【MOOC】电子技术基础-模拟电子技术-南京工程学院 中国大学慕课MOOC答案

【MOOC】电子技术基础—模拟电子技术-南京工程学院中国大学慕课MOOC答案1.1.1随堂测验1、【单选题】本征半导体中，若掺入的是价元素，则形成N型半导体。本题答案：【5】2、【判断题】在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。本题答案：【正确】3、【判断题】在绝对零度且无光照射时，本征半导体中没有价电子能够摆脱共价键的束缚。本题答案：【正确】1.1.2随堂测验1、【单选题】杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。本题答案：【掺入杂质元素的多少】2、【判断题】在本片半导体中如果掺入的是三价微量元素，则形成N型半导体。本题答案：【错误】3、【判断题】少子是由本征激发所产生的，所以对光照和温度敏感。本题答案：【正确】1.1.3随堂测验1、【单选题】硅二极管正常工作时，反向电流很小，且其大小随反向电压的增大而。本题答案：【基本不变】2、【判断题】PN结是由于漂移运动所形成的。本题答案：【错误】3、【判断题】空间电荷区由不能移动的杂质离子所构成的。本题答案：【正确】1.2.1随堂测验1、【单选题】对于面接触型的二极管，下列说法正确的是。本题答案：【可以承受较大电流，适合低频使用。】2、【判断题】点接触型二极管适合于低频、小电流情况下使用。本题答案：【错误】3、【判断题】当二极管用于大电流工作时，要求PN结的结面积大。本题答案：【正确】1.2.2随堂测验1、【单选题】当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。本题答案：【增大】2、【单选题】当温度升高时，二极管正反向特性曲线的特点是。本题答案：【正向特性曲线左移，反向特性曲线下移。】3、【判断题】锗管反向电流比硅管反向电流小得多。本题答案：【错误】1.2.3随堂测验1、【单选题】二极管的最高反向工作电压，通常规定为。本题答案：【击穿电压的一半】2、【判断题】当工作频率过高时，二极管将失去单向导电性。本题答案：【正确】3、【判断题】二极管如果超过最大整流电流，就一定会烧坏。本题答案：【错误】1.3.1随堂测验1、【单选题】二极管导通后对大信号所呈现的电阻，称为二极管的。本题答案：【导通电阻】2、【判断题】二极管的模型主要有理想模型、恒压降模型和小信号模型。本题答案：【正确】3、【判断题】在同时含有直流电源和小信号交变源的电路中，电流或电压的总量约等于静态量与动态量的叠加。本题答案：【正确】1.3.2随堂测验1、【单选题】当二极管回路电源电压较低时，采用模型比较合理。本题答案：【恒压降】2、【判断题】二极管的直流电阻、导通电阻和交流电阻是三个不同的概念。本题答案：【正确】3、【判断题】用模拟指针式万用表的电阻挡测量二极管正向电阻时，不同量程挡测得的正向电阻值是相同的。本题答案：【错误】4、【判断题】对于既有直流电源又有小信号源的电路，应先采用恒压降模型估算工作点，再用小信号模型进行动态分析。本题答案：【正确】1.4.1随堂测验1、【判断题】只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。本题答案：【错误】2、【判断题】利用二极管的正向特性也可以实现稳压。本题答案：【正确】3、【判断题】正常情况下，稳压二极管工作在反向击穿区。本题答案：【正确】1.4.2随堂测验1、【单选题】光电二极管工作时需要加偏置电压，工作于状态。本题答案：【反向；截止】2、【单选题】发光二极管导通时发光，工作电流的典型值为。本题答案：【正偏；10mA】3、【判断题】光电二极管的光电流随光照强度的增大而上升。本题答案：【正确】1.4.3随堂测验1、【单选题】肖特基二极管的导通电压，大约为。本题答案：【较低；0.4V】2、【单选题】变容二极管在电路中的主要作用是。本题答案：【可变电容器】3、【判断题】发光二极管是一种通以正向电流会发光的二极管，使用时应加正偏电压，且串接合适的限流电阻。本题答案：【正确】第1章作业第1章单元测验1、【单选题】半导体本征激发会成对产生。本题答案：【自由电子和空穴】2、【单选题】ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流。本题答案：【增加】3、【单选题】ＰＮ结外加正向电压时，耗尽层。本题答案：【变薄】4、【单选题】在室温27度时，硅二极管的死区电压大约为V。本题答案：【0.5】5、【单选题】在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为V。本题答案：【0.1】6、【单选题】二极管反向饱和电流随着温度的升高而。本题答案：【增加】7、【单选题】发光二极管正常工作时需要施加偏置电压。本题答案：【正向】8、【单选题】杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于。本题答案：【掺杂浓度】9、【单选题】半导体器件对敏感，这会导致器件性能的不稳定。本题答案：【温度和光照】10、【单选题】半导体二极管的重要特性之一是。本题答案：【单向导电性】11、【单选题】硅管的反向电流比锗管的反向电流，因此硅管的单向导电性和温度稳定性。本题答案：【小得多；较好】12、【单选题】如果把一个二极管直接同一个电动势为1.5V、内阻为0的电池正向连接，则该管。本题答案：【电流过大使管子烧坏】13、【单选题】锗二极管的开启电压为。本题答案：【0.2V左右】14、【单选题】当未加外部电压时，PN结中的电流。本题答案：【为0】15、【单选题】PN结形成后，空间电荷区由组成。本题答案：【杂质离子】16、【单选题】变容二极管在电路中的主要作用是。本题答案：【可变电容器】17、【单选题】流过二极管的正向电流增大时，其直流电阻将。本题答案：【减小】18、【单选题】在下列二极管中，需要正偏工作的是。本题答案：【发光二极管】19、【单选题】二极管整流电路的作用，是将正弦电压变成。本题答案：【单向脉动电压】20、【判断题】半导体二极管正向偏置，处在正常工作状态，即使流过管子的电流变化很大，管子两端的电压变化也很小。本题答案：【正确】21、【判断题】光电二极管正常工作时需要施加反向偏置电压。本题答案：【正确】22、【判断题】在P型半导体中掺入足够量的五价元素，可将其改型为N型半导体。本题答案：【正确】23、【判断题】杂质半导体中，存在自由电子和空穴两种带电粒子。本题答案：【错误】24、【判断题】杂质离子不能移动，因此不是载流子。本题答案：【正确】25、【判断题】N型半导体因为其多子是自由电子，所以它带负电。本题答案：【错误】26、【判断题】二极管稳压电路一般由稳压二极管(反向接法)和负载并联而得到，并应接有合适的降压电阻。本题答案：【正确】27、【判断题】肖特基二极管导通电压比普通二极管低。本题答案：【正确】28、【判断题】发光二极管反向击穿电压一般大于5V，为安全起见，一般工作在5V以下。本题答案：【正确】29、【判断题】光电二极管反向电流随光照强度增加而上升。本题答案：【正确】30、【判断题】稳压二极管工作在反向击穿区，但属于电击穿。本题答案：【正确】31、【判断题】工程中分析包含有二极管的电路，多采用恒压降模型进行静态分析，再用小信号模型进行动态分析。本题答案：【正确】32、【判断题】对包含多个二极管的电路进行分析时，要注意优先导通的管子会对其它管的工作状态产生影响。本题答案：【正确】33、【判断题】理想二极管等效为一个理想压控开关，正偏时开关合上，反偏时开关断开。本题答案：【正确】34、【判断题】二极管的伏安特性受温度影响较大，当温度升高时，正向特性曲线向右移，反向特性曲线向上移。本题答案：【错误】35、【判断题】热击穿是可逆的，电击穿是不可逆的。本题答案：【错误】36、【判断题】PN结两侧的电位差称为内建电位差，也叫接触电位差。本题答案：【正确】37、【判断题】对小信号而言，二极管的伏安关系呈线性，因此可以用一个电阻来等效。本题答案：【正确】38、【判断题】只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用本题答案：【错误】39、【判断题】本征激发会成对产生自由电子和空穴。本题答案：【正确】40、【判断题】纯净的半导体称为本征半导体。本题答案：【正确】41、【判断题】N型半导体的多数载流子是电子。本题答案：【正确】42、【判断题】P型半导体中的多数载流子是空穴。本题答案：【正确】43、【判断题】当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结。本题答案：【正确】44、【填空题】纯净且无杂质的半导体称为。本题答案：【本征半导体】45、【填空题】P型半导体中的多数载流子是。本题答案：【空穴】46、【填空题】N型半导体的多数载流子是。本题答案：【电子##%_YZPRLFH_%##自由电子】47、【填空题】当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个。本题答案：【PN结##%_YZPRLFH_%##空间电荷区##%_YZPRLFH_%##耗尽层##%_YZPRLFH_%##阻挡层##%_YZPRLFH_%##势垒区】48、【填空题】半导体二极管的最重要的特点是具有。本题答案：【单向导电性】49、【填空题】变容二极管是一个非线性电容，电容量随反向电压增加而。本题答案：【减小##%_YZPRLFH_%##变小】50、【填空题】用万用表电阻挡测试二极管时，若正向电阻远于反向电阻，说明二极管性能较好。本题答案：【小##%_YZPRLFH_%##低】51、【填空题】用万用表电阻挡测试二极管，其正、反向电阻均为零，说明二极管内部已。本题答案：【短路##%_YZPRLFH_%##短接##%_YZPRLFH_%##热击穿】52、【填空题】稳压二极管是利用二极管的特性实现稳压。本题答案：【反向击穿##%_YZPRLFH_%##稳压】53、【填空题】光电二极管工作时需加偏置电压。本题答案：【反向】54、【填空题】稳压管使用时应串接，以保证反向电流不超过最大允许电流，避免热击穿。本题答案：【限流电阻##%_YZPRLFH_%##降压电阻##%_YZPRLFH_%##电阻】2.1.1随堂测验1、【单选题】晶体管分为三个掺杂区，发射区的特点是掺杂浓度，基区的特点是区域很薄，掺杂浓度，集电区的特点是掺杂浓度较低，但面积大。本题答案：【高；低】2、【单选题】在晶体管的图形符号中，NPN管发射电流方向是的，PNP管的发射电流方向是的。本题答案：【流出；流入】3、【判断题】晶体管的图形符号中，箭头指示了发射极位置及发射结正偏时发射极电流的方向本题答案：【正确】2.1.2随堂测验1、【单选题】晶体管具有电流大作用的外部条件是，发射结，集电结。本题答案：【正偏；反偏】2、【单选题】晶体管截止的条件是，发射结，集电结。本题答案：【零偏或反偏；反偏】3、【判断题】晶体管工作于饱和状态时，集、射之间相当于开路。本题答案：【错误】2.1.3随堂测验1、【单选题】对于硅三极管，死区电压约为，对于锗三极管，死区电压约为。本题答案：【0.5V；0.1V】2、【单选题】硅三极管的导通电压通常取为。本题答案：【0.7V】3、【单选题】温度升高时，晶体管的导通电压，电流放大系数。本题答案：【减小；增大】2.1.4随堂测验1、【单选题】穿透电流随温度的上升而，这时晶体管的温度稳定性。本题答案：【增加；变差】2、【判断题】集电极的功耗如果超过了最大允许功率损耗，则晶体管的性能将变坏，甚至过热烧坏。本题答案：【正确】3、【判断题】当晶体管工作于放大状态时，直流放大系数与交流放大系数基本相等。本题答案：【正确】2.2.1随堂测验1、【单选题】晶体管直流电路的分析方法主要有。本题答案：【工程近似分析法、图解分析法和仿真分析法】2、【判断题】在工程近似法中，对于硅二极管，其导通电压可用0.2V表示。本题答案：【错误】3、【判断题】晶体管输出端外电路的伏安特性方程，也称为晶体管的输出电路的直流负载方程。本题答案：【正确】4、【判断题】晶体管的静态工作点Q非常重要，只有当Q点处于放大区时，管子才具有放大能力。本题答案：【正确】2.2.2随堂测验1、【单选题】晶体管发射结正偏导通时，工作状态有和两种可能。本题答案：【放大；饱和】2、【单选题】NPN型硅晶体管工作于饱和状态时，集射之间的电压近似等于。本题答案：【0.3V】3、【判断题】晶体管做为开关电路使用时，是工作在放大状态。本题答案：【错误】2.2.3随堂测验1、【单选题】当输入为时，可利用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。本题答案：【低频小信号】2、【判断题】图解分析法的缺点是分析问题的过程比较复杂，对小信号而言，作图的精度低。本题答案：【正确】3、【判断题】在工程分析中，通常先用工程近似法进行静态分析，再用小信号模型分析法进行动态分析。本题答案：【正确】2.3.1随堂测验1、【单选题】当栅源电压为0时，管不可能工作在恒流区。本题答案：【EMOS】2、【单选题】场效应管从结构上可分为两大类，即和。本题答案：【MOS场效应管；结型场效应管】3、【判断题】EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。本题答案：【错误】2.3.2随堂测验1、【单选题】对于MOSFET，根据栅源电压为0时是否存在导电沟道，可分为场效应管和场效应管。本题答案：【增加型；耗尽型】2、【判断题】饱和漏极电流是增强型管的参数。本题答案：【错误】3、【判断题】从对沟道的影响来讲，开启电压和夹断电压属于同一种参数。本题答案：【正确】2.3.3随堂测验1、【判断题】低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。本题答案：【正确】2、【判断题】跨导是一个与工作点无关的物理量。本题答案：【错误】3、【判断题】场效应管的耗散功率大小受到管子最高工作温度的限制。本题答案：【正确】2.3.4随堂测验1、【单选题】JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结，目的是使得输入电阻。本题答案：【反偏；很大】2、【判断题】静态工作点的分析可以采用小信号模型。本题答案：【错误】3、【判断题】场效应管电路的分析方法与晶体管电路的分析方法相类似，也是先静态分析，后动态分析。本题答案：【正确】第2章作业第2章单元测验1、【单选题】某NPN管电路中，测得BE之间的电压为0V，BC之间电压为-2V，则可知该晶体管工作于状态。本题答案：【截止】2、【单选题】在下列场效应管中，无原始导电沟道的为。本题答案：【增强型PMOS管】3、【单选题】输入时，可用H参数小信号模型对放大电路进行交流分析。本题答案：【低频小信号】4、【单选题】具有不同的低频小信号模型。本题答案：【晶体管与场效应管】5、【单选题】当GS之间的电压为0时，管不可能工作在恒流区。本题答案：【EMOS管】6、【单选题】工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为。本题答案：【100】7、【单选题】晶体管处于放大状态时，下列的正确说法是。本题答案：【发射结正偏，集电结反偏。】8、【单选题】晶体管处于饱和状态时，要求。本题答案：【发射结正偏，集电结正偏。】9、【单选题】晶体管截止时，两个PN结的偏置关系是。本题答案：【发射结反偏或零偏，集电结反偏。】10、【单选题】对小功率NPN硅管处于放大区时，。本题答案：【ＵＣＥ≥ＵＢＥ。】11、【单选题】对增强型MOS管，只有在栅源电压绝对值大于后，才会形成导电沟道。本题答案：【开启电压绝对值】12、【单选题】利用晶体管的开关特性可构成开关电路，这时管子工作在。本题答案：【饱和或截止状态】13、【单选题】下列说法不正确的是。本题答案：【双极型三极管通常简称为FET】14、【单选题】根据结构的不同，场效应管的类型通常分为种。本题答案：【6】15、【判断题】晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏导通，集电结反偏。。本题答案：【正确】16、【判断题】晶体管处于截止区的条件是发射结反偏或零偏，集电结反偏。。本题答案：【正确】17、【判断题】晶体管输出特性通常分为三个区域，它们是可变电阻区，饱和区和截止区。本题答案：【错误】18、【判断题】当温度升高时，晶体管的电流放大系数将变小。本题答案：【错误】19、【判断题】当温度升高时，晶体管的反向饱和电流将减小。本题答案：【错误】20、【判断题】场效应管是利用栅源电压改变导电沟道的宽窄来实现对漏极电流控制的。本题答案：【正确】21、【判断题】场效应管属于电流型控制型器件。本题答案：【错误】22、【判断题】晶体管主要作用是不失真地放大电压信号，为保证这一点，选择一个合适的静态工作点非常重要。本题答案：【正确】23、【判断题】可以采用小信号模型进行静态工作点的分析。本题答案：【错误】24、【判断题】场效应管的重要特性之一是具有很高的输入阻抗。本题答案：【正确】25、【判断题】EMOS管存在导电沟道时，栅源电压必定大于零。本题答案：【错误】26、【判断题】JFET外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。本题答案：【正确】27、【判断题】场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。本题答案：【正确】28、【判断题】场效应管主要工作原理是栅源电压对漏极电流的控制作用，但实际上漏极电流还受到漏源电压的影响。本题答案：【正确】29、【判断题】FET工作时只有一种载流子参与导电，这就是电子。本题答案：【错误】30、【判断题】FET全夹断时，没有导电沟道，但仍有电流通过。本题答案：【错误】31、【判断题】当温度升高时，晶体管导通电压增加。本题答案：【错误】32、【判断题】场效应管的放大区也就是饱和区。本题答案：【正确】33、【判断题】晶体管要求有合适的静态工作点，目的是使管子在信号变化范围内近似线性工作。本题答案：【正确】34、【判断题】在分析晶体管放大电路时，通常先估算静态工作点和rbe，然后用小信号等效电路法进行交流分析。本题答案：【正确】35、【判断题】晶体管画交流通路的关键之一是将电容断路。本题答案：【错误】36、【判断题】晶体管画直流通路的关键是：(1)将大电容视为短路；(2)直流电压源视为短路。本题答案：【错误】37、【判断题】开启电压是是耗尽型场效应管夹断导电沟道所需的栅源电压。本题答案：【错误】38、【判断题】开启电压是增强型场效应管产生导电沟道所需的栅源电压。本题答案：【正确】39、【判断题】低频跨导是指静态工作点处漏极电流的微变量与引起这个变化的栅源电压微变量之比。本题答案：【正确】40、【判断题】集电极功耗若超过集电极最大允许功耗，管子性能将变坏，甚至过热烧坏。本题答案：【正确】41、【判断题】集电极电流若超过最大允许电流，电流放大系数将明显下降，但不一定损坏管子，但若电流过大，则会烧坏管子。本题答案：【正确】42、【判断题】晶体管的小信号模型也称为H参数简化小信号模型、小信号等效电路或微变等效电路。本题答案：【正确】3.1随堂测验1、【单选题】某放大电路，负载开路时输出电压为3V，接入2kΩ负载时输出电压为2V，则输出电阻为（）kΩ。本题答案：【1】2、【单选题】某放大电路，信号源内阻为150Ω，信号源电压为20ｍＶ，输入电压为16ｍＶ，则输入电阻为（）Ω。本题答案：【600】3、【判断题】变压器可以将电压变大，它也是一种放大电路。本题答案：【错误】4、【判断题】频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。本题答案：【正确】5、【填空题】已知放大电路的｜Au｜＝100，则电压增益为dB。本题答案：【40】3.2（1）随堂测验1、【单选题】电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲减小UCEQ，可以（）。本题答案：【减小RB1】2、【单选题】分压式电流负反馈共射极放大电路中，要提高工作点的稳定性，可以（）。本题答案：【增大RE】3、【填空题】放大电路的静态工作点根据通路进行估算。本题答案：【直流】3.2（2）随堂测验1、【单选题】电容耦合分压式电流负反馈共射极放大电路中，欲提高电压放大倍数，可以（）。本题答案：【增大RＢ２】2、【单选题】共射极放大电路的性能特点是（）。本题答案：【反相放大】3、【判断题】分压式电流负反馈共射极放大电路中，输出电阻Rｏ＝RＣ∥RＬ。本题答案：【错误】3.2（3）随堂测验1、【单选题】为使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合，可以在信号源与负载之间接入（）放大电路。本题答案：【共集电极】2、【多选题】共集电极放大电路的性能特点有（）。本题答案：【电压放大倍数接近于1#输入电阻很大#带负载能力强】3、【多选题】共基极放大电路的性能特点有（）。本题答案：【同相放大#高频特性好#输入电阻很小#源电压放大倍数不高】4、【判断题】共集电极放大电路又称为射极跟随器本题答案：【正确】3.2（4）随堂测验1、【多选题】共源极场效应管放大电路的性能特点有（）。本题答案：【反相放大#输入电阻很大#放大倍数不很高】2、【判断题】场效应管放大电路的偏置电路都可以采用自给偏压电路。本题答案：【错误】3、【判断题】共漏极场效应管放大电路的电压放大倍数小于1。本题答案：【正确】3.3（1）随堂测验1、【单选题】选用差分放大电路的主要原因是（）。本题答案：【减小零漂】2、【多选题】差分放大电路中RE电阻的作用是（）。本题答案：【稳定工作点#抑制零漂】3、【填空题】差分放大电路对信号具有放大作用，对信号具有很强的抑制作用。差分放大电路的零漂很。（答案之间用逗号隔开）本题答案：【差模，共模，小】4、【填空题】某差分放大电路的两个输入端电压分别为ui1＝40mV，ui2＝10mV，则该电路的差模输入电压uid为mV，共模输入电压uic为mV。（答案之间用逗号隔开）本题答案：【30，25】3.3（2）随堂测验1、【单选题】对电流源而言，下列说法不正确的为（）。本题答案：【直流电阻很大】2、【单选题】把长尾式差分放大电路中的发射极公共电阻RE改为电流源可以（）。本题答案：【提高共模抑制比】3、【判断题】差分放大电路中，可以用电流源代替RE电阻是因为电流源的内阻很大。本题答案：【错误】3.3（3）随堂测验1、【单选题】差分放大电路由双端输出改为单端输出，则差模电压放大倍数（）。本题答案：【减小为原来的一半】2、【判断题】空载时，差分放大电路单端输入的电压放大倍数变为双端输入时的一半。本题答案：【错误】3、【判断题】差分放大电路双端输出时，主要靠发射极公共电阻的负反馈作用来抑制温漂。本题答案：【错误】4、【判断题】单端输出的具有电流源的差分放大电路，主要靠电流源的恒流特性来抑制温漂。本题答案：【正确】3.4（1）随堂测验1、【单选题】把放大电路分为甲类、乙类、甲乙类是根据晶体管在一个信号周期内的（）来区分的。本题答案：【导通时间】2、【单选题】功率放大电路、共射极放大电路、射极输出器的共同点是：（）本题答案：【是能量转换器】3、【判断题】功率放大器主要要求输出功率大，所以输出功率越大越好。本题答案：【错误】3.4（2）随堂测验1、【单选题】OCL电路的最大管耗发生在（）。本题答案：【Uom约等于0.64Vcc】2、【判断题】功率放大电路的效率是指最大不失真输出功率与直流电源所提供的平均功率之比。本题答案：【错误】3、【判断题】乙类互补对称功放在输出不失真情况下，输入信号越大，则输出功率越大，效率越高。本题答案：【正确】4、【判断题】OCL电路中最大不失真输出功率Pom≈V2CC/2RL，说明Pom与管子参数和输入信号无关。本题答案：【错误】5、【填空题】输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为W。本题答案：【2】3.4（3）随堂测验1、【单选题】在OTL功放电路中，若最大输出功率为1W，则电路中功放管的最大集电极功耗约为（）。本题答案：【0.2W】2、【单选题】下图中能构成NPN型复合管电路的为（）。本题答案：【】3、【判断题】OTL电路输出端必须串接大容量的电容器，它起到将单电源功放电路等效为双电源功放电路的作用。本题答案：【正确】3.5（1）随堂测验1、【单选题】直接耦合放大电路不能放大（）。本题答案：【频率远大于该电路上限频率的信号】2、【单选题】直接耦合多级放大电路中零漂危害最大的一级是（）。本题答案：【输入级】3、【判断题】多级放大电路的输入电阻与第二级电路的输入电阻无关。本题答案：【错误】4、【判断题】多级放大电路的输出电阻与末前级电路的输出电阻无关。本题答案：【错误】5、【判断题】多级放大电路的总增益等于各级放大电路增益的乘积。本题答案：【正确】6、【填空题】多级放大电路中常用的耦合方式有耦合、直接耦合、变压器耦合和光电耦合等。本题答案：【电容】3.5（2）随堂测验1、【单选题】集成运放输入级多采用差分放大电路主要是为了（）。本题答案：【减小温度漂移】2、【判断题】集成运放的中间级应提供足够大的放大倍数；输出级应具有较强的带负载能力，并且最大不失真输出电压应尽量大。本题答案：【正确】3、【判断题】集成运放的两个输入端之间满足虚短和虚断。本题答案：【错误】4、【填空题】由理想集成运放构成的电路如下图所示，已知ui=2V，则输出电压uo=V。本题答案：【8】3.1~3.3作业3.4~3.5作业3.1~3.3单元测验1、【单选题】某放大电路，负载开路时输出电压为3V，接入1kΩ负载时输出电压为1.5V，则输出电阻为kΩ。本题答案：【1】2、【单选题】某放大电路，信号源内阻为100Ω，信号源电压为20ｍＶ，输入电压为16ｍＶ，则输入电阻为Ω。本题答案：【400】3、【单选题】已知放大电路的?Au?=100，?Ai?=10，则下述错误的为。本题答案：【功率增益为60dB】4、【单选题】反映了放大电路对信号源或前级电路的影响。本题答案：【输入电阻】5、【单选题】放大电路中负载电阻的能量取自于。本题答案：【直流电源】6、【单选题】双极型三极管基本组态放大电路中，输入电阻最大的是共极电路本题答案：【集电】7、【单选题】三极管三种基本组态放大电路中，输出电阻最小的是共极电路本题答案：【集电】8、【单选题】单级三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是共极电路本题答案：【发射】9、【单选题】单级晶体管放大电路中，输出电压与输入电压反相的有共极电路。本题答案：【发射】10、【单选题】本题答案：【B】11、【单选题】本题答案：【A】12、【单选题】共射极放大电路空载时输出电压有截止失真，在输入信号不变的情况下经耦合电容接上负载电阻时，失真消失，这是由于。本题答案：【晶体管交流负载电阻减小】13、【单选题】本题答案：【D】14、【单选题】本题答案：【C】15、【单选题】本题答案：【B】16、【单选题】示电路是共极放大电路。本题答案：【基】17、【单选题】本题答案：【B】18、【单选题】选用差分放大电路的主要原因是。本题答案：【减小零漂】19、【单选题】把长尾式差分放大电路中的发射极公共电阻改为电流源可以。本题答案：【提高共模抑制比】20、【单选题】对电流源而言，下列说法不正确的为。本题答案：【直流电阻很大】21、【单选题】本题答案：【D】22、【单选题】本题答案：【D】23、【判断题】为了不失真地放大信号，要求放大电路的通频带不小于信号的频带。本题答案：【正确】24、【判断题】放大电路的输出电阻可由放大电路的开路输出电压除以短路输出电流求得。本题答案：【正确】25、【判断题】放大电路的输出电阻越小，则负载对输出电压的影响就越小，放大电路带负载能力就越强。本题答案：【正确】26、【判断题】放大电路只要静态工作点合理，就可以放大电压信号。本题答案：【错误】27、【判断题】频率失真是由线性的电抗元件引起的，它不会产生新的频率分量，属于线性失真。本题答案：【正确】28、【判断题】场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。本题答案：【错误】29、【判断题】本题答案：【错误】30、【判断题】放大电路的静态工作点根据直流通路进行估算。本题答案：【正确】31、【判断题】欲将小信号放大100倍，可选用共射极放大电路，也可选用共基极放大电路。本题答案：【正确】32、【判断题】欲采用一级电路将小信号放大90倍，可选用共射极放大电路，也可选用共源极放大电路。本题答案：【错误】33、【判断题】欲放大器的放大倍数为-10，输入电阻为2MHz，可选用共射极放大电路，也可选用共源极放大电路。本题答案：【错误】34、【判断题】性能较好的差分放大电路，对差模信号具有放大作用，而对共模信号和零漂具有很强的抑制作用。本题答案：【正确】35、【判断题】本题答案：【正确】36、【判断题】差模电压放大倍数与共模电压放大倍数之比的绝对值称为共模抑制比.本题答案：【正确】37、【判断题】将差分放大电路由双端输入改为单端输入，差模电压放大倍数将保持不变。本题答案：【正确】3.4~3.5单元测验1、【单选题】乙类放大管在一个信号周期内的导通情况，下述正确的为。本题答案：【导通时间为半周】2、【单选题】由于晶体管存在死区电压，所以乙类互补对称电路会产生失真。本题答案：【交越】3、【单选题】输出功率为10W的乙类OCL电路，所选用晶体管的额定管耗至少为W。本题答案：【2】4、【单选题】本题答案：【B】5、【单选题】功率放大电路、共发射极放大电路和射极输出器的共同点是。本题答案：【是能量转换器】6、【单选题】本题答案：【D】7、【单选题】功率放大电路中采用乙类工作状态是为了提高。本题答案：【放大器效率】8、【单选题】OTL电路负载电阻RＬ=10Ω，电源电压VCC=10Ｖ，略去晶体管的饱和压降，其最大不失真输出功率为Ｗ。本题答案：【1.25】9、【单选题】本题答案：【电容器C的电容量应足够小】10、【单选题】本题答案：【D】11、【单选题】本题答案：【A】12、【单选题】本题答案：【D】13、【单选题】本题答案：【A】14、【单选题】模拟集成电路中，同一芯片上相同元器件。本题答案：【参数一致性好】15、【单选题】集成运放中间级采用有源负载和复合管主要是为了。本题答案：【提高电压放大倍数】16、【单选题】本题答案：【B电路的小】17、【单选题】本题答案：【C】18、【判断题】A类、B类和AB类功放电路中，B类的效率最高本题答案：【正确】19、【判断题】提高功率放大器效率的常用措施是增大放大管的导通角。本题答案：【错误】20、【判断题】复合管的管型由首管决定，等效b值约等于组成该复合管的各管b值之积，带负载能力则由末管决定。本题答案：【正确】21