模拟电子技术题库与答案

模拟电子技术题库与答案一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.N型半导体是在本征半导体中掺入微量的（）价杂质元素构成的。A、五价B、六价C、四价D、三价正确答案：A2.绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大；B、无法判断。C、较小；D、为零；正确答案：D3.P型半导体中的少数载流子是()A、负离子B、自由电子C、空穴D、正离子正确答案：B4.P型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、正离子C、空穴D、负离子正确答案：C5.微变等效电路不能进行静态分析,也不能用于功放电路分析。()A、错误B、正确;正确答案：B6.集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（）A、对:B、错正确答案：B7.电压放大电路首先需要考虑的技术指标是()。A、不失真问题;B、管子的工作效率。C、放大电路的电压增益;正确答案：A8.晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）A、错B、对:正确答案：A9.低频小信号放大电路中，输入、输出具有反相关系的放大电路是（）A、共基放大电路B、共漏放大电路C、共集放大电路D、共射放大电路正确答案：D10.差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（）A、对:B、错正确答案：A11.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近()。A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A12.理想集成运放的输出电阻为()。A、0;B、∞;C、不定。正确答案：A13.场效应管是一种（）A、电流控制的电流源B、电流控制的电压源C、电压控制的电压源D、电压控制的电流源正确答案：D14.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是()A、克服温漂B、克服交越失真C、稳定放大倍数D、提高输入电阻正确答案：A15.理想集成运放的输入电阻为()。A、不定。B、∞;C、0;正确答案：B16.雪崩击穿和齐纳击穿都是场效应式的电击穿，不会损坏二极管。（）A、对:B、错正确答案：B17.理想集成运放的两个重要结论是（）。A、断路与短路。B、虚断与虚短；C、虚短与虚地；正确答案：B18.二极管的伏安特性曲线上可分为()A、恒流区、放大区和截止区三个分区B、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区C、恒流区、可变电阻区和截止区三个分区D、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区正确答案：B19.基本放大电路中，经过晶体管的信号有（）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。正确答案：B20.P型半导体中的多数载流子是()A、负离子B、自由电子C、空穴D、正离子正确答案：C21.虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（）A、对:B、错正确答案：A22.理想集成运放的两个重要结论是()。A、虚断与虚短;B、虚短与虚地;C、断路与短路。正确答案：A23.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻RB;B、电阻RE;C、电阻RC。正确答案：B24.场效应管正常工作时，电路中的电流是由（）构成的。A、空穴载流子B、多子C、少子D、自由电子载流子正确答案：B25.理想集成运放的输出电阻为（）。A、0；B、∞；C、不定。正确答案：A26.基本放大电路通常都存在零点漂移现象。()A、正确;B、错误正确答案：A27.当信号频率等于放大电路的上限频率或下限频率时，放大倍数的值约下降到中频时的（）A、0.5B、0.9C、0.707D、0.4正确答案：C28.当反馈深度|1+AF|=0时，放大电路（）A、出现深度负反馈B、出现正反馈C、出现负反馈D、出现自激振荡正确答案：D29.基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。A、截止区；B、饱和区；C、死区。正确答案：B30.理想集成运放的开环放大倍数Au0为()。A、∞;B、0;C、不定。正确答案：A31.双极型三极管的输出特性曲线上可分为（）A、死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个分区B、恒流区、饱和区、截止区和击穿区四个分区C、放大区、饱和区和截止区三个分区D、恒流区、放大区和截止区三个分区正确答案：C32.测得NPN三极管各电极对地电压分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，则该管必工作在（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、反向击穿区正确答案：A33.分压式偏置的共射放大电路,若VB点电位偏低,电路易出现()。A、截止失真B、饱和失真C、交越失真D、不会失真正确答案：A34.N型半导体中多数载流子是_____。A、PN结B、自由电子C、空穴正确答案：B35.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：A36.若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体三极管处于（）。A、截止状态；B、饱和状态；C、放大状态。正确答案：B37.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。（）A、错B、对:正确答案：A38.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、五价B、三价C、四价D、六价正确答案：B39.PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。（）A、错B、对:正确答案：B40.晶体三极管的极是它的()。A、栅极B、发射极C、基极D、集电极正确答案：B41.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、减轻前级或信号源负荷。B、带负载能力差;C、带负载能力强;正确答案：C42.场效应管的g极是它的()。A、漏极B、栅极C、发射极D、源极正确答案：B43.射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（）A、错B、对:正确答案：A44.单极型半导体器件是（）。A、二极管；B、场效应管；C、稳压管。D、双极型三极管；正确答案：B45.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是()。A、虚地;B、虚短;C、虚断。正确答案：B46.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。A、正确;B、错误正确答案：B47.集成运放使用时不接负反馈，电路中的电压增益称为开环电压增益。（）A、错B、对:正确答案：A48.射极输出器是典型的（）。A、电压串联负反馈。B、电流串联负反馈；C、电压并联负反馈；正确答案：A49.放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）A、错B、对:正确答案：B50.本征半导体中掺入五价杂质元素，会生成P型半导体，其多子是空穴载流子。A、错误B、正确;正确答案：A51.共发射极放大电路的反馈元件是（）。A、电阻RB；B、电阻RE；C、电阻RC。正确答案：B52.“虚短”和“虚断”两个重要概念，无论是分析运放的线性电路还是非线性电路均适用。A、正确;B、错误正确答案：B53.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、交流成分B、直流成分C、交直流成分均有正确答案：C54.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。A、错误B、正确;正确答案：A55.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为（）失真。A、频率B、交越C、饱和D、截止正确答案：D56.微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。（）A、对:B、错正确答案：B57.稳压二极管的正常工作状态是()。A、截止状态;B、任意状态。C、反向击穿状态;D、导通状态;正确答案：C58.N沟道场效应管的电流ID是由沟道中的（）在漏源极之间电场作用下形成的。A、空穴；B、电子；C、电子和空穴。正确答案：B59.共射放大电路输出波形出现上削波,说明电路出现了饱和失真。()A、错误B、正确;正确答案：A60.射极输出器的特点是()A、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大C、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大D、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小正确答案：B61.测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，说明此三极管处在（）。A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。正确答案：A62.基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。A、直流成分;B、交流成分;C、交直流成分均有。正确答案：C63.PN结两端加正向电压时,其正向电流是()而成。A、多子扩散;B、少子漂移;C、少子扩散;D、多子漂移。正确答案：A64.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：B65.集成运放一般分为两个工作区,它们分别是()。A、虚断和虚短。B、线性与非线性;C、正反馈与负反馈;正确答案：B66.基本放大电路中的主要放大对象是（）。A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。正确答案：B67.射极输出器的特点是（）A、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大D、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：C68.放大电路只有既放大电压又放大电流时，才能称为具有放大作用。A、错误B、正确;正确答案：A69.如果两个信号,它们的大小相等,相位相反,则它们是()信号。A、模拟B、共模C、差模正确答案：C70.NPN型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。（）A、错B、对:正确答案：A71.因放大电路对不同频率信号成分的放大能力和相移能力不同而造成输出畸变的现象称为（）A、截止失真B、交越失真C、频率失真D、饱和失真正确答案：C72.无论是双极型三极管还是单极型三极管，其导电机理是相同的。A、错误B、正确;正确答案：A73.如果两个信号,它们的大小相等,相位相同,则它们是()信号。A、差模B、模拟C、共模正确答案：C74.放大交流信号，只能采用阻容耦合方式或变压器耦合方式。（）A、错B、对:正确答案：A75.共发射极放大电路的反馈元件是()。A、电阻REB、电阻RCC、电阻RB正确答案：A76.(填空题)基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近____。A、截止区;B、饱和区;C、死区D、非线性区：正确答案：B77.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的失真为（）失真。A、交越B、截止C、饱和D、频率正确答案：C78.PNP型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结正偏D、发射结反偏、集电结反偏正确答案：B79.国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（）。A、双列直插式。B、圆壳式；C、扁平式；正确答案：A80.放大电路中的所有电容器的作用均为通交隔直。()A、错误B、正确;正确答案：B81.P型半导体是在本征半导体中加入微量的()元素构成的。A、六价。B、五价;C、三价;D、四价;正确答案：C82.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ie=βIbC、Ic=βIb正确答案：C83.晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。()A、正确;B、错误正确答案：B84.三极管超过()所示极限参数时,必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICMB、集—射极间反向击穿电压U(BR)CEOC、集电极最大允许耗散功率PCMD、管子的电流放大倍数正确答案：C85.NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形顶部出现失真为()失真。A、截止B、饱和C、频率D、交越正确答案：A86.晶体三极管的B极是它的()。A、基极B、集电极C、发射极D、栅极正确答案：A87.集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A88.分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。()A、正确;B、错误正确答案：A89.PNP型三极管用于放大时，应使发射结、集电结处于（）。A、发射结正偏、集电结正偏B、发射结正偏、集电结反偏C、发射结反偏、集电结反偏D、发射结反偏、集电结正偏正确答案：B90.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。A、仍为正弦波B、矩形方波C、正弦半波D、等腰三角波正确答案：C91.为了抑制2kHz以下的信号，应采用（）电路。A、带阻B、高通C、低通D、带通正确答案：B92.场效应管的极是它的()。A、源极B、栅极C、漏极D、发射极正确答案：B93.射极输出器的输出电阻小,说明该电路的()A、带负载能力强B、减轻前级或信号源负荷C、带负载能力差正确答案：A94.N型半导体中的多数载流子是（）A、自由电子B、负离子C、正离子D、空穴正确答案：A95.P沟道场效应管的电流ID是由沟道中的()在漏源极之间电场作用下形成的。A、自由电子;B、空穴;C、电子和空穴;D、负离子正确答案：B96.二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）A、对:B、错正确答案：B97.单极型半导体器件是()。A、晶体三极管;B、稳压管。C、场效应管;D、二极管;正确答案：C98.在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体。A、五价B、四价C、三价正确答