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半导体器件复习..半导体器件复习..半导体器件复习..8.结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）9.比较结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。10.势垒电容与扩散电容的产生机制。11.三种结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。12.结的交流等效电路？13.结的开关特性，贮存时间的影响因素。14.肖特基势垒二极管与结二极管的异同。22021/1/48.结大注入效应，大注入和小注入时的电流电压特性的比较。（扩散系数增大一倍）9.比较结自建电场，缓变基区自建电场和大注入自建电场的异同点。10.势垒电容与扩散电容的产生机制。11.三种结击穿机构。雪崩击穿的条件？讨论影响雪崩击穿电压的因素。12.结的交流等效电路？13.结的开关特性，贮存时间的影响因素。14.肖特基势垒二极管与结二极管的异同。2021/1/42双极晶体管1.晶体管基本结构(三个区域的掺杂浓度的数值大小)。2.晶体管处在放大区时的能带图，电流分布图，基区少子浓度分布图（四种偏置）。3.晶体管具有放大能力的基本条件。4.发射效率γ和基区输运因子T的定义。提高晶体管电流放大系数的主要措施。5.晶体管的模型及其等效电路和互易关系。2021/1/436.晶体管共基极和共射极电流放大系数之间的关系。7.晶体管共基极和共射极输入、输出特性和转移特性曲线8.大电流效应及对器件特性的影响大注入效应？效应(基区电导调制效应)和(韦伯斯脱)效应（大注入内建电场效应）。基区扩展效应(效应)。发射极电流集边效应。2021/1/449.什么是效应对器件特性有什么影响？10.基区穿通和外延层穿通。11.三种击穿电压的关系。12.写出载流子从发射极到集电极的总传输延迟时间的表达式，并说明各传输延迟时间的意义，如何提高晶体管的特征频率？13.f,f,的定义，及相互间的大小关系？晶体管在开关过程中，结和结偏压是如何变化的。的优势

2021/1/45场效应晶体管1.阈值电压及其影响因素（衬底浓度和偏压，氧化层中电荷,氧化层厚度等）。（表达式）2.工作原理及其类型。输出特性曲线和转移特性曲线。3.亚阈值区及其特性（特点）。什么是短沟道效应、窄沟道效应？效应？的伏安特性方程（线性区和饱和区）栅跨导，漏源电导。2021/1/467.小信号等效电路。管截止频率表达式，提高频率性能的途径。8.器件等比例缩小原则。9.结构的C－V特性（理想、实际）。10.热载流子效应和闩锁效应。11.现代器件的发展趋势。2021/1/47JFET和MESFET1.JFE

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