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文档简介
第七章MCS-51单片机系统扩展技术7.1单片机并行扩展总线7.2并行扩展外ROM7.3并行扩展外RAM7.4单片机系统综合扩展外ROM和RAM7.5简单并行I/O口的扩展7.6可编程并行I/O口扩展7.7串行扩展技术7.8习题实训七MCS-51单片机系统扩展
7.1单片机并行扩展总线
7.1.1三总线扩展连接
1.三总线构成
图7-1三总线片外扩展示意图7.1.2地址空间分配
1.线选法
线选法是将高位地址线直接连到存储器芯片的片选端,电路简单,不需要另外增加地址译码器硬件电路。如外扩3片都是2K × 8位存储器芯片A、B、C,高位地址线A11~A13分别与各片的连接实现片选,均为低电平有效,低位地址线A0~A10实现片内寻址。为了不出现寻址错误,要求A11~A13中只允许有一根为低电平,另两根必须为高电平,否则出错。三片存储器芯片地址分配如表7-1所示。表7-1线选法三片存储器芯片地址分配表
2.译码法
译码法是使用译码器对单片机的高位地址进行译玛,将译码器的译码输出作为存储芯片的片选信号,这是一种最常用的地址空间分配的方法,它能有效地利用存储器的空间,适用于多芯片的存储器扩展。2条地址线能译成4种片选信号,3条地址线能译成8种片选信号,4条地址线能译成16种片选信号。所对应的TTL译码芯片有74139(双2/4译码器)、74138(3/8译码器)和74154(4/6译码器)。下面以74LS138为例说明译码器的译码。
74LS138是一种3/8译码器,有3个数据输入端,经译码产生8种状态。其引脚如图7-2所示。图7-274LS138引脚图表7-2为74LS138真值表。表7-274LS138真值表三个存储器芯片的地址空间分配见表7-3。表7-3译码法三片存储器芯片地址分配表7.1.3外部地址锁存器
MCS-51单片机受引脚数的限制,P0口兼用数据线和低8位地址线,为了将它们分离出来需要在单片机外部加地址锁存器。目前,常用的地址锁存器芯片有74LS373和74LS573。
74LS373是一种带有三态门的8D锁存器,引脚见图7-3,其功能见表7-4。表7-474LS373功能表图7-374LS373引脚图
7.2并行扩展外ROM
7.2.1并行扩展程序存储器EPROM
1.常用EPROM芯片
常用EPROM芯片有2716、2732、2764、27128、27256、27521,其中,27是EPROM芯片的代号,后2位数字代表EPROM的存储容量。例如2764的64代表64 kbit。按字节计算,每字节8位,2764的存储容量为64÷8=8,即8 KB(字节)。
CMOSEPROM芯片有27C32、27C64、27C128等,中间字母C代表CMOSEPROM芯片,CMOSEPROM芯片与普通EPROM芯片相比,功耗要小,使用方法相同。
2.EPROM基本参数
27系列EPROM芯片的基本参数如表7-5所示。表7-5常用EPROM芯片的基本参数
3.EPROM引脚功能
表7-6为常用EPROM芯片引脚。表7-6常用EPROM芯片引脚表7-7EPROM的5种工作方式
5.典型扩展电路
图7-4为2764与8051的典型连接电路,图7-5为27128与8051的典型连接电路。图7-42764与8051典型连接图7-527128与8051典型连接
6.读EPROM
对EPROM读的操作有两种形式:一是CPU自动读。CPU在执行程序时,会按照程序计数器PC所指出的地址读出存放在EPROM中的程序指令;另一种是在执行程序时读存放在EPROM中的数据的指令。
【例7-1】
外部扩展一片EPROM2764,读取2764中从地址1000H单元开始的30个单元的数据,存放到片内RAM中,从地址40H开始存放。
解:编写程序如下:7.2.2并行扩展E2PROM
E2PROM是电擦除可编程ROM,比EPROM具有更大的灵活性。EPROM擦除是必须在专用的强紫外线擦除器中照射若干分钟,又必须在特定的电压(例如12.5 V)下才能写入,使用起来尚不方便。
1.常用E2PROM芯片
常用E2PROM芯片有2816A、2817A、2864A,其中28是E2PROM芯片的代号,后2位数字代表E2PROM的存储容量。例如2864的64代表64 kbit。按字节计算,每字节8位,2864的存储容量为64 ÷ 8 = 8,即8KB(字节)。2816和2817的容量均为2 KB,区别在于后者设置了写入结束联络控制信号引脚端。
2.典型连接电路
图7-6为2864A与8051的典型连接电路。图7-62864A与8051典型连接
【例7-2】
将2864A中2000H为首地址的20个数据读出取反后写入原存储单元。
解:编程如下:
7.3并行扩展外RAM
1.常用RAM芯片
扩展外RAM芯片一般采用静态RAM(SRAM),也可根据需要采用E2PROM芯片或其它RAM芯片。
常用的RAM芯片有6116(2 KB)24引脚、6264(8 KB)28引脚和62128(16KB)28引脚,6116引脚与2716兼容,6264引脚与2764兼容,如表7-8所示。
2.工作方式
RAM存储器有读出、写入、维持三种工作方式,这些工作方式的控制如表7-9所示。表7-8常用RAM芯片引脚
3.典型连接电路
图7-7为6116与8051连接的典型电路。表7-96116、6264、62256芯片三种工作方式的控制图7-76116与8051典型连接
【例7-3】
试编写程序,将外RAM7020H为首地址的20个数据读出并写入外RAM7040为首地址的存储单元中。
解:编程如下:
7.4单片机系统综合扩展外ROM和RAM
在实际应用中经常需要同时扩展外ROM和外RAM才能满足要求。
单片机对外部ROM的访问采用MOVC指令,外部RAM的访问采用MOVX指令。外部ROM和外部RAM的地址可以重叠。图7-8为8051同时扩展外ROM和外RAM的典型应用电路。图7-88051同时扩展外ROM和外RAM时典型连接 7.5简单并行I/O口的扩展
7.5.1输入口扩展
扩展输入口的74系列芯片有很多,以74373最为方便和常用。
1.74373芯片
图7-974373扩展输入口
2.典型应用电路
图7-9是74373与8051单片机连接的典型应用电路。7.5.2输出口扩展
输出口扩展常用的典型芯片为74377。
1.74377芯片
图7-10为74377DIP封装引脚图,表7-10为其功能表。图7-1074377封装引脚图表7-1074377功能表
2.典型应用电路
图7-11为74377与8051单片机连接的典型应用电路。图7-1174377扩展输出口7.5.3总线扩展驱动
1.双向总线扩展
1)74245芯片
图7-12为74245DIP封装引脚图,表7-11为74245的功能表。表7-1174245功能表图7-1274245引脚
1) 74244芯片
图7-13为74244DIP封装引脚图,表7-12为74244的功能表。表7-1274244功能表图7-1374244封装引脚图 7.6可编程并行I/O口扩展
1.可编程并行输入/输出接口芯片8255
8255是Intel公司生产的一种可编程并行I/O接口芯片,是专门针对单片机而开发设计的,其内部集成了锁存、缓冲及与CPU联络的控制逻辑。可通过编程改变其功能,它是一种灵活方便、应用广泛,可以与8051单片机方便地连接,简单地编程应用的I/O接口芯片。
图7-14为8255DIP封装引脚图,共有40个引脚,内有3个8位并行I/O口。图7-148255封装引脚图
2.可编程多功能接口芯片8155
8155是Intel公司生产的一种可编程并行I/O接口芯片,除有两个可扩展并行I/O口外,还有256个字节的静态RAM和一个14位减法计数器。8155有4种工作方式,功能丰富,使用方便,特别适合于扩展少量RAM和定时/计数器的场合,是单片机系统中的传统芯片。
图7-15为8155DIP封装引脚图,共40个引脚,片内3个I/O口。图7-158155引脚图
3.键盘、显示器接口芯片8279
Intel公司的8279是一种通用可编程键盘、显示器接口芯片,共40个引脚,它能同时完成键盘输入和显示控制两种功能。采用8279作为键盘、显示接口,能简化键盘处理和显示程序,减少CPU运行时间。
键盘接口部分提供一种扫描控制方式。最多可以和具有64个按键或传感器的阵列相连,能对键盘不断扫描,自动消除开关抖动,自动识别出按下的键并给出编码,具有多键同时按下保护功能。
4.单片机内闪存储器
AT89C51是一种低功耗、高性能的片内含有4 KB/8 KB/20 KB的Flash可编程/可擦除ROM的8位CMOS单片机。其片内的Flash存储器允许在线编程。
89C51的主要性能:
(1) 89C51与MCS-51系列单片机兼容。
(2)片内的Flash存储器可循环写入/擦除10 000次。
(3)数据保存时间为10年,工作电压范围为1.7~6 V。
(4)掉电后存储器中内容保持不变。
(5)可省去外扩程序存储器的工作。
7.7串行扩展技术
1.单总线
单总线制的典型代表为Dallas公司推出的单总线(1-wire)。串行扩展芯片DS1820只有一根信号线与MCU相连接,DS1820的DQ端为数据输入/输出端,漏极开路,需外接上
拉电阻R,多片DS1820全部挂在一根总线上,MCU通过总线对每片DS1820寻址和传输信号。
2.双总线
双总线制的典型代表为Philips公司推出的I2C总线(IntelIntegratedCircuitBUS),它是目前使用较广泛的芯片间串行扩展总线。该总线用两条连线实现全双工同步数据传输。它可以使用具有I2C总线的单片机直接与具有I2C总线接口的各种扩展器件连接,实现I2C总线的串行功能。
I2C总线由数据线SDA和时钟线SCL构成,SDA/SCL总线上可以挂接单片机(MCU)、外围器件(如A/D、D/A、日历时钟、ROM、RAM和I/O口等)和外设接口(如键盘、显示器、打印机等),但所有挂接在I2C总线的器件和接口电路都应具有I2C总线接口,总线输出端为漏极开路,需外接上拉电阻,总线驱动能力为400 pF(通过驱动扩展可达4000 pF),信号传输速率为100 kb/s(最新可达400 kb/s)。MCU通过总线对挂接到总线上的串行扩展器件寻址和读写。
4.移位寄存器串行扩展
MCS-51的串行口有四种工作方式,其中方式0为同步移位寄存器工作方式,通过移位寄存器方式可将串行数据并行输出,也可以将并行数据串行输入。TXD(P3.1)发出移位脉冲,RXD端(P3.0)输入/输出数据。74HC164为串行输入并行输出移位寄存器,74HC165为并行输入串行输出移位寄存器。
5.USB总线
USB(通用串行总线)总线是一个外部总线标准,用于规范电脑与外部设备的连接和通信。它基于通用连接技术,实现外设的简单快速连接,达到方便用户、降低成本、扩展外设的目的。 7.8习题
1.填空题
(6) MCS-51中,PC和DPTR都用于提供地址,但PC是为访问()存储器提供地址,而DPTR是为访问()存储器提供地址。
(7) MCS-51能扩展ROM的容量是(),扩展RAM的容量是()。
2.MCS-51同时并行扩展外ROM和外RAM时,共同使用16位地址线和8位数据线,为什么两个存储空间不会发生冲突?
3.MCS-51并行扩展外ROM时,为什么P0口要接一个8位锁存器74373,而P2口却不接?
4.并行扩展存储器,片选方式有哪几种?各有什么特点?
5.并行展多片存储器芯片时,什么叫地址空间不连续和|“地址重叠”现象?原因是什么?
6.简述74138性能和使用方法。
7.单片机常用的EPROM有哪些型号的芯片?如何识别其存储容量?
8.比较归纳EPROM/E2PROM及RAM读写速度的性能特点。
10.为什么8051并行扩展外RAM芯片时,一般需要片选?而扩展外ROM芯片时,却不需要片选?
11.8051并行扩展外存储器时,真正提供给用户使用的I/O口有哪些?为什么?
12.与并行扩展相比,串行扩展有什么优缺点?
13.简述MCS-51系统总线的构成。
实训七MCS-51单片机系统扩展
实训7.1I/O口扩展
一、实验目的
(1)学习在单片机系统中扩展简单I/O口的方法。
(2)学习数据输入/输出程序的设计和调试。
二、实验设备
EL-8051型单片机实验系统。三、实验原理
MCS-51外部扩展空间很大,但数据总线口和控制信号线的负载能力是有限的。若需要扩展的芯片较多,则MCS-51总线口的负载过重,74LS244是一个扩展输入口,同时也是一个单向驱动器,以减轻总线口
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