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文档简介
1、光刻基本操作,一、认真核对随工单,检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符,如果正确,将其倒入黑盒中,用倒边器检查片子是否有崩边,若有则查对随工单上是否有标明,若无,退回上步工序。确定无误后,按照随工单上的要求制作。二、光刻的主要步骤:匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查,匀胶:,目的:在硅片表面均匀涂上一层厚度一定的光刻胶准备工作:、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片、检查胶瓶内光刻胶(胶液面距瓶底5厘米,及时更换新胶,并填写“换胶记录表”)、按随工单加工工步、匀胶程序确定表,选择正确的匀胶程序,注意:在匀胶过程中,如发生不明原因的报警应通知设备人员;停用5分钟以上应先匀3个陪片,方可进行正式片的匀胶,前
2、烘,目的:将涂在硅片表面的胶內溶剂充分挥发,增强抗显影能力主要步骤:、将匀完胶的硅片从黑色的片架中倒入白色的四氟片架中、将硅片放入烘箱中,负胶烘15分钟,正胶25分钟、将烘好的硅片取出,倒入黑色聚乙烯片架中注意:操作时必须带上手套操作,曝光,目的:将掩膜版上的图形复印到硅片上主要步骤:、检查光刻版:将光刻版放在UV灯下检查,照射背面检查是否有颗粒,若有用氮气吹掉,切忌不要吹正面、装版:将版盒打开,开口方向背对自己,将光刻版正面朝下,箭头朝左下方,扣上版盒,准备曝光,、上版与对版:RTLDRCHG/NFILENAME=C:MK609-RETICLENAME=M2EXECUTE?,X,Y,、曝光操
3、作:FEXPPRNT/IO。PARAMETERCHECKCOMPLETE(YORN)=_N_找到EXP.TIME=按“空格”修改曝光时间(见下页“曝光时间确定表”)HOWMANYWAFERS=_1_待片子上到载片台后,手动对准标记进行曝光,显影,检验,确认无误后,对硅片继续进行曝光,一次曝光为NEXP,曝光时间确定表,目的:将未感光部分的负性光刻胶溶除,留下感光部分的胶膜;将感光部分的正性光刻胶除,留下未感光部分的胶膜注意事项:、检查N2压力不低于22PSI,真空压力必须大于22或23Hg/cm2,显影液压力调制15PSI、检查显影液是否够,若不够,要及时添加、机器若出现故障,及时通知班长或技术员,显影,注意:氧化层光刻后带胶注入的片子一定要走热盘,目的:确定光刻胶成像情况及表面情况是否符合要求,以确定能否进行下道工序基本步骤:、UV灯下检查光刻胶是否有划伤、沾污或覆盖不完全的情况、显微镜下检查是否没有光刻胶图形、重复曝光、浮胶、图形套偏(错行,错位)、接触不良、曝光不适度、光刻胶覆盖不完全、显影不彻底、连条、沾污、缺口、毛刺等现象,显影后检查,思考题1、匀正式片之前为什么要
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