硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案VIP

硅材料制备技术基础知识单选题100道及答案1.硅在自然界中主要以什么形式存在？A.单质硅B.二氧化硅C.硅酸钠D.硅酸答案：B2.以下哪种方法不是常用的制备高纯硅的方法？A.区熔精炼法B.化学气相沉积法C.电解法D.直拉法答案：C3.单晶硅的制备过程中，常用的籽晶材料是？A.多晶硅B.高纯硅C.单晶硅D.石英答案：C4.化学气相沉积法制备硅材料时，常用的硅源气体是？A.SiH4B.SiCl4C.SiF4D.以上都是答案：D5.硅材料中杂质的存在会影响其？A.导电性B.硬度C.颜色D.密度答案：A6.区熔精炼法主要是利用了杂质在？A.固相和液相中的溶解度差异B.不同温度下的挥发性差异C.不同相中的扩散速度差异D.不同相中的化学活性差异答案：A7.直拉法制备单晶硅时，晶体的生长方向主要由什么决定？A.坩埚的形状B.籽晶的方向C.加热功率D.熔体的温度答案：B8.硅材料在半导体器件中主要利用的是其？A.光学性质B.力学性质C.电学性质D.热学性质答案：C9.以下哪种杂质在硅材料中是施主杂质？A.硼B.磷C.铝D.镓答案：B10.硅材料的禁带宽度大约是？A.0.5eVB.1.12eVC.2.0eVD.3.0eV答案：B11.硅材料的晶体结构属于？A.简单立方结构B.体心立方结构C.面心立方结构D.金刚石结构答案：D12.制备硅材料时，对原材料纯度的要求通常是？A.90%以上B.95%以上C.99%以上D.99.9999%以上答案：D13.硅材料在集成电路中的主要作用是？A.绝缘B.导电C.作为衬底和有源区D.散热答案：C14.化学气相沉积法制备硅材料的优点不包括？A.可以精确控制薄膜的成分和厚度B.沉积温度低C.可以大面积均匀沉积D.设备简单答案：D15.单晶硅的生长过程中，需要控制的关键参数不包括？A.温度B.压力C.光照强度D.拉速答案：C16.硅材料的热导率随温度的升高？A.升高B.降低C.不变D.先升高后降低答案：B17.以下哪种方法可以用于检测硅材料中的杂质？A.X射线衍射法B.拉曼光谱法C.二次离子质谱法D.扫描电子显微镜法答案：C18.硅材料的电阻率与杂质浓度的关系是？A.杂质浓度越高，电阻率越高B.杂质浓度越高，电阻率越低C.杂质浓度与电阻率无关D.杂质浓度在一定范围内与电阻率成正比答案：B19.多晶硅的制备方法中，西门子法的主要原料是？A.石英砂B.三氯氢硅C.四氯化硅D.硅烷答案：B20.硅材料在光伏电池中的作用是？A.吸收光能并产生电子-空穴对B.作为电极C.作为封装材料D.反射光线答案：A21.单晶硅的制备过程中，缩颈的目的是？A.排除杂质B.控制晶体直径C.提高晶体质量D.便于籽晶的引入答案：A22.硅材料的化学性质比较？A.活泼B.不活泼C.介于活泼与不活泼之间D.随温度变化而变化答案：B23.以下哪种物质可以与硅发生化学反应？A.氧气B.氮气C.氦气D.氩气答案：A24.硅材料在高温下与氧气反应生成？A.一氧化硅B.二氧化硅C.三氧化硅D.四氧化硅答案：B25.硅材料的制备过程中，需要进行严格的？A.湿度控制B.光照控制C.磁场控制D.噪声控制答案：A26.单晶硅的晶向对其电学性能有？A.很大影响B.较小影响C.没有影响D.影响不确定答案：A27.硅材料的硬度与？A.晶体结构有关B.杂质浓度有关C.温度有关D.以上都有关答案：D28.化学气相沉积法制备硅薄膜时，沉积速率主要取决于？A.气体流量B.温度C.压力D.以上都是答案：D29.硅材料在电子器件中能够承受的最高温度一般是？A.100℃B.200℃C.500℃D.1000℃答案：C30.以下哪种方法可以改善硅材料的晶体质量？A.快速冷却B.缓慢冷却C.反复加热D.增加杂质浓度答案：B31.硅材料的光学吸收系数与？A.波长有关B.温度有关C.杂质浓度有关D.以上都有关答案：D32.单晶硅的制备过程中，放肩的目的是？A.扩大晶体直径B.减小晶体直径C.提高晶体纯度D.降低晶体缺陷答案：A33.硅材料的介电常数大约是？A.3.9B.10C.20D.50答案：A34.硅材料在集成电路制造中，常用的掺杂方法不包括？A.扩散掺杂B.离子注入掺杂C.化学掺杂D.热掺杂答案：D35.以下哪种杂质在硅材料中是受主杂质？A.砷B.锑C.硼D.磷答案：C36.硅材料的少数载流子寿命与？A.杂质浓度有关B.晶体缺陷有关C.温度有关D.以上都有关答案：D37.多晶硅的提纯过程中，常用的物理方法是？A.蒸馏法B.萃取法C.吸附法D.浮选法答案：A38.硅材料的能带结构属于？A.直接带隙B.间接带隙C.半直接带隙D.无带隙答案：B39.单晶硅的生长过程中，等径生长阶段的关键是？A.保持稳定的温度和拉速B.增加加热功率C.减小拉速D.更换籽晶答案：A40.硅材料在太阳能电池中的效率主要取决于？A.硅材料的纯度B.电池结构C.光照强度D.以上都是答案：D41.硅材料在高温下与氢气反应生成？A.硅烷B.氢化硅C.二氧化硅D.不反应答案：A42.以下哪种设备常用于单晶硅的制备？A.电弧炉B.单晶炉C.多晶炉D.反应釜答案：B43.硅材料的载流子迁移率与？A.杂质浓度有关B.温度有关C.晶体结构有关D.以上都有关答案：D44.化学气相沉积法制备硅材料时，反应室的压力一般是？A.常压B.低压C.高压D.超高压答案：B45.硅材料的制备过程中，对环境的要求主要是？A.洁净度高B.湿度大C.温度高D.有磁场答案：A46.单晶硅的晶面指数常用的表示方法是？A.密勒指数B.笛卡尔坐标C.极坐标D.球面坐标答案：A47.硅材料的电子亲和能是指？A.电子从真空进入硅材料所需要的能量B.电子从硅材料进入真空所需要的能量C.电子在硅材料中的束缚能D.电子在硅材料中的迁移能答案：A48.以下哪种方法可以检测硅材料的晶体结构？A.原子力显微镜B.X射线衍射C.扫描隧道显微镜D.电子显微镜答案：B49.硅材料在集成电路中的掺杂工艺主要是为了？A.改变硅材料的导电性B.提高硅材料的硬度C.改善硅材料的光学性能D.降低硅材料的成本答案：A50.多晶硅的制备过程中，流化床法的优点是？A.能耗低B.产量高C.纯度高D.设备简单答案：B51.硅材料的禁带宽度随温度的升高？A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小答案：B52.单晶硅的制备过程中，收尾的目的是？A.防止晶体脱离B.提高晶体质量C.排除杂质D.控制晶体直径答案：A53.硅材料的光学透过率与？A.波长有关B.厚度有关C.杂质浓度有关D.以上都有关答案：D54.化学气相沉积法制备硅材料时，常用的催化剂是？A.镍B.铜C.铁D.铂答案：D55.硅材料的热膨胀系数与？A.温度有关B.晶体结构有关C.杂质浓度有关D.以上都有关答案：D56.以下哪种现象与硅材料的半导体性质有关？A.光电效应B.压电效应C.磁致伸缩效应D.霍尔效应答案：A57.硅材料的制备过程中，需要进行严格的杂质控制，主要是因为杂质会？A.影响硅材料的晶体结构B.改变硅材料的电学性能C.降低硅材料的硬度D.使硅材料的颜色发生变化答案：B58.单晶硅的生长过程中，常用的加热方式是？A.电阻加热B.感应加热C.电弧加热D.电子束加热答案：B59.硅材料的化学稳定性主要是由于？A.硅原子的电子结构B.硅材料的晶体结构C.硅材料的纯度高D.硅材料的硬度大答案：A60.以下哪种方法可以提高硅材料的纯度？A.区域熔炼法B.热退火法C.化学腐蚀法D.机械抛光法答案：A61.硅材料在半导体器件中的应用主要是基于其？A.本征半导体特性B.杂质半导体特性C.金属特性D.绝缘体特性答案：B62.化学气相沉积法制备硅材料时，反应温度一般在？A.100-200℃B.300-500℃C.600-1000℃D.1000-1500℃答案：C63.硅材料的少数载流子扩散长度与？A.杂质浓度有关B.晶体缺陷有关C.温度有关D.以上都有关答案：D64.单晶硅的制备过程中，晶体的生长速度主要取决于？A.温度梯度B.拉速C.熔体的过冷度D.以上都是答案：D65.硅材料的光学折射率与？A.波长有关B.温度有关C.杂质浓度有关D.以上都有关答案：D66.以下哪种物质不能用于蚀刻硅材料？A.氢氟酸B.硝酸C.氢氧化钠D.盐酸答案：D67.硅材料的制备过程中，对原材料的粒度要求是？A.越细越好B.越粗越好C.有一定的粒度范围D.没有要求答案：C68.单晶硅的晶向对其机械性能有？A.很大影响B.较小影响C.没有影响D.影响不确定答案：A69.硅材料的热稳定性与？A.晶体结构有关B.杂质浓度有关C.温度有关D.以上都有关答案：D70.化学气相沉积法制备硅材料时，反应气体的纯度要求是？A.90%以上B.95%以上C.99%以上D.99.99%以上答案：D71.硅材料在电子器件中的散热主要依靠？A.热传导B.热对流C.热辐射D.以上都是答案：A72.以下哪种方法可以检测硅材料中的位错缺陷？A.化学腐蚀法B.光学显微镜法C.电子显微镜法D.以上都是答案：D73.硅材料的电阻率随温度的升高？A.增大B.减小C.不变D.先增大后减小答案：B74.单晶硅的制备过程中，为了提高晶体的均匀性，通常采用？A.旋转坩埚B.增加拉速C.提高温度D.减小压力答案：A75.硅材料的光学吸收主要是由于？A.电子跃迁B.晶格振动C.杂质吸收D.以上都是答案：D76.化学气相沉积法制备硅材料时，沉积薄膜的质量与？A.反应气体的流量有关B.反应温度有关C.反应室的压力有关D.以上都有关答案：D77.硅材料的制备过程中，为了防止杂质的引入，通常采用？A.密封设备B.高温处理C.化学清洗D.以上都是答案：D78.单晶硅的晶向对其化学腐蚀速率有？A.很大影响B.较小影响C.没有影响D.影响不确定答案：A79.硅材料的电学性能主要由？A.晶体结构决定B.杂质浓度决定C.温度决定D.以上都决定答案：D80.以下哪种杂质元素对硅材料的电学性能影响最小？A.金（Au）B.铜（Cu）C.氦（He）D.铁（Fe）答案：C81.硅材料在制造光电器件时，为了提高光吸收效率，常采用的结构是？A.多层结构B.多孔结构C.纳米结构D.以上都是答案：D82.在硅材料的掺杂过程中，离子注入法相对于扩散法的优势是？A.可以精确控制掺杂浓度和深度B.工艺简单C.成本较低D.可以在较低温度下进行答案：A83.硅材料的热导率在（）方向上最高？A.[100]B.[110]C.[111]D.各向同性答案：A84.对于硅材料制备中的化学气相沉积过程，以下哪种情况可能导致薄膜质量下降？A.反应气体混合不均匀B.沉积温度过高C.沉积时间过长D.反应室压力过低答案：A85.硅材料在高温下的（）性能会显著影响其在某些特殊电子器件中的应用？A.抗氧化B.抗腐蚀C.抗变形D.抗辐射答案：C86.以下哪种方法可用于测量硅材料的少数载流子寿命？A.光电导衰退法B.四探针法C.电容-电压法D.霍尔效应测量法答案：A87.硅材料在半导体制造中，为了形成良好的欧姆接触，通常需要进行（）处理？A.表面氧化B.表面金属化C.表面氮化D.表面碳化答案：B88.在硅材料的晶体生长过程中，（）可能会导致孪晶的形成？A.温度波动过大B.籽晶质量差C.熔体对流异常D.以上都是答案：D89.硅材料的介电损耗与（）有关？A.频率B.温度C.杂质浓度D.以上都是答案：D90.以下哪种硅材料的制备方法对设备要求最高？A.直拉法B.区熔精炼法C.化学气相沉积法D.流化床法答案：C91.硅材料在太阳能光伏应用中，为了提高电池的转换效率，需要对硅片进行（）处理？A.减薄B.增厚C.表面织构化D.表面钝化答案：C92