电池制造工艺-硅片的化学清洗

硅片的化学清洗硅片表面有什么污染？颗粒污染有机物污染无机物污染需要去除的氧化层颗粒怎么去除？硅片表面的颗粒大小可以从非常大（50um）变化到小于1um。小的颗粒受到两个引力问题（Vander

waals）范德华力，这是一种分子间作用力，在化学清洗中为一个原子的电子和另一个原子的核之间形成的很强的原子间吸引力。（Capillary）毛细作用力,产生了颗粒与表面之间形成的液体桥。大颗粒化学浸泡＋清水冲洗小颗粒Vanderwaals吸引力硅片移动速度，PH值，电解质浓度；表面活性剂，氮气枪小颗粒Capillary引力表面活性剂；超声波，氮气枪。微小颗粒机械式晶片表面洗刷器；去离子水+表面活性剂等小颗粒Vanderwaals吸引力高压水冲洗；可添加小剂量表面活性剂。有机残余物怎么去除？使用“结构类似相溶”经验规则，使用有机溶剂溶解硅片表面有机物.使用“氧化还原反应”原则，使用强氧化剂，使一些低价化合物氧化成高价化合物，使一些难溶物质发生氧化，而转变成可溶物质．

有机残余物含碳化合物溶液浸泡（丙酮，乙醇等）有机残余物含碳化合物硫酸，硫酸+过氧化氢，臭氧添加剂等无机物（金属离子）污染怎么去除？金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：

a.沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。

b.带正电的金属离子得到电子后附着（尤如“电镀”）到硅片表面。

化学品利用特性可以去除不能去除HCL强酸性铝，镁等活泼金属及其氧化物铜，银，金等不活泼金属以及二氧化硅等物质H2SO4强酸性，强氧化性铝，镁等活泼金属以及铜，银等不活泼活泼金属金，二氧化硅等物质HNO3强酸性，强氧化性铝，镁等活泼金属以及铜，银等不活泼活泼金属金，二氧化硅等物质王水（HCL:HNO3=3:1）强酸性，极强氧化性可以溶解活泼金属以及几乎所有的不活泼金属二氧化硅等物质H2O2强氧化性低价金属化合物（如Fecl2）HF弱酸性溶解大多数金属，可以溶解二氧化硅铂，铜，铅，金等金属氧化层的来源和去除方法？氧化层的来源？空气有氧存在的加热的化学品清洗池氧化层的去除方法？使用HF与H2O的混合溶液，溶液强度可以从1:100到7:10.HF溶解二氧化硅的原因？HF酸能溶解二氧化硅是因为HF可以与二氧化硅作用生产易挥发的四氟化硅气体SiO2+4HF->SiF4↑+2H2O若HF过量，反应生成的四氟化硅会进一步与HF反应生成可溶的络合物六氟化硅酸．SiF4+2HF->H2[SiF6]总的反应式：SiO2+6HF->H2[SiF6]+2H2O去除硅表面污染的原则是什么？在去除表面污染物的同时，不会刻蚀或损害硅片表面生产配置上安全，经济不影响硅片的表面粗糙度不影响硅片的电特性清洗工艺的选择？非HF结尾的清洗工艺表面呈亲水性可被烘干而不留水印有薄氧化层保护以HF去除工艺结尾的清洗表面呈憎水性若表面有亲水性（氧化物）表面存在不容易被烘干而不留水印表面钝化效果稳定水冲洗的重要性？？每一步湿法清洗后面都会紧跟着去离子水的冲洗,起着从表面上去除化学清洗液和终止氧化物刻蚀反应的双重功效．水冲洗的技术难点冲洗效果用水量常见的水冲洗技术？溢流式清洗喷洒式清洗排放式清洗超声波辅助清洗什么是溢流式清洗？广义上，流动的水对硅片表面的清洗都可以称为溢流式清洗。常见的溢流式清洗方式气泡式（通常是氮气的气泡从下往上通过，帮助硅片表面化学品和水混合）多极溢流平行下流溢流式清洗设计原则经验法则，每分钟的流速＝冲洗池体积的5倍流量，时间至少5min(跟硅片尺寸有关)冲洗时间，通常由测量排出冲洗池的水的电阻率决定什么是喷洒式清洗？清洗的原理：用稀释的机械原理将可溶性的化学物质除去。喷洒式清洗原理：V=Time*v，清洗水的流速越高，清洗的水量约大，稀释作用越好。E=mv2，通过水运动过程中产生动量的物理作用去除。什么是排放式清洗？此清洗系统在结构上类似于溢流式清洗，但具有喷洒能力.什么是超声波辅助清洗？超声波与兆声波？超声波：20000~50000HZ；兆声波：850000HZ超声波辅助清洗原理：通过振动在液体中形成极微小的气泡，这些气泡快速地崩溃就产生了微小的擦洗工作，从而达到颗粒的去除。兆声波辅助清洗原理：依据流体力学，固体表面与液体之间有个静止或缓慢移动的界面，小颗粒可以在这层界面中从而不与化学清洗液接触。兆声波产生的能量可以破坏这一界面。