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第二章逻辑代数理论与电路实现2.2逻辑运算的电路实现

主讲人：黄丽亚=AB一、二极管构成的门电路假设二极管为理想二极管0V逻辑03V逻辑13V0ABF12V=A+B3V0ABF二极管与门电路二极管或门电路二、三极管开关特性(1)截止条件：e结反偏，c结反偏(2)饱和条件：e结正偏，c结正偏；

在数字电路中，只利用截止区（关态）和饱和区（开态）。二、三极管开关特性2.2.1MOS管的开关特性SGDN＋N＋P型硅衬底绝缘层(SiO2)衬底引线B半导体金属电极N沟道增强型MOSFET结构示意图(EnhancementNMOSFET)iD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击2.2.1MOS管的开关特性MOS管导通MOS管截止截止区：靠近源极S和漏极D处的沟道均夹断。可变电阻区：靠近源极S和漏极D的沟道均未夹断恒流区：靠近源极S处沟道未夹断，漏极D处夹断SGDiD0uDSUGS＝6V截止区4V3V2V5V可变电阻区恒流区区穿击2

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