半导体物理(I)知到智慧树章节测试课后答案2024年秋西安电子科技大学

半导体物理(I)知到智慧树章节测试课后答案2024年秋西安电子科技大学第一章单元测试

关于回旋共振实验，以下说法正确的是（）。

A:实验中可以固定交变磁场频率，改变磁感应强度的大小和方向并观测吸收峰个数B:回旋共振实验样品为高纯样品，以保证其具有最好的本征特性C:改变磁感应强度B时，观测到的吸收峰个数是相同的D:半导体的导带极小值位置可以利用回旋共振实验确定

答案:实验中可以固定交变磁场频率，改变磁感应强度的大小和方向并观测吸收峰个数电子在晶体中的共有化运动指的是（）。

A:电子在晶体中各处出现的概率相同B:电子在晶体各元胞对应点出现的概率相同C:电子在晶胞中各点出现的概率相同D:电子在晶体各元胞对应点有相同的相位

答案:电子在晶体各元胞对应点出现的概率相同有效质量的引入，使得在研究晶体中电子的运动时（）。

A:只需考虑半导体所受外力B:把半导体所受外力和电子加速度直接联系了起来C:可以不考虑半导体所受外力D:把电子所受外力和电子加速度直接联系了起来

答案:只需考虑半导体所受外力；把半导体所受外力和电子加速度直接联系了起来单电子近似包含了晶体无杂质和缺陷、晶体中原子固定不动两方面的理想化。（）

A:对B:错

答案:对自由电子惯性质量是m0，而半导体中的电子由于受到半导体中原子核和其他大量电子的势场力影响，其质量变成了有效质量mn*。（）

A:错B:对

答案:错

第二章单元测试

电离后向导带提供电子的杂质称为（）。

A:受主杂质B:施主杂质C:复合中心D:双性杂质

答案:施主杂质室温下，在硅材料中掺入浓度为1015cm-3的杂质硼（），则引入的杂质能级（）。

A:靠近导带底B:在禁带中线附近C:靠近价带顶D:进入价带

答案:靠近价带顶杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。

A:钛或铜B:金或银C:硼或铁D:硼或磷

答案:硼或磷只形成原子空位的点缺陷称为（）。

A:刃型位错B:弗伦克尔缺陷C:肖特基缺陷D:陷阱

答案:肖特基缺陷Au在Ge中电离后可以引入四个能级，且都是深能级。（）

A:错B:对

答案:对

第三章单元测试

T>0K时，关于费米分布函数，以下说法正确的是（）。

A:当E=EF时，f(E)=50%，与温度大小无关。B:当E<EF时，f(E)>50%且f(E)随T的增大而增大。C:当E>EF时，f(E)>50%且f(E)随T的增大而增大。D:随E的增大，f(E)单调增大。

答案:当E=EF时，f(E)=50%，与温度大小无关。关于本征半导体，以下说法正确的是（）。

A:不含杂质的半导体，称为本征半导体。B:随着T增大，费米能级Ei趋于禁带中线。C:对于本征Si，只含有声学波散射机构。D:费米能级Ei处在禁带中线附近。

答案:对于本征Si，只含有声学波散射机构。关于强电离区n型非简并半导体，以下说法正确的是（）。

A:费米能级随施主浓度增大远离导带底EcB:空穴浓度与施主浓度成反比C:载流子浓度几乎不随温度而变化D:费米能级随温度增大趋于导带底Ec

答案:空穴浓度与施主浓度成反比对于n型非简并半导体，以下说法正确的是（）。

A:n0、p0表达式不适用于本征半导体B:n0p0积与温度T无关C:n0p0积与EF无关D:p0与掺杂浓度ND无关

答案:n0p0积与EF无关对于n型非简并半导体所处的五个温区，以下说法正确的是（）。

A:中间电离区电子和空穴浓度大小可以相比拟B:强电离区的本征激发不可忽略不计C:低温弱电离区的载流子浓度几乎不随温度而变化D:过渡区的电子和空穴浓度大小可以相比拟

答案:过渡区的电子和空穴浓度大小可以相比拟

第四章单元测试

载流子在电场作用下的运动为（）。

A:扩散运动B:漂移运动C:热运动D:共有化运动

答案:漂移运动随着温度的升高，杂质半导体中载流子受电离杂质散射的几率增大。（）

A:错B:对

答案:错光学波代表原胞中两个原子相位相同的振动，长光学波代表原胞质心的振动。（）

A:对B:错

答案:错对多能谷半导体，如果用电导有效质量代替有效质量，迁移率仍具有和各向同性半导体迁移率相同的表达形式。（）

A:错B:对

答案:对温度高到本征导电起主要作用时，一般器件就不能正常工作了。（）

A:错B:对

答案:对

第五章单元测试

器件生产中的掺金工艺是缩短少子寿命的有效手段，通过改变Si中金含量，可以大幅度缩短少子的寿命。（）

A:错B:对

答案:错关于表面复合，以下说法正确的是（）。

A:同样表面情况，样品越小，非平衡载流子寿命越长B:半导体的表面越粗糙，非平衡载流子的寿命越短C:表面复合属于直接复合D:表面复合不易受外界环境影响

答案:半导体的表面越粗糙，非平衡载流子的寿命越短关于半导体内部作用，以下说法正确的是（）。

A:当光停止照射后，半导体会逐渐恢复原先的热平衡状态B:热平衡是绝对静止的状态C:当光停止照射后，半导体内部载流子浓度不会再改变D:当光照射半导体时，其内部只发生载流子产生的过程

答案:当光停止照射后，半导体会逐渐恢复原先的热平衡状态有关非平衡载流子的寿命，以下说法正确的是（）。

A:在外部激励去除后，非平衡载流子全部复合所经历的时间称为非平衡载流子的寿命B:在寿命时间处，复合的非平衡载流子浓度为原先的1/eC:值越大的半导体，其非平衡载流子复合率越高D:不同材料或同一种材料在不同条件下，非平衡载流子的寿