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文档简介
模拟电子技术知到智慧树章节测试课后答案2024年秋河北农业大学第一章单元测试
当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。
A:增大B:不变C:等于零D:减小
答案:增大半导体二极管的重要特性之一是()。
A:滤波特性B:温度稳定性C:单向导电性D:放大作用
答案:单向导电性电路如图所示,二极管导通电压UD=0.7V,关于输出电压的说法正确的是()。
A:uI1=3V,uI2=0.3V时输出电压为1V。B:只有当uI1=0.3V,uI2=0.3V时输出电压为才为1V。C:uI1=3V,uI2=3V时输出电压为5V。D:uI1=3V,uI2=0.3V时输出电压为3.7V。
答案:uI1=3V,uI2=0.3V时输出电压为1V。如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接,则该管()。
A:电流过大使管子烧坏B:电流为0C:正常导通D:击穿
答案:电流过大使管子烧坏某三极管各电极对地电位如图所示,由此可判断该三极管()
A:已损坏B:处于截止区域C:处于放大区域D:处于饱和区域
答案:已损坏场效应管可分为___场效应管和___场效应管两种类型。
答案:0晶体三极管的输出特性可分三个区域,当三极管工作在___区时,。
答案:无场效应管被称为单极型晶体管是因为___。
答案:0稳压管的正常工作区是___。
答案:0
第二章单元测试
图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线,静态工作点由Q2点向右移动到Q3点可能的原因是()。
A:集电极负载电阻RC变低B:集电极电源+VCC电压变高C:基极回路电阻Rb变高。D:基极电源+VBB电压变低
答案:集电极负载电阻RC变低某放大电路图所示.设VCC>>VBE,UCE≈0.3V,则在静态时该三极管处于()。
A:截止区B:饱和区C:区域不定D:放大区
答案:饱和区多级放大电路与组成它的各个单级放大电路相比,其通频带()。
A:不变B:与各单级放大电路无关C:变宽D:变窄
答案:变窄放大电路产生零点漂移的主要原因是()。
A:用了直接耦合方式B:用了正负双电源供电C:用了阻容耦合方式D:增益太大
答案:用了直接耦合方式共集电极放大电路的电压放大倍数接近于()
A:3B:2C:1D:4
答案:1在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中,___组态放大电路只能放大电压不能放大电流。
答案:0在三种组态基本放大电路中,___组态同时有电压和电流放大作用,___组态向信号索取的电流小,带负载能力强。
答案:0共射-共基组合电路中,由于共射电路的上限频率___共基电路的上限频率,故此组合电路的上限频率主要取决于___电路。
答案:0共基极电路的频率响应好,常用作宽带或高频放大电路。()
A:对B:错
答案:对
第三章单元测试
通频带可用BW表示,上、下限频率fH,fL,正确的是()。
A:BW=fH-fLB:BW=fL+fHC:BW=fLD:BW=fH
答案:BW=fH-fL已知放大电路的上、下限频率fH,fL分别为100KHZ,10KHZ,则通频带是()。
A:100KHZB:100KHZC:90KHZD:110KHZ
答案:90KHZ当信号频率等于放大电路的fL或fH时,则放大倍数值约下降到中频时()。
A:0.9倍B:0.8倍C:0.707倍D:0.5倍
答案:0.707倍多级放大器级联后,总的电压增益()。
A:下降B:提高C:不变
答案:提高多级放大器级联后,总的通频带()。
A:不变B:变窄C:变宽
答案:变窄放大电路的幅频特性曲线分为三个频段:___,___,高频段,幅频特性曲线如图所示。
答案:无当信号频率升高时,增益下降到0.707AM(对应-3dB)时所对应的频率称为___频率fH。
答案:0当频率下降时,增益下降到0.707AM时所对应的频率称为___频率fL。
答案:0在低频段,放大倍数下降的主要原因是隔直电容的容抗增大,在高频段,放大倍数下降的主要原因是三极管存在结电容。()
A:对B:错
答案:对
第四章单元测试
与甲类功率放大方式比较,乙类OCL互补对称功率放大方式的主要优点是()。
A:效率高B:不用输出端大电容C:不用输出变压器D:无交越失真
答案:效率高在甲类,乙类和甲乙类三种功率放大电路中,效率最低的是()。
A:乙类B:甲乙类C:甲类
答案:甲类在甲类,乙类和甲乙类三种功率放大电路中,失真最小的是()。
A:甲乙类B:甲类C:乙类
答案:甲乙类与甲类功率放大器相比,乙类互补推挽放大器的主要优点是()。
A:能量转换效率高B:无交越失真C:无输出变压器
答案:能量转换效率高所谓能量转换效率就是指()。
A:输出功率与电源提供的功率之比B:最大不失真输出功率与电源提供的功率之比C:输出功率与晶体管上消耗的功率之比
答案:最大不失真输出功率与电源提供的功率之比乙类推挽放大器的主要失真是___。
答案:交越失真要消除交越失真,应改用___类推挽放大器。
答案:0单电源互补推挽功率放大电路中,输出电容起到了双电源电路中的___的作用。
答案:0乙类互补推挽功率放大电路中,若电源电压为VCC,放大管的饱和压降为UCES,那么放大管的最大管压降为
2VCC-UCES。()
A:错B:对
答案:对
第五章单元测试
共模抑制比KCMR越大,表明电路()。
A:输入信号中的差模成分越大B:放大倍数越稳定C:抑制温漂能力越强D:交流放大倍数越大
答案:抑制温漂能力越强差分放大器左管输入电压+100mV,右管输入-300mV,其共模输入()。
A:-100mVB:200mVC:-200mVD:100mV
答案:-100mV互补输出级采用射极输出方式是为了使()。
A:带负载能力强B:电压放大倍数高C:输出电阻增大D:输出电流小
答案:带负载能力强集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
A:可以增大输入电阻B:可获得较高增益C:可使温漂变小D:在集成工艺中难于制造大电容
答案:在集成工艺中难于制造大电容双端输入.双端输出差分放大电路如图所示。已知静态时,Vo=Vc1-Vc2=0,设差模电压增益,共模电压增益,则输出电压为()。
A:500mVB:125mVC:1000mVD:250mV
答案:125mV如图所示的复合管,假设和分别表示T1T2单管工作时的穿透电流,则复合管的穿透电流为()。
A:B:C:D:
答案:某差动放大电路的输入信号则该差动放大电路的差模信号___mV,___mV.
答案:无差分放大电路的差模放大倍数和共模放大倍数是不同的,___越大越好,___越小越好。
答案:0已知某差动放大电路的差模电压放大倍数Ad=100,共模抑制比KCMR=60dB,则其共模信号放大倍数AC=___。
答案:0.167
第六章单元测试
负反馈所能抑制的干扰和噪声是()
A:输出信号中的干扰和噪声B:反馈环外的干扰和噪声C:反馈环内的干扰和噪声D:输入信号所包含的干扰和噪声
答案:反馈环内的干扰和噪声多级负反馈放大电路在()情况下容易引起自激。
A:放大器的级数少B:回路增益大C:闭环放大倍数很大D:反馈系数太小
答案:回路增益大电路如图所示,引入跨级之间的交流负反馈类型为()。
A:电流并联B:电压并联C:电流串联D:电压串联
答案:电压串联交流负反馈是指()
A:交流通路中的负反馈B:只存在于阻容耦合电路中的负反馈C:变压器耦合电路中的负反馈D:放大正弦波信号时才有的负反馈
答案:交流通路中的负反馈电路如图所示,R7引入的交流负反馈类型为()。
A:电压串联B:电流并联C:电压并联D:电流串联
答案:电压串联为稳定电路的输出信号,电路应采用___反馈。为了产生一个正弦波信号,电路应采用___反馈。
答案:0电压负反馈可使输出电阻减小到开环时的(1+AF)倍。()
A:对B:错
答案:对串联负反馈可使反馈环路内的输入电阻增加到开环时的(1+AF)倍。()
A:对B:错
答案:对电路中引入负反馈后,只能减小非线性失真,而不能消除失真。()
A:对B:错
答案:对
第七章单元测试
同相输入比例运算电路中的反馈极性和类型属于()。
A:电流串联负反馈B:电压串联负反馈C:正反馈D:电压并联负反馈
答案:电压串联负反馈理想运算放大器的共模抑制比为()。
A:零B:无穷大C:约120dB
答案:无穷大电路如下图所示,则该电路为()。
A:减法运算电路B:比例运算电路C:加法运算电路
答案:减法运算电路电路如图所示,该电路为()。
A:比例运算电路B:微分运算电路C:比例-积分运算电路
答案:比例-积分运算电路电路如图所示,该电路为()。
A:减法运算电路B:加法运算电路C:比例运算电路
答案:加法运算电路电路如图所示,输出电压为()。
A:-1VB:0C:-3VD:-2V
答案:-3V同相比例运算电路的输入电阻高,输出电阻也很高。()
A:对B:错
答案:错反相比例运算电路存在“虚地”现象,该电路不存在共模输入电压。()
A:对B:错
答案:对在模拟运算电路时,集成运算放大器工作在线性区。()
A:错B:对
答案:对理想运放工作在线性区时有两个主要的特点,分别为虚短和虚断。()
A:错B:对
答案:对
第八章单元测试
滞回比较器有2个门限电压,因此在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,其输出状态将发生()次跃变。
A:2B:1C:0D:3
答案:1有电路如图所示,则该电路为()。
A:带通滤波电路B:低通滤波电路C:高通滤波电路D:带阻滤波器
答案:低通滤波电路电路如图所示,该电路为()。
A:低通滤波电路B:高通滤波电路C:带阻滤波器D:带通滤波电路
答案:高通滤波电路虚断是指___。
答案:0如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同,那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压也相同。()
A:对B:错
答案:错单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。()
A:对B:错
答案:错输入电压在单调变化的过程中,单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。()
A:对B:错
答案:对为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈。()
A:对B:错
答案:对理想运放工作在非线性区时有两个主要的特点,分别为虚短和虚断。()
A:错B:对
答案:错
第九章单元测试
利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是()
A:f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器B:f=fs时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器C:fs<f<fp时,石英晶体呈感性,可构成串联型晶体振荡器D:fs<f<fp时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器
答案:f=fs时,石英晶体呈阻性,可构成串联型晶体振荡器LC正弦波振荡电路如图所示,该电路()。
A:满足振荡条件能产生正弦波振荡B:由于无选频网络不能产生正弦波振荡C:由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡D:由于不满足相位平衡条件,不能产生正弦波振荡
答案:由于放大器不能正常工作,不能产生正弦波振荡为了得到频率稳定度高的正弦波信号,应采用()振荡电路。
A:LC振荡器B:RC振荡器C:石英晶体振荡器
答案:石英晶体振荡器在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足()才能起振。
A:Au<3B:Au=1C:Au=3D:Au>3
答案:Au>3正弦波振荡电路的起振条件为___。
答案:正弦波振荡电路的起振条件为:幅值条件(AF>1)和相位条件(φA+φF=2nπ,n为整数)。在串联型石英晶体振荡电路中,晶体等效为___;而在并联型石英晶体振荡电路中,晶体等效为___。
答案:0只要电路中引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡。()
A:错B:对
答案:错凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。()
A:错B:对
答案:错非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。()
A:错B:对
答案:错在正弦波振荡电路中,只允许存在正反馈,不允许引入负反馈。()
A:错B:对
答案:错
第十章单元测试
单相桥式整流电路变压器次级电压有效值为10V,则每个整流二极管所承受的最大反向电压为()
A:10VB:20VC:14.14VD:28.28V
答案:14.14V桥式整流加电容滤波电路,设整流输入电压为20V,此时输出电压约为()。
A:9VB:24VC:18VD:28.2V
答案:24V滤波电路的主要元件是()。
A:稳压管B:电容和电感C:电阻D:二极管
答案:电容和电感具有放大环节的串联型稳压电路在正常工作时,调整管所处的工作状态是()。
A:饱和B:放大C:不能确定D:开
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