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DB3603Technicalspecificationforsemiconductorglazesfor萍乡市市场监督管理局发布I 1 1 1 2 3 6 7 8本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定顾问有限公司、芦溪高压电瓷电气研究院有通常输变电设备外绝缘表面附着的污秽物在潮湿条件下，其可溶物质逐渐溶于水，在外绝缘表面污闪问题长期以来一直困扰着电力系统和铁路运输行业，成为电力输变电和电气化铁路的技术发传统瓷绝缘子防污闪的措施有定期停电清扫针对上述问题，采用半导体釉制作的绝缘子因表面有一定电流通过，其热效应可以很好解决“污业该领域标准空白，引导产业规范生产和助力企业创新能1电瓷用半导体釉制作技术规范GB/T8411.1陶瓷和玻璃绝缘材料第1部分:定义和2将混合好的釉料在一定的温度和潮湿封闭的环境中放置一段时间，使釉料之间充分反应和混合均运行电压下受污表面受潮后流过绝缘子表面4制作条件4.1原料构成4.1.1基础釉用原料长石、石英、长丰泥、淘洗宜春土、淘洗江门土、烧滑石、硅灰石、4.1.2导电粒子用原料4.2设施设备4.2.1生产设备4.2.1.1生产设备包含但不限于球磨机、除铁器、振动筛、搅拌机、施釉机、补水机等。4.2.2检测设备34.2.3制作主要过程图1半导体釉主要制作工艺路线图5.1原料要求Al2O3MgO土土氧化二锑、二氧化钛、二硅化钼等，导电粒子用原料工业纯度应不小于95.2制釉45.2.2配料球石清理后宜按φ15/φ20/φ25/φ30cm规格及20：30：30：20体积比准备，配料中的料球水比例宜按1:1.6:0.6～0.8并适时调5.2.3球磨5.2.3.1球磨时间5.2.3.2铁点检查5.2.3.2.3除铁器应具有合理的检定周期，除铁棒应具有预定使用要求的磁性特性。5.2.4釉浆要求5.2.4.1釉浆水分5.2.4.2粘度5.2.4.3高温流动度5.2.6釉样试烧5.3施釉5.3.1基本要求釉浆调制后通过浸、喷、淋等动作手段进行施釉5.3.2施釉控制55.3.2.1坯体表面打磨干净，根据需求方图纸要求对所需部位进行施釉作业。5.3.2.2施釉前釉浆搅拌宜不小于0.5h，釉浆性能检测应符合附录B要求。5.3.2.3施釉过程中应持续搅拌，釉层厚度依据客户订货技术条件确定。5.4烧成5.5检测釉面进行孔隙性试验后不应有任何渗透现象试验方法按照GB/T31838.3-2019规定执行，性能参数应在106～1010Ω范围内。6123712棕釉比重：1.40～1.49g/ml，流速：10～16s计灰釉比重：1.48～1.54g/ml，流速：12～18s3棕釉比重：1.65～1.70g/ml，流速：18～24s计

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