200MW山东光伏项目可行性报告

第一 第一节200MW太阳能光伏建设项目二、承办单位xxxxxxxxx四、拟建地点 第二节2(2005年本第三节项目的建设规模是年产200MW组件（MODULE，中间产品为（AFER，25MW项目选址在xxxxxxxxxxxx。采用R13450-1型多晶硅铸锭炉，它采用先进的多晶硅定向凝固技术，将硅料高温熔融后通过特殊工艺定向冷凝结晶,本项目拟建在xxxxxxxxxx125640118581624153870386085387025000332888322万元。28.40%。 单晶硅片/万元/万元/第二 项目提出的背景及必要第一节80万千瓦，0.1%5%，每年发电量可达（2）（3）（4）世界不少发达国家在可再生能源规划中，均重点考虑太阳能电池发1202016%。20079月30202018025%2020年，我国新能源发电2070120其中技术进步是降低光伏发电成本、促进光伏产业和市场发展的重要因穷、恐怖主义及战争、疾病、教育、民主和人口）之首。2006年全球人6514.5TW220×106BOE；205090～100GDP60TW450×106BOE～900×106BOE，届时主要靠可再生能源来解决。可是，世界上潜在水能资源4.6TW，经济可开发Science报告.2005.4）因此太阳能是替代潜力最大的可再生能源技术，在30％以上，太阳能光伏发电在世界总电能光伏发电将占总电力的20%以上；到本世纪末可再生能源在能源结构30%的速度增长，2005139MW2004年猛1180MW345125倍而第二节200611日起施行的《中华人民共和国可再生能源法》规定：发展的优先领域…….第十七条国家鼓励单位和个人安装和使用太阳能200795日国家发改委颁布的《可再生能源中长期发展规划》200629日，国务院《国家中长期科学和技术发展规划纲要》(2005年本)界的平均水平，大约只有世界总储量的10%，要增加能源供应、保障能里。有着丰富的太阳能资源。全国各地的年太阳辐射总量为928－2333KWh/m2，中值为1626kWh/m2。中国绝大多数地区年平均日辐射量4kWh/m2.7kWh/m2.天。与同纬度的其它国家相2/3以上UL，IEC和TUV的国际认证。第三 市场分析与建设规第一节1019974000.05MWp52002536.8MWp20074000.05MWp，年49.52004年德国实施了经过修订的“上短缺。尽管如此，20062007年太阳能电池/组件的年增长率仍然分别42.956.2%。2006年按照光伏电池产量大小依次为：日本、德国、中国、美国、中国台湾、欧洲其他、亚洲其他和世界其余国家。2007年，中国可再生1088MWp2006200765%。主要在中国大陆、中国台湾和日本。2006年日本、中国大陆和中国台湾36.23％、17.1%6.62%2007年中27.2％、9.2%23％。从产量来看，我国已经成为太阳能电池的第一生产国。表 20062007265219308。从中不难看出光伏产品的主要流向以及世界不同国家和地区光伏市场的oarzz.年度V27066226p2718已经连续三年为世界之首，西班牙安装了6p，为世界第二，日本2p572p表 20201％，2040EPIA2020年世界太阳能光伏组件年产量将达40GWp195GWp274TWh，占全球发5是美、欧、日及预测的世界光伏发电路线图（累计光伏系统安装量）。2020200GWp，其中美、65表 452007MichaelRogol等人根据最近两年的发展情况对未来5均系统安装价格做出了最新预测（solarAnnual2007）722010/15GWp5年前路线图（5）2010年的累计14GWp还多。这些信息使我们对未来形势估计有很大参考意义。从图2的预测中可以看出，薄膜电池产量逐年增加，2010年达到2p11p的3太阳级硅材料的短缺和薄膜电池产业化技术渐趋成熟无疑会促进薄膜电274p5p20）表 光伏发电未来5年（2007－2011）的预测（solarAnnual 未来5年光伏产业发展预测（solarAnnual第二节170h/一个人口大国，以煤炭为主的传统资源人均能源资源不足世界水平的一3000030620202007年，91.25％，因此制造晶硅电池的基本材料－太2004年以来世界范围内多晶硅10家生产商手中。2004－20072008－2015年的预测产量，根据预测，2010201512万吨和40MWp电池硅材料用量的逐渐减少，2010年后太阳级硅材料会逐渐满足光伏产业发展的需求。2004－20072008－2015solarAnnual2007展迅速。20071130吨（20吨），至此，2006－20092007－2010年期间建成投产。其中江西赛维LDK正在建立世界上最大的多晶硅锭/240014400吨/230140001200010000体8000产6000单晶硅锭多晶硅锭，4000140001200010000体8000产6000单晶硅锭多晶硅锭，40002000387403 2001200220032004200520062007在世界光伏市场的强力拉动下，2006、2007年中国太阳能电池产业仍然保持着快速增长势头。据统计，2006年我国太阳能电池产量为438MWp12MWp426MWp；2007年太阳能1088MWp28.3MWp2006、2007201148.1%，显示太阳能电2000－2007438MWp17.1%，超过美国（179.6MWp），成为继日本（926.9MWp）和欧洲(680.3MWp)之后的第三大太阳能电池生产国，2007年中国太阳能电池产来多晶硅材料紧缺更加促进了薄膜电池产业发展。2004年以前中国薄膜2080MWp。2006、200712MWp28.3MWp。1717MWp438MWp1088MWp2006、2007年分别从国外净进口283MWp629MWp64.6％和2007200638元/Wp32元/Wp1025美元/kg以下（2003年水平中国光伏市场发展总体上与时俱进，稳步发展。2007年中国光伏系统的安装量总计约20MWp，仅为当年太阳能电池生产量1088MWp的100MWp(约相当于世界累计安装量的不足197620~302005年，中国可再生能源（不含传统生物质能利用）中国政府重视可再生能源的发展。2007831日，国家发改委正；200833日又发布了《可再生能源发展“十一五”（发改能源200520102020200520102020注：11300小时计算；2第三节2011年美国有望成为仅次于根据我国政府的发展规划，2015～2020年后中国将迎来光伏市场的图表21世纪得到长足发展，并在世界能源结构调整中占据重要位置。从现状及PV行业主流分析公司的预测看，2010年供求缺口大3～5年。从产业及市场分析看目前面临的投资风险主要有以下几点：2007200～300美金，200960-7050美金1800050美元/kg左右。考虑技术发展因素，届时光伏发电成本有望与传统发电成50%70%。20元／Ｗｐ。补助资金支持的单项工程应用太阳能光电产品装机容166伏发电系统的研究，制造和销售。20011月由澳大利亚归国博士施正容创立，20051214日，在美国纽约证券交易所上市，成为中国内地首家在纽交所上市的非国有高科技企业。2007325兆100（Q-Cell公司，2007480兆瓦，根据尚德第二个五年计划，到2012年将形成硅材料、硅基电池、硅薄膜电池、光伏组件和发电系统及5GW（5000兆瓦，销售收1000TUV，IEC，CE和UL等国际质15353、XX20064月投产，20076月在美国纽约交易所上市，2007400兆瓦，销售收入5.51.5720081100兆瓦，2009年实现200015000第四节25MW电池片及，产品都将通过UL、IEC、TUV国际认证。200125mm及以上的准方形片或方形片100MW125*125及以上<1×1018规格：125*125mm及以上25MW125156156第四 厂址选择与建设条第一节本项目场址选择在xxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxxx233300平350亩，系建设预留地，符合土地利用总体规划。1、符合规划：本工程厂址位于2、厂址位于XXXXXXXXXXXXX，对项目的原材料供应和产品销第二节XX市位于12.8℃，无霜期长206天，≥104300℃，可满足农作物的两年三熟。年平均555.965%，降水量年际变28米（大沽高程，下同11/8000~1/12000；西部1111/7000。黄河穿境而1/7000，河滩地高于背2~45种类型：古河滩高地，4.15%，主要分布于黄河决口扇面上游；河滩高地，占全3.58%，主要分布于黄河河道至大堤之间；微斜平地，占全市54.54%27.05%，1381950~2001332.6973.1亿立方米(1964年)18.8亿立方米(1997年)；10400立方米每秒(19587月)8.3621亿吨(1958年)0.15亿吨(1997年)90年代以来黄河年径流量减少，经常出现断流。1999年后，黄河水实现不断流。2007年，利津站实测径流量（报汛值）128.31亿立方米，30条。以黄河为分界线，黄河以南20条河流；黄河以北属海河流域，有潮河及其支流褚官河、太平河10条河流。XX350.344800平方公里。沿岸海底较为平坦，浅海底质泥质粉35~103012℃~20℃，盐度22‰~3124℃~2821‰~30‰；黄河20.2~2米，3~47~115米。易发生风暴潮灾，3.572.6561.4314.00%1855~19853~4万亩；1985年后，因黄河来0.85亿10亿立方米左右，20078.32.425.822.822007年，XX946248453410090XX1000630平方公里，11501.27×10103.83×10151.30×108吨。2008年，在市委、市政府的正确领导下，XX市上下以党的十七大和经济总量迈上新台阶。全市实现生产总值2065亿元，比上年增长70.9518%1032.8亿188.3695.9100.6亿2、3、4、5小时的路程。第五 工程技术方第一节216000平方米，建设车间和仓库、办公室，并适当建设配40MW单晶硅（AFER（CELL200MW组件（MODULE）及伺服系统的生产能力。第二节单晶硅锭、多晶硅锭及硅片（WAFER）90%以上的是晶体硅太阳能电池，因此位于产业链前端的硅锭及硅片（AFER（FZ法（FZ法）由于硅中杂质的分凝效应和蒸发效应，可获前航天领域用的太阳电池所用硅片主要用这种方式生长。CZ法是利用旋中国电子科技集团公司第四十八研究所研发的拥有先进技术的CZ900ACZ900AEM布里曼（Bridgeman）法、电磁铸锭法，其中热交换法与布里曼法通常结热交换法及布里曼法都是把熔化及凝固置于同一坩埚中（的温度梯度，有利于晶体的生长。其特点是液相温度梯度dT/dX接近常采用中国电子科技集团公司第四十八研究所研发的拥有先进技术的R13450-1型多晶硅铸锭炉，它采用先进的多晶硅定向凝固技术，将硅料的镜面硅片。这一流程也包括了太阳能电池制造阶段硅片的表面处理工()第三节太阳能电池片（CELL）少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。该组设备分自动上下料、硅片传180m左右。去除硅片表面损伤层太阳能电池需要一个大面积的PN散炉即为制造太阳能电池PN三氯氧磷液态源作为扩散源。把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内，850-900N型半导体和P型半导体的交界面，也就是PN结。这种方法制出的PN结10ms。制造PN结是太阳能电池生产最基本也是最关键的工序。因为正是PN结都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。因此，必须对太阳能电电场作用下到达SiO2表面，在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应，并POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。P2O5与Si反应又生成SiO2SiO2，称之为磷硅抛光硅表面的反射率为35%，为了减少表面反射，提高电池的转换备制备减反射膜。PECVD即等离子增强型化学气相沉积。它的技术原理用辉光放电使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体SiH4和太阳能电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后，已经制成PN结，第四节2覆盖一层EVA和背材，并将引线端穿孔。敷设时保证电池串与玻璃等材的空气抽出，然后加热使EVA熔化将电池、玻璃和背板粘接在一起；最据EVA的性质决定。我们使用快速固化EVA25150℃。5EVA熔化后由于压力而向外延伸固化形成毛边，第五节太阳能作为一种清洁无污染的能源,发展前景非常广阔,太阳能发电度随时间不断变化的问题,这就对太阳能的收集和利用提出了更高的要,没有充分利用太阳能资源发电效率低下。为了最大程度地利用太阳能，高效能的太阳能电池本项目伺服系统以PIC16F877A35％以上。性，在地平坐标系中，太阳的位置可由高度角a与方位角φ来确定，公式式中：PIC16F877A是一款具有RISC结构的高性能中档单片机35条单字指令，8k×14FLASH程序存储器，368×8RAM存储器，256×8E2PROM数据存储器，14个中断源，8级深度的25mA的吸入／10PWM模块，10A／D转换器，通用同步异步接收／发送自动太阳跟踪器的控制方式主要有微处理器控制、PLC控制、DSPPIC16F877A单片机为控制核心，系统实现的具体原理框图如图所示：5个部分组成。系统功能说明如下：本项目采用的是步进电机，其驱动脉冲由单片机内部自带的10位能模块，硬件部分只需加MAX232PC机与单3个部分组成。3个部分组成。C语言模块化编程方式，易到单片机内部自带的E2PROM中作为新的位置基准，他可以用来消除系发出相应的PWM前太阳与电池板的位置，将位置信息通过数据总线与RS232分别送到液晶显示与PC机监控软件系统中，并将有关位置参数及时存到单片机的E2PROM中。PIC16F877单片机的系统资源，提高单片机的检测速度，单片机接收PC5所示。优化PCB第六节（AFER328合合11合合控制系统采用国际流行的工业计算机与可编程序控制器相结合的方与西门子30C2C19第六 原辅材料供第一节Hemlock19,00045-551450012000MEMCElectronicMaterials,Hoku4000500≈506000500吨（08年LDK太阳能高科技有限1000吨（08年1000吨（08年4500Elkem5000DC6500Sharp1000吨（07年10007500JointSolarSiliconGmbH&1000吨（08年RSISilicon300005000100082004002、含硼量：3、含磷量：4、含碳量：5、金属含量：6n50万元99018200056001000016003002500元12元18025元10018元10010003.5元19元30095元15068元15012045元/120 205元10第二节规备DN100，供水量不60m3/h，供全厂生产、生活用水。380V/220V，50Hz低压供厂内各单体使用。厂内第七 工程建设方第一节项目拟在XXXXXXXXXXXXXXX实施，占用工业用地，总占地约233300350亩。厂内地势平坦，厂区周围道路通畅，有利于100MW多晶硅锭硅片、25MW电池片的需要。 单 350（1）运入量（2350吨/年）2000吨350（2）运出量（2350吨/年）2233吨117第二节建筑结构荷载规范钢结构设计规范冷弯薄型钢结构设计规范混凝土结构设计规范门式刚架轻型房屋钢结构设计规程建筑地基基础设计规范建筑抗震设计规范2369米。屋面2mm503571450平方米，1901256405、根据“工厂办公与生活建筑设计标准”JBJ/T1-94要求，项目厂级6、XX7度，按抗震规范要求，建筑物均需按抗震设计规名层备合第三节DN100，接点水0.4MPa60m3/h。m3/dm3/dm3/（1%470m3/d；实际平均耗水量：722m3/d，项目冲洗、生活用水取合21.6的反渗透+EDI20吨/h/18M/CM120KVA90KVA0.2～0.4MPa20处，并配置消防水龙带。可满足项目对消防的PVC塑料给水管，连接方式为粘接式法兰连接。消615m3左右。考虑到高峰水废水排放量，废水处理装800m3/d的设计水平。厂区供电电源由XX10kV项目电气设备安装容量共计11370kW。按需要系数法计算：有功负荷5308kW940kVar3003822×104kWh/a。10kV10kV中心电站，低压室及电修间。0.4kV采用单母线分段配电，用电缆放射式供电至各工36V安全电压。TN-C系30Ω，所有建筑物电源入户处均应10Ω。 30℃1、空压站：4台＋1台（十主一备20m3/min52、负压站：20套（ZF-1型负压真空站真空度范围：0到-30000m3/h）63100mm，高度3400mm，设备运行重量5000kg，净化塔出风管直径3000mm×3000mm×15000mm。4、硅烷燃烧塔：8套（4套）HWR-5气进气管必须加装止回阀。配套水泵型号为FYS-32液下泵，液下深度685mm205.5m3/h1.1kW。80000mh和万60000mh。61选择储罐：VCT-5.0液氧罐和VCT-20.0液氮罐。第八 环境保护、劳动安全卫第一节)6(GB/T14848-93III类标准拟建地点位于本项目生产过程中所产生的废气主要是电池片生产线清洗和扩散过散前硅片清洗机使用到a20%10%）HCI630m3/d。a、含F废水——含F废水采用化学处理法进行处理(投放Na(OH)2、CaCl2及多种助凝剂)去除率>90%600m3/d。900m3/d50％。处理30000m3/h500mm18mD氢氟酸配送间、酸液配送间的排风接入酸性废气洗涤系统进行处理后排D采用R63/18）90%以上。d100m的卫生防护100m的要求。处理。生活垃圾委托当地环卫部门清运。同时公司应严格按照厂区绿化是环境保护的重要措施之一，也是工厂文明建设的重要标2。第二节HCI、NaOH、HF废气和废液，扩10欧姆。3()常条