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文档简介

10 宽禁带半导体材料 Eg2.3eV SiC, 金刚石,II族氧化物, II族硫化物,II族硒化物,第三族氮化物. SiC, GaN,第三族氮化物. 禁带,热导,介电,电子漂移速度-适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路。 禁带宽度:发光,探光器-蓝光、绿光、紫外。,10.2GaN,AlN的晶体结构与能带,作业： 1.自我复习： a.金刚石型结构 ； b.共有化运动,允带，禁带； c.自由电子能谱，简约的布里渊区，波矢为简约波矢； d.金刚石第一布里渊区； e.导体，半导体、绝缘体的能带 ； f.有效质量与能带势场，外力-电子的加速度； g.本征半导体的导电机构； h.空穴回旋共振与有效质量； i.硅和锗的导带价带结构； j.间接带隙半导体，半金属或零带隙，窄带半导体,宽禁带半导体。,

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