半导体物理学 第8章作业答案学习资料_第1页
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第八章金属半导体接触画出由p型半导体和金属构成的肖特基势垒在施加正向和反向电压时的能带图，标出势垒区扩散流和漂移流的方向和相对大小，以及电流的方向。空穴的流动可以看成价带电子的流动;导带电子的流动对应于少子的注入电流.（2）两金属的功函数分别为和，接触电势差应为。若这两种材料通过半导体材料C形成接触，证明其两端a、b之间的电势差与A、B直接接触时相同。（3）设肖特基模型适用。在以下两种情形下：（a）金属和半导体直接形成接触，（b）相距较远，通过导线形式接触，试分析并用图示意说明接触电势差降落在金属、半导体、以及金属和半导体之间何处？Vm和Vs¢分别为金属和半导体的电势;D远大于原子间距时(m)D减小,Qs增加，D接近几十或几百原子间距时,接触电势差部分降落在空间电荷区，部分降落在金属和半导体表面之间。D~原子间距时，电子可自由穿过间隙，Vms很小.（4）说明金属—n型半导体肖特基势垒在正向偏压下电子准费米能级的变化的几种可能情形，和各种情形相适应的理论，以及各种理论的适用条件。两极管理论:薄势垒,mEM>>vr，vr为一具有热运动速度数量级的等效速度．扩散理论:厚势垒,mEM<<vr（5）按照肖特基模型和巴丁模型，半导体中的自建势是否等于金属和半导体的接触电势差？为甚么？肖特基模型:是;巴丁模型:否。半导体表面态中的电荷对势垒高度起关键作用．（6）如果金属—n型半导体接触形成肖特基势垒，金属层很薄，可以透光。在有光照时1）肖特基势垒如何变化？2）短路时有无电流？3）若短路电流为，设两级管理论适用，导出开路电压。1）肖特基势垒降低（如同加正向偏压）。2）有。3）IL为短路电流（光生电流）（7）包括同质结、MIS结、金属-半导体接触和异质结在内，你是否总结一下，在什么情形下接触电势差就等于半导体中的自建势？在什么情形下功函数差就等于半导体中的势垒高度？什么情形下（）就是半导体中的势垒高度？接触电势差等于半导体中的自建势:同质结、金属-半导体接触之肖特基模型、异质结；功函数差等于半导体中的势垒高度：同质结、金属-半导体接触之肖特基模型；（）就是半导体中的势垒高度：同质

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