 A,另一个管子的 50，ICEO10 A，其它参数一样，你选 。A. 150，ICEO200 A的管子B. 50，ICEO10 A的管子二、多选题(每空1分，共20分)40.桥式整流输出电压与电源变压器次级电压的关系为 ，电容滤波电路输出电压与电源变压器次级电压的关系为 。A.UL0.9U2 B.UL1.0U2C.UL1.2U2 D.UL1.4U241.给乙类互补对称功率放大电路 ，可消除 。A.加一放大电路 B.加一很大的集电极

9、电流C.加一衰减电路 D.加一合适的静态工作点E.交越失真 F.线性失真G.频率失真 H.相位失真42.晶体三极管内部载流子的运动规律为_、_、_A. 基区向发射区注入载流子B. 发射区向基区注入载流子C. 集电区收集载流子D. 非平衡载流子在基区的扩散与复合E. 发射区收集载流子F. 载流子在发射区的扩散与复合43.BJT的制造工艺特点为:_、_、_A. e区掺杂浓度最高B.e区掺杂浓度最低C.c区掺杂浓度适中D.b区掺杂浓度最低且最薄E.c区掺杂浓度最高F.b区掺杂浓度最高且最薄44.PNJ的单向导电性表现为:_、_APNJ反偏导通BPNJ正偏导通CPNJ反偏截止DPNJ正偏截止 45.P

10、N结又称为_、_、_A空间电荷区B电阻层，C耗尽层D电位区，E势垒区F扩散区。46.PN结的形成过程是:_、_、_。A. 少子的漂移运动B. 多子的扩散运动C.多子与少子的相互作用D. 少子的扩散运动E. 多子的漂移运动，F. 多子的扩散与少子的漂移运动达到动态平衡。G.多子的漂移与少子的扩散运动达到动态平衡。47.一般情况下，当信号源内阻远远小于放大电路输入电阻(即RsRi )时，信号源_使用 更为有利。A. 电压源B. 分压电路C. 电流源D. 集成运放48.测得某放大电路中BJT的三个电极A、B、C的对地电压分别为UA9V，UB6V，UC6.2V，则_，该管_。A.A为集电极，B为发射极

11、，C基极B.A为发射极，B为集电极，C基极C.A为集电极，B基极；C为发射极D. 为PNP管E.为NPN管49.某放大电路中BJT三个电极A、B、C的电流如图所示，用万用表电流档测得IA2mA，IB0.04mA，IC+2.04mA，该管为_，其中_。A. 为PNP管 B. 为NPN管C. A为集电极，B为发射极，C基极D. A为发射极，B为集电极，C基极E. A为集电极，B基极；C为发射极三、判断题(每题2分，共20分)50.晶体二极管正向工作时也具有稳压作用。 ()51.晶体二极管正向工作时没有稳压作用。 ()52.图a所示电路对正弦交流信号有放大作用。 ()53.图a所示电路对正弦交流信号

12、无放大作用。 ()54.图b所示电路对正弦交流信号有放大作用。 () 55. 图b所示电路对正弦交流信号无放大作用。 ()56.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后不可以恢复。 ()57.晶体三极管发生电击穿，当把电源关闭后可以恢复。 ()58.微变等效电路即可以分析放大电路的静态,也可以分析动态。 ()59.微变等效电路仅能分析放大电路的动态，不可以分析静态。 ()60.图1所示电路无直流负反馈。 ()61. 图1所示电路有直流负反馈。 ()62.图1所示电路有交流负反馈。 ()63.图1所示电路无交流负反馈。 ()64.图2所示电路级间为交直流电压并联负反馈电路。 ()65.图2所示电路级

13、间为交流电压并联负反馈电路。 ()66.图2所示电路级间为交直流电压串联负反馈电路。 ()67.图2所示电路级间为交流电压串联负反馈电路。 ()68.图3所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 ()69. 图3所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 ()70. 图3所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 ()71. 图3所示电路为交流电流串联负反馈电路。 ()72.图4所示电路为交直流电压并联负反馈电路。 ()73.图4所示电路为交直流电流并联负反馈电路。 ()74.图4所示电路为交直流电压串联负反馈电路。 ()75.图4所示电路为交直流电流串联负反馈电路。 ()76.图5所示电路为桥式振荡电路。

14、()77.图5所示电路为电容三点式振荡电路。 ()78.图5所示电路为电感三点式振荡电路。 ()79.图5所示电路为RC振荡电路。 ()80.图6所示电路为桥式振荡电路。 ()81.图6所示电路为电容三点式振荡电路。 ()82.图6所示电路为电感三点式振荡电路。 ()83.图6所示电路为RC移相振荡电路。 ()84.图7所示电路能产生正弦振荡。 ()85.图7所示电路不能产生正弦振荡。 ()86.图8所示电路能产生正弦振荡。 ()87.图8所示电路不能产生正弦振荡。 ()88.集成运放的两个重要特征是虚短和虚断。 ()89.集成运放的两个重要特征是短路和断路。 ()90.三端稳压器7812表示

15、输出的是正12V的直流电压。 ()91.三端稳压器7812表示输出的是负12V的直流电压。 ()92.三端稳压器7915表示输出的是正15V的直流电压。 ()93.三端稳压器7915表示输出的是负15V的直流电压。 ()94. 并联负反馈提高输入电阻。 ()95. 并联负反馈降低输入电阻。 ()96. 串联负反馈降低输入电阻。 ()97. 串联负反馈提高输入电阻。 ()98. 电压负反馈降低输出电阻。 ()99. 电压负反馈提高输出电阻。 ()100. 电流负反馈提高输出电阻。 ()101. 电流负反馈降低输出电阻。 ()四、作图题(每小题5分，共10分)102.请画出图9所示电路的交流通路。

16、103.请画出图9所示电路的直流通路。104.请画出图9所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。当hre、hoe很小时，对电路的影响可忽略不计，用rbe代替hie， 代替hfe， H参数等效电路可以简化为微变等效电路。105.请画出图10所示电路的交流通路。106.请画出图10所示电路的直流通路。107.请画出图10所示电路的h参数等效电路，说明简化的条件，并画出微变等效电路。当hre、hoe很小时，对电路的影响可忽略不计，用rbe代替hie， 代替hfe， H参数等效电路可以简化为微变等效电路。五、计算题(共15分)108.如图9所示，Rb500k，Rc4k，VCC12V，80，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。(6分)解：109.假设晶体管的50，Rc RL4k ,rbe1.2k，计算图10所示电路的电压放大倍数，输入电阻，输出电阻。(6分)解：110.如图11所示，假设Rb185k，Rb225k，Re2k，RcRL4k，VCC21V，50，VBE0.7V，试计算电路的静态工作点。(8分)111.假 设 图 1 2 晶 体 管 的 50， RcRL4k，