模拟集成电路设计知到智慧树章节测试课后答案2024年秋广东工业大学

模拟集成电路设计知到智慧树章节测试课后答案2024年秋广东工业大学第一章单元测试

现代集成电路的生产可以使用各种工艺包括硅工艺和GaNGaAsSiGe等化合物工艺。（）

A:错B:对

答案:对集成电路设计可以包含模拟集成电路设计、数字集成电路设计、数模混合集成电路设计等很多方面。（）

A:对B:错

答案:对

第二章单元测试

NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。（）

A:错B:对

答案:对MOS管器件流控电压源。（）

A:对B:错

答案:错MOS管的小信号输出电阻是由MOS管的体效应产生的。（）

A:对B:错

答案:错MOS器件中，保持VDS不变，随着VGS的增加，MOS器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（）

A:对B:错

答案:错在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。

A:饱和区B:亚阈值区C:三极管区D:深三极管区

答案:饱和区MOS管一旦出现()现象，此时的MOS管将进入饱和区。（）

A:夹断B:耗尽C:反型D:导电

答案:夹断(

)表征了MOS器件的灵敏度。

A:roB:uncoxC:gmbD:gm

答案:gm模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（）

A:输入电阻B:增益C:输出电阻D:输出摆幅

答案:输出摆幅

第三章单元测试

共源共栅放大器结构的一个重要特性就是输出阻抗很高。（）

A:对B:错

答案:对对于共源放大器，与二极管连接的PMOS做负载相比较，用工作在饱和区的PMOS作负载可以得到更高的输出电阻。（）

A:对B:错

答案:对对于源极跟随器，与电阻负载相比，电流源负载能够提高它的线性度。（）

A:对B:错

答案:对共源共栅放大器的输出摆幅变大，增益变大（）

A:错B:对

答案:错源极跟随器能实现电平转换（）

A:对B:错

答案:对共栅级既是电压放大器，也是电流放大器（）

A:错B:对

答案:对有限电阻负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（）

A:增大器件宽长比B:增大负载电阻C:增加过驱动电压D:增大器件的沟道长度L

答案:增大器件的沟道长度L电流源负载共源级放大器中，下列措施不能提高放大器小信号增益的是。（）

A:增大器件的沟道长度LB:增大器件的沟道长度WC:降低输入管的过驱动电压D:增大漏极电流

答案:增大漏极电流

第四章单元测试

差分放大器比单端放大器的线性度好。（）

A:对B:错

答案:对提高差分放大器输入管的W/L可以提高输入范围。（）

A:错B:对

答案:错当差分放大器的差分输入为0时，放大器的跨导Gm最大。（）

A:对B:错

答案:对差分放大器的输入信号可以拆分为差分输入信号和共模输入信号。（）

A:错B:对

答案:对差动放大器的输入共模变化会影响输出偏置点和输出摆幅。（）

A:错B:对

答案:对当电路不对称时，差分放大器的输入共模变化会导致输出差模信号变化。（）

A:对B:错

答案:对对于一个差分放大器，可以通过改变它的偏置电流改变增益。（）

A:对B:错

答案:对

第五章单元测试

沟道长度调制效应会影响基本电流镜的电流复制精度。（）

A:对B:错

答案:对提高电流镜输出电阻不会影响电流镜的电流复制精度。（）

A:错B:对

答案:错共源共栅电流镜具有较大的输出摆幅。（）

A:对B:错

答案:错共源共栅电流镜具有较高的输出阻抗。（）

A:错B:对

答案:对低压共源共栅电流镜的最低输出电压为2Vdsat。（）

A:对B:错

答案:对五管OTA是差分输入单端输出的。（）

A:错B:对

答案:对提高五管OTA的输入共模电压可以提高输出动态范围。（）

A:错B:对

答案:错提高五管OTA的输入跨导可以提高共模抑制比。（）。

A:对B:错

答案:对

第六章单元测试

在阻抗Z与信号主通路并联的许多情况下，密勒定理被证明是有用的。（）

A:对B:错

答案:对采用密勒近似分析共源级电路的频率特性会忽略零点的存在。（）

A:对B:错

答案:对共源级电路中，当共源MOS管的CDB增加时，不能采用低频增益计算密勒效应的乘积项。（）

A:错B:对

答案:对一般情况下，和共源级电路相比，共栅级电路可以设计成具有更大的带宽。（）

A:错B:对

答案:对差动放大器的CMRR中零点频率大于极点频率。（）

A:对B:错

答案:对当RS>1/gm时，源级跟随器的输出阻抗包含电容的元件。（）

A:对B:错

答案:错和共源级相比，共源共栅电路抑制了密勒效应。（）

A:对B:错

答案:对

第七章单元测试

相位裕度越小，系统越稳定。（）

A:对B:错

答案:错折叠式共源共栅运放与套筒式共源共栅运放相比更适合做单位增益缓冲器。（）

A:错B:对

答案:对一个二级运放，不能同时实现高增益和大摆幅。（）

A:错B:对

答案:错输出级的高阻抗和偏置电流镜引入的电流偏差使运放的共模电压存在不确定性。（）

A:对B:错

答案:对电源抑制比（PSRR）定义为从输入到输出的增益除以从电源到输出的增益。（）

A:对B:错

答案:对在两级运放中采用密勒补偿技术可以（）

A:将次极点频率升高B:降低增益C:提升相位裕度D:将主极点频率降低

答案:将次极点频率升高；提升相位裕度；将主极点频率降低下图所示的电路被设计成额定增益为20，即1+R1/R2=20。要求增益误差为1%，则A1的最小值为（）

A:400B:200C:2000D:100

答案:2000

第八章单元测试

双极晶体管的基极-发射极电压，或者PN结二极管的正向电压，具有负温度系数。（）

A:错B:对

答案:对两个双极晶体管工作在不相等的电流密度下，它们的基极-发射极电压的差值就与绝对温度成正比。（）

A:错B:对

答案:对在带隙基准中，为了减小运放失调电压的影响，运放采用大尺寸器件，并仔细选择版图的布局。（）

A:错B:对

答案:对在带隙基准中，由运放产生的信号回到了两个输入端，正反馈系数必须小于负反馈系数，以确保总的是负反馈。（）

A:错B:对

答案:对基准电压的温度系数越小表示：（）

A:基准电压越高B:基准电压越低C:基准电压随温度的变化小D:基准电压功耗越小

答案:基准电压随温度的变化小下面哪个量具有负温度系数：（）

A:MOS管栅源电压差ΔVGSB:三极管基极-发射极电压VBEC:三极管基极-发射极电压差ΔVBED:电阻分压

答案:三极管基极-发射极电压VBE在带隙电压基准电路中，考虑集电极电流随温度变化的影响后，通常VBE的温度系数会变：（）

A:不变B:变小C:无法判断D:变大

答案:变小

第九章单元测试

三级CMOS反相器环形振荡器，反相器延时TD，产生的振荡周期为6TD。（）

A:错B:对

答案:对交叉耦合振荡器的尾电流源是用来降低电源电压敏感性。（）

A:错B:对

答案:对电阻是增量，负电阻表示：如果施加的电压增大，那么流过电路的电流减小。（）

A:错B:对

答案:对调节环振延时的“插值法”，产生最小频率时，只有慢路径导通。（）

A:对B:错

答案:对CMOS振荡器通常使用哪种类型的反馈？（）

A:正反馈B:负反馈C:无反馈

答案:正反馈对于图中环形振荡器，每个结点的振幅为多少？（）

A:1/2ISSR1B:4ISSR1C:2ISSR1D:ISSR1

答案:ISSR1LC振荡器的谐振频率主要由什么决定？（）

A:电感值L和电容值C的比值B:电感值L和电容值C的乘积C:电感值L和电容值C的平方根

答案:电感值L和电容值C的平方根

第十章单元测试

异或门作为鉴相器的增益与频率无关。（）

A:错B:对

答案:对PFD/CP/LPF组合是一个线性系统。（）

A:对B:错

答案:错PLL可以产生可变的输出频率。（）

A:错B:对

答案:对对于I型锁相环，ωLPF越小，稳定时间越短。（）

A:错B:对

答案:错需要对II型锁相环进行频率补偿以保持系统稳定