模拟电子技术学习通超星期末考试答案章节答案2024年

模拟电子技术学习通超星期末考试章节答案2024年当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的（

），即增益约下降（

）

答案:0.7、3dB放大电路再高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（

）。

答案:半导体管极间电容和分布电容的存在放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（

）。

答案:耦合电容和旁路电容的存在差分放大电路要求电路参数理想对称。

答案:对集成运放的末级采用互补输出级是为了（

）

答案:不失真输出电压大;带负载能力强/star3/origin/a67239fea3c11d4e28c557346940d203.png

答案:电源端/star3/origin/49537dd27fe3c9adf2ea46bc617f88c1.png

答案:输入端差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的（

），共模信号是两个输入端信号的（

）。

答案:差、平均值选用差分放大电路作为集成运算放大电路路的第一级的原因是（

）

答案:能有效抑制共模信号集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（

）。

答案:减小温漂为了增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用（

）。

答案:共射放大电路/star3/origin/e5c35fda955cb5422e832fd379785e0a.png

答案:错一个参数理想对称的差分放大电路，只能放大差模信号，不能放大共模信号。

答案:对/ananas/latex/p/3590140

答案:对/ananas/latex/p/3590181

答案:6、9直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是（

）。

答案:元件老化;晶体管参数受温度影响;电源电压不稳定集成运算放大器是一种采用阻容耦合方式的多级放大电路，因此低频特性差。

答案:错集成放大电路采用直接耦合方式的原因是(

)。

答案:便于集成阻容耦合多级放大电路的静态工作点相互独立，它只能放大交流信号。

答案:对已知三级放大电路各级放大倍数分别为-10、100、1，若输入电压ui=5mV，求输出电压uo为（

)V。

答案:-5晶体管单管放大电路三种基本接法中，共基极放大电路只能放大（

），不能放大电流，具有（

）跟随得特点。。

答案:电压、电流晶体管单管放大电路三种基本接法中，共射极放大电路既能放大（

）又能放大电压。

答案:电流对于交流通路，容量大的电容视为（

），无内阻的直流电源视为（

）。

答案:短路、短路对于直流通路，电容视为（

），电感视为（

），信号源视为短路，但应保留其（

）。

答案:开路、短路、内阻基本共射放大电路的电压放大作用，是利用晶体管的（

）放大作用，并依靠Rc将电流的变化转化为电压的变化来实现的。

答案:电流放大电路输出电阻Ro越（

），负载电阻RL变化时，Uo的变化越小，放大电路的带负载能力愈（

）。

答案:小、强若放大电路的信号源是电流源，放大电路的输入电阻越（

）越好

答案:小若放大电路的信号源是电压源，放大电路的输入电阻越（

）越好。

答案:大晶体管单管放大电路三种基本接法中，基本共集放大电路输入大阻（

），输出电阻（

），并具有电压跟随的特点。

答案:最大、最小基本共射放大电路频带较窄，而基本（

）放大电路常作为宽频带放大电路。

答案:共基基本共集放大电路，常用于电压放大电路的输出级，是利用了它输出电阻（

）的特点。

答案:小基本共集放大电路，常用于电压放大电路的输入级，是利用了它输入电阻（

）的特点。

答案:大晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻，所以它与静态工作点无关。

答案:错/star3/origin/2ce1159bb89dc42220cdc33670ab0795.png

答案:减小晶体管的直流等效模型用于分析放大电路的静态工作点。

答案:对h参数等效模型可以用于输入为小信号时放大电路的动态分析。

答案:错在共射放大电路中，当负载电阻RL减小时，电压放大倍数下降。

答案:对对于NPN型晶体管组成的基本共射放大电路，若产生截止失真，则输出电压(

)失真。

答案:顶部

对于NPN型晶体管组成的基本共射放大电路，若静态工作点取得过高容易产生（

）。

答案:饱和失真晶体管在输入信号的真个周期内始终工作在（

）状态，输出电压波形才不产生非线性失真。

答案:放大设置合适的（

），以保证放大电路不产生失真是非常必要的。

答案:静态工作点对于放大电路的基本要求，一是不（

），二是能够放大。

答案:失真（

）用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。

答案:通频带空穴是真实存在的粒子。

答案:错测得放大电路中晶体管三个电极的电位分别为12V，11.3V，0V，可以判断该晶体管是（

）。

答案:PNP硅管晶体管是电流控制电流器件，参与导电载流子为（

）。

答案:电子和空穴PNP晶体管具有放大作用的外部条件，发射结（

）偏置、集电结（

）偏置。

答案:正向、反向反向饱和电流对（

）很敏感。

答案:温度硅材料二极管开启电压约（

），导通电压

（

）

答案:0.5V、0.6~0.8V在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）

答案:杂质浓度本征半导体中，空穴浓度（）电子浓度

答案:等于测得放大电路中PNP晶体管各电极电位的关系：集电极电位最（

）、发射极电位最（

）

答案:低、高晶体管基区（

）掺杂并且薄，减小载流子的复合。

答案:轻晶体管工作在放大状态时，集电极电位最高，发射极电位最低。

答案:错晶体管是电流控制电流器件，参与导电载流子为（

）。

答案:电子和空穴集电结面积较（

），以便收集载流子

答案:大晶体管发射区（

）掺杂，以便发射更多的载流子。

答案:重稳压二极管工作时应保证其

。

答案:反向击穿理想二极管模型在直流电路分析中误差很大，因此不能使用。

答案:错二极管交流等效电路参数与其静态参数无关。

答案:错二极管的特性对（

）敏感，温度每升高1℃，正向压降（

)2~2.5mV。

答案:温度、减小点接触型二极管的特点：PN结结面积小，结电容小，多用于检波和变频等（

）电路

答案:高频PN结若想正向导通，P区需接（

）电位

答案:高在P型半导体中，空穴浓度大于自由电子浓度。

答案:对纯净的半导体称为本征半导体。

答案:错功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者电流放大倍数大（

）

答案:错任何放大电路都能放大电流。

答案:错RC串并联选频网络与共射极放大电路不能组成正弦波振荡电路。

答案:对深度负反馈条件下，闭环增益只与反馈网络有关。

答案:对当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W

答案:错RC串并联选频网络与两级共射极放大电路不能组成正弦波振荡电路。

答案:对整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压

答案:对直接耦合放大电路不能放大交流信号。

答案:错单限比较器中的抗干扰能力比滞回比较器强。

答案:错为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平，就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态，就是仅仅引入正反馈。

答案:对串联型稳压电路通过引入电压负反馈来稳定输出电压。

答案:对从输出特性曲线可知，晶体管有三种工作状态。

答案:对由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

答案:错/star3/origin/02d3f23ec5e9ae8a23178847b7a83e07.png

答案:对功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点：都使输出功率大于信号源提供的输入功率。

答案:对UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。

答案:错功率放大电路与电流放大电路的区别是1）前者比后者电流放大倍数大；（

）2）前者比后者效率高；（

）3）在电源电压相同的情况下，前者比后者的输出功率大。（

）

答案:对功率放大电路与电流放大电路的区别是前者比后者效率高（

）

答案:对只要在稳压管两端加反向电压就能起稳压作用。

答案:错简单电容滞后补偿的代价是放大电路的带宽变窄。

答案:对在图T8.1所示方框图中，产生正弦波振荡的相位条件是φF＝±φA。

答案:错功率放大电路与电压放大电路的区别是1）前者比后者电源电压高；（）2）前者比后者电压放大倍数数值大；（）3）前者比后者效率高；（）

4）在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（）

答案:错电路只要满足AF

=

1，就一定会产生正弦波振荡。

答案:错单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。

答案:错若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈

答案:错如果输入波形本身失真，通过引入负反馈也能减小非线性失真。

答案:错电容滤波电路适用于小负载电流，而电感滤波电路适用于大负载电流

答案:对因为RC串并联选频网络作为反馈网络时的φF＝0°，单管共集放大电路的φA＝0°，满足正弦波振荡的相位条件φA＋φF＝2nπ（n为整数），故合理连接它们可以构成正弦波振荡电路。

答案:错深度负反馈条件下，放大电路输入量约等于反馈量，因此有两虚（虚短、续断）情况。

答案:对电路只要满足∣∣A˙F˙∣∣=1，就一定会产生正弦波振荡。

答案:错电容滤波电路适用于小负载电流。

答案:对在共射放大电路中，当负载电阻RL

RL减小时，电压放大倍数下降。

答案:对本征半导体是指没有掺杂的纯净晶体半导体。

答案:对hh参数等效模型可以用于输入为小信号时放大电路的动态分析。

答案:错功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是

都使输出电流大于输入电流（

）

答案:错负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同

答案:对只有放大电路的输出端与输入端之间有反馈通路，才称其引入了反馈。

答案:错放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也就越稳定。

答案:错整流电路可将正弦电压变为脉动的直流电压。（

）

答案:对一个三级电压放大电路，各级电压增益分别为-20、-50、1，若输入电压为1mV，则输出电压为（

）。

答案:1000mV欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入

答案:电压并联负反馈自由电子为多数载流子的半导体为

型半导体。

答案:N为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入(

)。

答案:电流串联负反馈/star3/origin/27c190cb2be886195f10cf9508a7ed9d.png

答案:积分运算电路正弦波振荡电路由放大电路、（

）、（

）、稳幅环节组成

答案:选频网络、正反馈网络三端集成稳压器W7805表示输出电压（），最大输出电流为（）。

答案:5V、1.5A集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以(

)。

答案:克服温漂P型半导体的多数载流子是

答案:空穴对于NPN型晶体管组成的基本共射放大电路，若静态工作点取得过低将产生（

）。

答案:截止失真在稳压二极管所组成的稳压电路中，利用稳压管所起的（

）调节作用，通过限流电阻R上电压或电流的变化进行补偿，来达到稳压的目的。

答案:电流选择合适电路组成两级放大电路。要求输入电阻为100kΩ~200kΩ，电压放大倍数数值大于100,

第二级应采用(

)。

答案:共射电路在选择功放电路中的晶体管时，应当特别注意的参数有

答案:ICM欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入(

)。

答案:电压串联负反馈为了减小电路从信号源索取的电流并增大带负载能力，应在放大电路中引入(

)。

答案:电压串联负反馈对于放大电路，所谓闭环是指

答案:存在反馈通路PN结加反向电压时，主要是少子的（

）运动。

答案:漂移欲将三角波电压转换为方波电压，应选用(

)。

答案:微分运算电路为了抑制50Hz交流电源的干扰，应选用的滤波电路为(

)。

答案:带通滤波电路抑制频率为100kHz以上的高频干扰可选用____滤波电路。

答案:低通欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用

。

答案:加法运算电路/star3/origin/a9b4c3e8382892c745d8b546eea91c29.png

答案:交越失真已知输入信号的频率为10kHz

~12kHz

，为了防止干扰信号的混入，应选用的滤波电路是（

）

答案:带通选择合适电路组成两级放大电路。要求输入电阻大于10MΩ，电压放大倍数大于300，第二级应采用(

)。

答案:共射电路单相桥式整流电路中，负载上平均电压等于（）

答案:0.9U2PN结加正向电压时，主要是多子的（

）运动。

答案:扩散要获得-9V的稳定，集成三端稳压器应选择（

）。

答案:W7909差分放大电路的两个输入端电压分别为ui1=12mV,ui2=6mV，则差模输入信号

mV，共模输入信号为

mV。

答案:6、9两个单级放大电路的通频带均为20kHz，将他们构成两级阻容耦合放大电路后，总的通频带(

)

答案:小于20kHzPN结加正向电压时，由(

)形成电流，其耗尽层将变窄。

答案:扩散运动从输入信号中获得低于500Hz

的音频信号，应选用的滤波电路为(

)。

答案:低通滤波电路要获得+5V的稳定，集成三端稳压器应选择（

）

答案:CW7805/star3/origin/2866b56a8c3ebaf1c7b2beeb0cc1013b.png

答案:-4关于运放的理想化条件错误的是？

答案:共模抑制比趋于零下面关于差分放大电路的说法错误的是？

答案:共模抑制比越大，说明电路性能越差(7)(）耦合放大电路各级Q点互相独立，()耦合放大电路温漂小,（）耦合放大电路能放大直流信号。

答案:阻容;阻容;直接(6)在构成放大电路中，可以采用自偏压电路的场效应管有（)。

答案:N沟道结型场效应管、P沟道增强型场效应管、耗尽型MOS管(5)放大电路产生零点漂移的主要原因是（)。

答案:外因：环境温度内因：晶体管参数(4)三种基本放大电路中，输入电阻最大的是（)放大电路;输入电阻最小的是()放大电路;输出电压与输入电压相位相反的是（）放大电路;电压放大倍数最大的是（）放大电路;电压放大倍数最小的是（）放大电路;输出电阻最小的是（）放大电路;电流放大系数最大的是（）放大电路;电流放大系数最小的是（）放大电路;既有电流放大又有电压放大的是（）放大电路。

答案:共集;共基;共射;共射;共集;共集;共集;共基;共射(3)在分压式静态工作点稳定电路中，设置射极旁路电容C的目的是（)。

答案:使放大倍数增加(2)设置合适的静态工作点的目的是（)。在NPN型晶体管所组成的共射放大电路中，当输出电压波形出现削底时，则为(）失真，此时工作点设置偏（);当输出电压波形出现削顶时，则为（）失真，此时工作点设置偏（)。.

答案:使放大信号不失真;饱和;高;截止;低(1)放大现象存在于各种场合中，放大的对象是（)，放大的本质是（),放大的前提是（)。

答案:变化量;能量的控制;不失真(7〉复合管的类型与组成它的（(）的管子类型相同。

答案:第一级(6)电流源电路作为放大电路的有源负载的目的是（)。

答案:减小反馈电阻对静态工作点影响/ananas/latex/p/4741

答案:负反馈(4)差分放大电路的差模输入信号是两个输入端信号的()，共模输入信号是两个输入端信号的()。

答案:差;和(3)为了提高带负载能力，集成运放的输出级一般采用（)。

答案:互补功率输出电路(2)集成运放芯片内部均采用直接耦合方式的原因是（)。

答案:集成运放不易制作电感及大电容(1）集成运放的输入级采用差分放大电路的主要原因是（）

答案:抑制温漂(8)自激振荡的幅值平衡条件是（)，相位衡条件是（)。

答案:|AF|=1(7）如果希望减小放大电路从信号源索取的电流，同时又要求输出电压稳定，应引人)负反馈。

答案:电压串联(6)将电压信号转换成电流信号，应引入（）负反馈;将电流信号转换成电压信号，应引入（）负反馈。

答案:电流串联;电压并联(5）当信号源为恒压源或内阻较小的电压源时，应引入（）负反馈;当信号源为恒流源或内阻很大的电流源时，应引入（)负反馈。

答案:并联(4〉某一放大电路要求减小输入电阻并稳定输出电压，应引入（）负反馈。

答案:电压并联(3）为了增大放大电路的输入电阻，应引入（)负反馈，为了减小放大电路的输入电阻，应引入（)负反馈,为了稳定输出电压，应引人（)负反馈,为了稳定输出电流，应引入（)负反馈。

答案:串联;并联;电压;电流(2）交流负反馈能够改善放大电路的性能，主要有以下四方面:()、()、()、()，其改善程度与()有关。

答案:提高放大电路稳定性;改变输入输出电阻;扩展通频带;减小非线性失真;|1+AF|(1）使放大电路的净输入量（）的反馈称为正反馈，使放大电路的净输人量()的反馈称为负反馈。在（)通路中的反馈为直流反馈，在（）通路中的反馈为交流反馈。如想稳定电路的静态工作点，因引入（)。

答案:增加;减小;直流;交流;直流负反馈PN结外加正向电压足够大时，空间电荷区变窄，因此电流很小，不导电。

答案:错PN结的主要特性是

。

答案:单向导电性;单向导电PN结加反向电压时，空间电荷区将(

)。

答案:变宽N型半导体中自由电子的浓度和空穴的浓度之间的关系为（

）

答案:自由电子的浓度远高于空穴的浓度本征半导体的本征激发将产生

。

答案:电子和空穴对杂质半导体中多数载流子的浓度主要与以下哪些因素有关？（

）

答案:掺入的杂质浓度当温度升高时，半导体的导电能力将(

)。

答案:增强在本征半导体中导电载流子有（

）种。

答案:2/star3/origin/898243a593746d623566cd26c01bd3d0.png

答案:-5.7V理想二极管的反向电阻为(

)。

答案:无穷大/star3/origin/63404bbe281b2400b035593d7ce474a4.png

答案:3V/star3/origin/ad43bf9b41453299b1892d92ffef94bc.png

答案:-9.3V/star3/origin/34ccbf76eabff50fec33ee065f2b2882.png

答案:D1导通，D2截止当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（）。

答案:增大硅管正偏导通时，其管压降约为（

）。

答案:0.7V稳压管的稳压区是其工作在（

）。

答案:反向击穿/star3/origin/0921b663e8dfb1cb2655e8f96a2b0f1f.jpg

答案:稳定静态工作点;/star3/origin/2673cb81819d1faba4dfa33b2b8ef568.jpg

答案:减小分压式偏置放大电路的输出电压和输入电压的相位差为（

）。

答案:1800;/star3/origin/1ff5521b9730d775fd8808fb13c39be6.jpg

答案:整个电路的能源并提供晶体管的静态偏置;分压式偏置工作点稳定电路，当β＝50时，IB=20μA，IC=1mA。若只更换β＝100的晶体管，而其他参数不变，则IB和IC分别是（

）。

答案:10μA，1mA既有电压放大,同时又输出与输入电压反相,是()放大电路。

答案:共发射极放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力

。

答案:强关于放大电路中的静态工作点（简称Q点），下列说法中不正确的是（

）。

答案:

Q点要高由NPN管组成的基本共射放大电路，输入信号为正弦波，输出电压出现顶部被削平的失真这种失真是(

)

答案:截止失真射极输出器的

输出电压与输入电压近似相同。

答案:对共集电极放大电路的输入电阻很小，输出电阻很大。

答案:错输出特性曲线描述基极电流IB为一常量时，集电极______与管压降UCE之间的函数关系。

答案:电流三极管输入特性曲线指三极管集电极与发射极间所加电压VCE一定时，基极__________与发射结_________之间的关系。（请按顺序填写、字与字之间不要空格）

答案:电流

电压三极管的特性曲线主要有__________曲线和__________曲线两种。（请按顺序填写、字与字之间不要空格）

答案:输入输出NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中______极电位最低。

答案:发射NPN型三极管处于放大状态时，三个电极中电位最高的是______。

答案:集电极/star3/origin/6cd0725f701241b988763dda4120145c.png

答案:共集电极三极管放大电路组态分为：共基极、共_______极、共集电极。

答案:发射三极管放大电路组态一般有_______种。

答案:3关于三极管的放大的条件，从电位的角度看：对于PNP管，集电结:VC_______(大于/小于)VB。

答案:小于关于三极管的放大的条件，从电位的角度看：对于NPN管，集电结:VC_______(大于/小于)VB。

答案:大于关于三极管的放大的条件，从电位的角度看：对于PNP管，发射结:VB_______(大于/小于)VE。

答案:小于关于三极管的放大的条件，从电位的角度看：对于NPN管，发射结:VB_______(大于/小于)VE。

答案:大于三极管的放大的条件第二个条件是:集电结___________(正偏/反偏)。

答案:反偏三极管的放大的条件之一是:发射结___________(正偏/反偏)。

答案:正偏/D0F8E66E310E0C5D2D1073D076AC58ED.PNG?imageView&thumbnail=520x520&quality=100

答案:错/B34D18487AA42A62DD5C3C8D82CED6CE.PNG?imageView&thumbnail=520x520&quality=100

答案:错在共射放大电路中，当负载电阻RL减小，电压放大倍数下降。

答案:对放大电路的静态是指输入端开路时的电路状态。

答案:错/star3/origin/bf1716b45e754314b4996cf342f3282e.png

答案:D工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（

）

答案:100在三极管的三种基本组态中，只有电压放大能力而无电流放大能力的是基本共集组态。

答案:错当晶体管工作在放大区时

发射结电压和集电结电压应为_____

答案:前者正偏，后者反偏/95CDBF62C3EEA8D3803465259D879D1E.PNG?imageView&thumbnail=520x520&quality=100

答案:D稳压管稳压特性是利用其（）向特性，是属于（）击穿

答案:反;电PN结正偏，P接电源（），N接电源（）

答案:正极;负极P型半导体多子是（），离子是（）

答案:空穴;负离子晶体管能够放大的外部条件是（）。

答案:发射结正偏，集电结反偏由于PN结具有电容效应,结电容对于低频信号呈现出很大的容抗,因而在信号频率较低时要考虑结电容的影响。

答案:对在纯净的半导体中掺了杂质后，其导电能力大大增强。

答案:对在N型半导体中，多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。

答案:错二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5 μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为

答案:10 μA二极管的正向电阻比反向电阻

答案:小二极管在反向截止区的反向电流

答案:基本保持不变PN结加正向电压时，空间电荷区将

答案:变窄/star3/origin/af12f90ec34062ada34f0a4f5adb31b7.jpg

答案:-5V/star3/origin/ac0b7f318c15f97192b92e871e385843.jpg

答案:D为硅管，且导通半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（

）

答案:本征半导体在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（）

答案:电中性/star3/origin/88221463cdc0969c2e98e8833bce1d74

答案:（a）Uo=0V（b）Uo=3V发光二极管工作在（

）状态

答案:正偏稳压二极管工作在（

）状态

答案:反向击穿/star3/origin/f8e9b69c58a37a491b0aa67dbca570d8.png

答案:解：(1)在图(a)中，V2导通，V1截止，U0＝5V。(2)在图(b)中，V1导通，V2截止，U0＝0V。(3)在图(c)中，V1、V2均导通，此时有桥式整流电路属于半波整流。

答案:错对于实际二极管，只要加在二极管两端电压大于0，二极管一定导通

答案:错硅二极管死区电压（开启电压）为0.7V

答案:错当PN结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄；当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

答案:对PN结正偏时，势垒电容是主要的。

答案:错由于N型半导体中存在大量自由电子，故N型半导体会带负电。

答案:错如果给N型半导体中掺入足够多的三价元素，可将其改型为P型半导体。

答案:对在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____，而少数载流子的浓度与____关系十分密切。（A、温度，

B、掺杂工艺，

C、杂质浓度）

答案:CA稳压管是利用PN结的（

）特性制作而成的。

答案:反向击穿性在本征半导体中掺入五价元素后的半导体为：

答案:N型半导体P型半导体中，少数载流子是：

答案:自由电子当PN结的P区加电源正极，N区加电源负极，PN结（

）

答案:变窄在本征半导体中，本征激发产生的载流子是（

）

答案:自由电子和空穴由于杂质半导体中少数载流子数量远小于多数载流子，所以，任何情况下都可以忽略少数载流子的作用。

答案:错PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略。

答案:错P型半导体中只有空穴一种导电载流子。

答案:错二极管在工作电流大于最大整流电流IF时会损坏。()

答案:错二极管的最主要特征是（）。

答案:单向导电性本征半导体完全纯净的（），其载流子是自由电子和（

）。载流子的浓度（

）。

答案:半导体;空穴;相等P型半导体主要靠（

）导电，所以又称其为空穴型半导体。

答案:空穴/ananas/latex/p/5327

答案:26；二十六二极管的反向电流将随反向电压的增加而急剧（）

答案:增大；增加面接触型或面结型二极管适用于低频电路，主要用于（）电流。

答案:整流二极管加（）电压时呈现正向特性。

答案:正向漂移运动是指自由电子和空穴在（

）作用下的定向运动。

答案:电场二极管由一个（）构成，因此，它同样具有单向导电性。

答案:PN结；PN二极管的伏安特性是指（）和（）之间的关系。

答案:电压;电流二极管正向导通电阻为（）。

答案:零杂质半导体中多数载流子的浓度与什么因素有关（

）。

答案:掺入杂质的浓度理想二极管的反向电阻为（）。

答案:无穷大适用于高频电路的二极管类型是（

）。

答案:点接触型/ananas/latex/p/1423290

答案:对晶体管伏安特性是指管子电压与电流的关系曲线。

答案:对NPN型管发射极电流是流出，而PNP发射极电流是流入的。

答案:对发射区掺杂密度比集电区的低得多。

答案:错从各区引出电极引线，在表面镀上一层二氧化硅的目的是防止受外界的污染。

答案:对晶体管的箭头知识了发射极的位置及发射结正偏时发射极的（）方向

答案:电流发射区与基区之间的称为（）结，集电区与基区之间的称为（）结。

答案:发射;集电从各区引出的电极相应地被称为（）、（）、（）。

答案:基极;发射极;集电极晶体管是通过一定的工艺将（）个PN结相结合所构成的器件。

答案:2；两晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结(),集电结()。

答案:正偏;反偏晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域,分别是()、()、()。

答案:放大;饱和;截止晶体管在工作时有()种载流子参与导电。

答案:2；两晶体管从结构上可以分成()和()两种类型。

答案:PNP;NPN发射结所在的回路称为晶体管的（）回路，集电结所在的回路称为晶体管的（）回路。

答案:输入，输出晶体管要起放大作用，必须满足发射结（），集电结（）的偏置条件。

答案:正偏，反偏直流电源中，整流的目的是将交流变成直流。

答案:对/star3/origin/b819ed3ab5f46d3c59efb718af521aaf.png

答案:错/star3/origin/69b7c8bc27b7912c1a80493ae63fd229.png

答案:错在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有（

）。

答案:单向导电的特性/star3/origin/8ebd4ac8a9cdd7a7ed4de0263202f175.png

答案:14.4/star3/origin/76da6f6bf60cc2465a5d0eb09b7b2150.png

答案:24V/star3/origin/6891cb813e4893d5aceed8f71b1fe434.png

答案:单相桥式整流电路在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是（

）。

答案:四只只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。

答案:错在RC桥式正弦波振荡电路中，若RC串并联选频网络中的电阻均为R，电容均为C，则其振荡频率f0＝1/RC。

答案:错某LC振荡电路的振荡频率为100kHz，如将LC选频网络中的电容增大一倍，则振荡频率约为（

）。(a)200kHz

(b)140kHz

(c)70kHz

(d)50kHz

答案:70

kHz制作频率非常稳定的测试用信号源，应选用（）

答案:石英晶体正弦波振荡电路制作频率为20Hz～20kHz的音频信号发生电路，一般应选用（）

答案:RC正弦波振荡电路LC并联网络在谐振时呈（）

答案:阻性/star3/origin/7ac7cb8edba7fa4581e25a8e8a33c460.png

答案:

1与3相接，2与4相接如果一个滞回比较器的两个阈值电压和窗口比较器的相同，那么当他们的输入电压相同时，它的输出电压波形也相同。

答案:错单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强，而滞回比较器比单限比较器灵敏度高。（

）

答案:错输入电压在单调变化的过程中，单限比较器和滞回比较器的输出电压均只可能跃变一次。

答案:对为使电压比较器的输出电压不是高电平，就是低电平，应在其电路中使集成运放工作在开环状态或者引入正反馈。

答案:对/star3/origin/8c36ccf5e8a94485bc4b8be8df433b0c.jpg

答案:与

ui

反

相

位

的

方

波/ananas/latex/p/637

答案:-14V/star3/origin/66d33993ff847fce65698e0bac1a9f7e.png

答案:-（ui2+ui1）/star3/origin/4d663d54819ffd90159c089166c06f7c.png

答案:曲线2

/star3/origin/be91ae797931cc888ce9e36116dbeffd.jpg

答案:与

ui

反相位的正弦波/star3/origin/38900391a2b994a1ffcb0d89c29363f3.jpg

答案:ui2-ui1理想运算放大器的开环差模电压增益Aod的值为(

)。

答案:无穷大/star3/origin/157fbbaf056301c3366a3d41b28e6178.jpg

答案:

+1

~

-1

V/star3/origin/682f86bb502d257e5f897ebd9fafb603.png

答案:积分运算电路甲类功率放大电路，在理想情况下的最高效率只能达到50%。

答案:错集成放大电路中的所有三极管都是放大管，用来提供足够高的放大倍数。

答案:错在集成放大电路中采用有源负载，可以极大地提高放大电路的电压增益，同时还可以节省集成电路芯片面积。

答案:对因为差分放大输入级由两个单管放大电路构成，所以差模放大倍数等于单管放大倍数的两倍。

答案:错/star3/origin/f8b634d0bc7b61bd6f50a8272f739bdb.png

答案:错集成运算放大器输出级的主要特点是（

）。

答案:输出电阻低，带负载能力强甲乙类功率放大电路，在理想情况下的最高效率只能达到(

)。

答案:0.785功率放大电路通常工作在(

)。

答案:大信号状态对功率放大电路的基本要求是在不失真的情况下能有(

)。

答案:尽可能大的功率输出/star3/origin/4affd34099406021fdf1d9ca90e8a32a.png

答案:24.5W，69.8%/star3/origin/31895dd1a0ac6bae117e72388a125fe0.png

答案:消除交越失真，改善输出波形只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。（

）

答案:错只有直接耦合的放大电路中三极管的参数才随温度而变化，电容耦合的放大电路中三极管的参数不随温度而变化，因此只有直接耦合放大电路存在零点漂移。

答案:错/ananas/latex/p/143819

答案:集电极电阻RC

减小某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（

）

答案:4kΩ在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的（

）。

答案:负载电阻与共射单管放大电路相比，射极输出器电路的特点是(

)。

答案:输入电阻高，输出电阻低/star3/origin/35dc31ac0e5ae156bec5c1cc69e3f678.png

答案:错PN结加反向电压时，空间电荷区变窄，因此电流很小，可以忽略

答案:错/star3/origin/458882663a562c7a259ce89b51c1cecd.png

答案:错/star3/origin/902d1e020e723228de5afcda9c7bea27.png

答案:对/star3/origin/16f2f3d512f57d883ab1d59b36dbae74.png

答案:对已知某三极管的三个电极电位分别为6V,

2.7V,

2V,

则可判断该三极管的类型及工作状态为（

）。

答案:NPN型，放大状态杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(

)。

答案:杂质浓度半导体二极管的主要特点是具有(

)。

答案:单向导电性稳压二极管稳压时，其工作在(

)。

答案:反向击穿区某工作在放大状态的晶体管，测出其三个电极

X,Y,Z的电位分别为：0V，-10V，-9.7V，可知该三极管类型是

答案:NPN

型锗管为了提高半导体的导电性，在纯净的半导体中掺入适量3价或5价元素形成杂质半导体，但掺入的杂质浓度不能破坏半导体的晶体结构。

答案:对在本征半导体中掺入少量3价元素形成P型半导体，每个3价原子与周围原子构成共价键时因缺少一个价电子而产生一个空位，这个空位夺取附近共价键中的价电子而产生空穴，因此，在P型半导体中只有空穴一种导电载流子。

答案:错半导体二极管的主要特点是具有(

)。

答案:单向导电性固定偏置共射放大电路中集电极电阻Rc的作用？

答案:将集电极电流iC的变化转换为集电极电压的变化，再传送到放大电路的输出端。只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

答案:错共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（

）失真。

答案:截止集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（

）。

答案:

增大放大倍数多级放大电路的通频带比组成它的各个单级放大电路的通频带()。

答案:窄共集电极放大电路的负反馈组态是()。

答案:压串联负反馈为了使放大器带负载能力强，一般引入(

)负反馈。

答案:电压对于放大电路，所谓闭环是指(

)。

答案:反馈通路反馈信号的大小与输出电压成比例的反馈称为（）。

答案:电压反馈若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定，并且取用信号源的电流尽可能小，应选用(

)。

答案:串联电压负反馈在串联电压负反馈放大电路中,若将反馈深度增加,则该电路的输出电阻将()。

答案:减小负反馈能抑制（）。

答案:反馈环内的干扰和噪声对于放大电路，所谓开环是指（）。

答案:反馈通路差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压(

)

答案:大小相等，极性相同有一色环电阻中间只有一道黑色的色环，其阻值为零。

答案:对/star3/origin/ad45cd00e6740cb477e1f7f9ae7db41f.png

答案:47;47.0有一色环电阻，它的色环顺序是绿蓝黑黑银，其阻值为

。

答案:560±10%Ω；560正负10%Ω有一色环电阻，它的色环顺序是红红棕金，其阻值为

。（格式为A±B%）

答案:220±5%Ω；220正负5%Ω电阻就是导体对电流的阻碍作用的大小，电阻在电子电路中，应用非常广泛，其表示符号是

，单位是欧姆。

答案:R;r/star3/origin/46b4b486c6b24e28c949f0d0a289a7ea.png

答案:1000Ω;1KΩ电阻在电路中的作用主要包括（

）。

答案:串联分压;并联分流;负载;能量转换有一色环电阻，它的色环顺序是红黑棕金，其阻值和误差为（

）。

答案:200±5%Ω有一可调电阻，标示为203，其标示表示可调的最大电阻值为（

）Ω。

答案:20K实验室直流稳压电源的限流电流如何调节？

答案:打开电源，反时针将稳流调节旋钮调到最小，然后短接稳压电源的正、负端子，并顺时针调节稳流调节旋钮，使输出电流等于所要求的限流保护点的电流值，此时限流保护点已设定好。信号的峰峰值即为它的幅值。

答案:错叠加定律仅适合于线性电路，可用于计算电压和电流，还可用于计算功率。

答案:错在线性电路中，多个独立电源共同作用时，在任一支路中产生的电压或电流，等于各独立电源单独作用时在该支路所产生电压或电流的代数和。

答案:对假如一个正弦信号的频率是1Khz，则其周期是

。

答案:1ms;0.001s;0.001秒;1/1000s;1/1000秒;1毫秒波形的三要素是指（

）。

答案:周期;幅值;相位/star3/origin/25aa1e4a4ba3ce32654a41cdbe4a034b.png

答案:1开关按下、2开关弹起关于叠加原理，下列说法不正确的是（

）。

答案:在线性电路中能用于计算功率叠加定理只适用于线性电路，其中一个电源单独作用时，其余电压源和电流源应分别（

）。

答案:短路

开路

极性电容的引脚不能反接。

答案:对用阻值测试法测电容,如果阻值变化快则容量大。

答案:错电容元件并联时,总的电容量减少。

答案:错电容元件串联时,总的电容量增加。

答案:错电容元件是储存电场能的元件。

答案:对电容、电阻都是储能元件。

答案:错一阶RC电路零输入响应的电容电压uC从初始值按指数规律衰减,衰减快慢由时间常数决定,那么时间常数τ=____。

答案:第1空:rc;cr;RC;CR;R*C;C*R;r*c;c*r两只分别是20uF/30V和10uF/30V的电容串联后,其等效电容为____。

答案:6.67uF/star3/origin/4ec64a31de860401501dde1e2a667543.png

答案:2200uF；16V电容元件具有多种不同的类电解电容型,按结构分有固定电容、可变电容、微调电容;按极性分有极性电容和无极性电容,最常见的有极性电容是（

）。

答案:电解电容通俗说:电容相当于一个水杯,电容是一个可以储存和释放____能量的元件。

答案:电场电感元件C1与C2并联,其等效电感C为()。

答案:C1+C2两只分别是20uF/30V和10uF/30V的电容串联后,其等效电容为()。

答案:6.67uF电容元件上参数标示为224/400V,其标示意义是()。

答案:电容容量为220000PF,耐压为400V对于普通二极管,只要给二极管加上反向电压且不超过反向击穿电压,二极管就处于截止状态。

答案:对二极管正向偏置的条件是二极管阳极的电压要高于阴极且大于死区电压时,二极管才能导通____。

答案:对稳压二极管稳压时,工作在反向击穿区,而发光二极管发光时,是工作在反向截止区。

答案:错/star3/origin/bb0a41fff37fbe417829f26a289fcec7.png

答案:大于或等于已知图中变压器初级绕组为4400匝,输入电压为220V,输出电压为23V和14V,那么次级线圈绕组分别为____匝、____匝。

答案:460；280利用二极管的反向击穿特性,可制作（

）。

答案:稳压二极管二极管的三种工作状态分别是（

）、反向截止和反向击穿。

答案:正向导通二极管的正偏是指给二极管的正极P端外接电源的正极,给二极管的N端负极外接电源的负极,当电源电压超过死区电压时二极管处于____状态,偏置电压称为____。

答案:正向导通；正向偏置发光二极管需要外加不同的工作电压才能正常发光,一般情况下,发光二极管的正向电压在1.5~3.3V,实际运用中,为防止大电流损坏发光二极管,一般在二管电路中串接一个____(电阻、电容、电感)来进行保护作用。第1空

答案:电阻整流电路是利用整流元件的（

）来完成整流任务。

答案:单向导通特性三相交流电是指由三个____相等、频率相同(我们国家电网工频频率为50Hz),且相位互差120o的正弦电压所组成的供电系统。

答案:第1空:幅值整流电路将____电压变成脉动的____电压。

答案:交流；直流正弦交流电路中的（

）和容抗都与频率有关,当其频率发生变化时,电路中各处的电流和电压的幅值与相位也会发生变化,这就是所谓（

）特性。

答案:感抗；频率利用储能元件电感器L的____不能突变的特点,在整流电路的负载回路中串联一个电感,使输出电流波形较为平滑。

答案:电流家庭中的弱电一般是指直流电压在（

）V以内,比如音频、视频线路、网络线路、电话线路。家用电器中的电话、电脑、电视机的信号输入、音响设备的输入输出端线路等均为弱电电气设备。

答案:36电流和电压相位关于频率的特性称作____特性。

答案:相频（

）是一种基本信号,任何变化规律复杂的信号可以分解为按正弦规律变化的分量。

答案:正弦交流信号单相交流电实际上只用了____电路中的一相,因而称单相交流电。

答案:三相为了弥补半波整流电路的缺点,可以采用（

）个二极管实现全波整流。

答案:两工程上说的正弦电压、电流一般指（

）,如设备铭牌额定值、电网的电压等级等。但绝缘水平、耐压值指的是（

）。因此,在考虑电器设备的耐压水平时应按最大值考虑。

答案:有效值；最大值电流和电压幅值关于频率的关系叫（

）特性。

答案:幅频在桥式整流滤波电路中,若整流输入电压的有效值10V,此时,输出的电压约为(

)

答案:9V/star3/origin/323ea9378579dc273d03c07e1d523398.png

答案:反相集成稳压电源电路中,如果要得到固定稳压输出+12V电源电压,可以选用()型号的稳压器实现。

答案:L7812CV二极管有一个非常重要的特性是()。

答案:单向导通特性稳压二极管工作在稳压状态时,其工作区是伏安特性曲线的()。

答案:反向击穿区在二极管两端加上正向电压时,二极管()。

答案:超过死区电压才导通工作在反向击穿状态的二极管是()。

答案:稳压二极管发光二极管在使用时通常会串联一个电阻,其作用为()。

答案:限流保护二极管在外加反向电压的作用下,其工作状态是()。

答案:可能导通也可能截止二极管构成的稳压电路,其接法是()。

答案:限流调整电阻与稳压二极管串联后,再与负载电阻并联在单相桥式整流电路中,如果一只二极管接反,则()。

答案:将引起电源短路单相桥式或全波整流滤波电路中,已知变压器副边电压有效值为U2,则负载电阻RL上的平均电压等于()。

答案:1.2U2单相半波整流电路中,已知变压器副边电压有效值为U2,则负载电阻RL上的平均电压等于()。

答案:0.45U2/star3/origin/4c9e98f46d8fcb77aa478629f993d851.png

答案:1.5.6/star3/origin/9726b3d53bb7b3ab3513a16880e7b8ba.png

答案:100Ω/star3/origin/52aed1c5ebe87b5144fdf73b0130ad40.png

答案:（1）0.89（2）0.5kΩ/star3/origin/3fc379813f77c0223c0b32cf07d80af3.png

答案:（1）（2）-3.3（3）2075kΩ/star3/origin/1c88c2e740ee95d0c0f482e16d70966d.png

答案:-12.78/star3/origin/c4f494a949e88178e605c9f116df1f5a.png

答案:-8.1PN结加正向电压时，空间电荷区将（

）。

答案:变窄PN结正向偏置时，其内电场被（

）

答案:削弱

空间电荷区是由（

）构成的。

答案:离子PN结加正向电压时，空间电荷区将（）。

答案:变窄N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

1

价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为

2

，少数载流子为

3

，不能移动的杂质离子带

4

电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的

5

价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为

6

，少数载流子为

7

，不能移动的杂质离子带

8

电。

答案:B.5;A.自由电子;B.空穴;A.正电;A.3;B.空穴;A.自由电子;B.负电P型半导体的多数载流子是空穴，因此它应（

）。

答案:不带电当温度升高时，半导体的导电能力将（

）。

答案:增强/star3/origin/024507bfd1954de6f1237f007f58877c.png

答案:（a）放大状态（b）饱和状态（c）倒置状态（d）截止状态当三极管的发射结___________、集电结_________时，工作在放大区；发射结_________、集电结_________时工作在饱和区；发射结__________、集电结________时，工作在截止区。

答案:正向偏置；正偏;反向偏置；反偏;正向偏置；正偏;正向偏置；正偏;反向偏置；反偏;反向偏置；反偏三极管的输出特性曲线分为________________、__________________和______________三个区域。

答案:饱和区;放大区;截止区三极管在饱和导通状态时，下列说法中不正确的是（

）

答案:集电极电流受基极电流的控制/ananas/latex/p/4776175

答案:放大从晶体管内部载流子的运动规律可以看出，为了使晶体管起电流放大作用，需要满足两个条件，分别为________________________________和__________________________。

答案:发射结正向偏置;集电结反向偏置在NPN三极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的β增加，则IBQ

，ICQ

，UCEQ

。

答案:增大;增大;减小双极型晶体管分为两种类型，分别为__________和_______________。

答案:NPN型;PNP型晶体管是（

）器件。

答案:电流控制电流工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（

）

答案:100/star3/origin/b3165566cf0c3a55625db5b197c596b3.png

答案:rbe=300+(1+β)26/IEQ=300+51*26/2.5=0.8KΩ

Ri=rbe=0.8

KΩ

R0=RC=3

KΩR´L=RC∥RL=3∥6=2

KΩ

AU=-βR´L/rbe=-50*2/0.8=-125/star3/origin/08d42940138a79274ddb9f7c7e32363c.png

答案:电压放大倍数Au

输入电阻Ri

输出电阻Ro/star3/origin/c41f15e50acfe0c1b0bacc64717299de.png

答案:(a)可能；(b)可能；(c)不能；(d)不能，T的发射结会因电流过大而损坏。(e)可能。/star3/origin/b0f7bbec2310ebfa599645c1c10ce578.png

答案:IB=0.09mAIE=4.6mAUCE=7.4VAu=0.977=1Ri=19.3Ro=0.68说一说零点漂移现象是如何形成的？哪一种电路能够有效地抑制零漂？

答案:答：直接耦合的多级放大电路，当输入信号为零时，输出信号电压并不为零的现象称为零点漂移。晶体管参数受温度的影响是产生零漂的根本和直接原因。采用差动放大电路可以有效地解决零漂问题。/star3/origin/fff4590bd93065cbbe8884649c4419d2.png

答案:答：（a）图缺少基极分压电阻RB1，造成VB=UCC太高而使信号进入饱和区发生失真，另外还缺少RE、CE负反馈环节，当温度发生变化时，易使放大信号产生失真；（b）图缺少集电极电阻RC，无法起电压放大作用，同时少RE、CE负反馈环节；（c）图中C1、C2的极性反了，不能正常隔直通交，而且也缺少RE、CE负反馈环节；（d）图的管子是PNP型，而电路则是按NPN型管子设置的，所以，只要把管子调换成NPN型管子即可。共发射极放大器中集电极电阻RC起的作用是什么？

答案:RC起的作用是把晶体管的电流放大转换成放大器的电压放大。分压式偏置电路利用RB1和RB2组成的分压器固定了基极电位，所以IB就固定不变，根据Ic=βiB，则Ic也就固定不变。

答案:错放大电路的集电极电流超过极限值ICM，就会造成管子烧损。

答案:对共射放大电路输出波形出现上削波，说明电路出现了饱和失真。

答案:错基本放大电路通常都存在零点漂移现象。

答案:对微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。

答案:错共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。

答案:错晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。

答案:错设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。

答案:对分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。

答案:对射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。

答案:错放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。

答案:对晶体三极管工作在放大状态时Uce随Ib而变化，如果Ib增加，则Uce将_____；如果Ib减小，则Uce将_____。因此，Ib可以起调节电压作用。

答案:减小；变小；降低;增加；增大；变大；升高放大电路有两种工作状态，当ui＝0时电路的状态称为

态，有交流信号ui输入时，放大电路的工作状态称为

态。在

态情况下，晶体管各极电压、电流均包含

分量和

分量。放大器的输入电阻越

，就越能从前级信号源获得较大的电信号；输出电阻越

，放大器带负载能力就越强。

答案:静；静态;动；动态;动；动态;直流；交流;直流；交流;大；高;小；低对放大电路来说，人们总是希望电路的输入电阻

越好，因为这可以减轻信号源的负荷。人们又希望放大电路的输出电阻

越好，因为这可以增强放大电路的整个负载能力。

答案:越高；越大;越低；越小射极输出器具有

恒小于1、接近于1，

和

同相，并具有

高和

低的特点。共基极放大电路具有输入和输出电压

相的特点，输入电阻较

。分压式偏置放大电路具有

的特点。

答案:电压放大倍数；放大倍数;输入电压；输出电压；输入信号；输出信号;输入电压；输出电压；输入信号；输出信号;输入电阻;输出电阻;同;低；小;稳定静态工作点放大电路应遵循的基本原则是：

结正偏；

结反偏。

答案:发射;集电基本放大电路的三种组态分别是：

放大电路、

放大电路和

放大电路。

答案:共发射极;共集电极;共基极为了放大缓变信号或直流信号，多级放大电路的极间耦合方式采用（

）。

答案:直接耦合；基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（

）。

答案:饱和区；就放大作用而言，射极输出器是一种（

）。

答案:有电流放大作用而无电压放大作用；射极输出器的输出电阻小，说明该电路的（

）

答案:带负载能力强；微变等效电路适用于（

）。

答案:放大电路的动态分析共发射极放大电路的反馈元件是（

）。

答案:电阻RE基本放大电路中的主要放大对象是（

）。

答案:交流信号；基本放大电路中，经过晶体管的信号有（

）。

答案:交直流成分均有通用集成运放电路由

、

、输出级和偏置电路四部分组成。

答案:输入级

前置级;中间级由于受电源电压限制，当集成运放的输出电压达到一定值时，就进入了

区。

答案:非线性区集成运放的主要参数有

和

等。

答案:电压放大倍数，共模抑制比集成运放的线性区的斜率主要取决于

的大小。

答案:电压放大倍数集成运放的电压传输特性包括线性区和

两部分。

答案:非线性区集成运放工作在非线性区时有两个重要特点：“虚短”和“虚断”。

答案:错理想运放的两个输入端虚断是指

.

答案:集成运放的两个输入端的电流趋于零，但又不是真正断路的特点理想运算放大器的“虚短”和“虚断”的概念，就是流进运放的电流为

，两个输入端的电压为

，为保证运放工作在线性状态，必须引入

反馈。

答案:0;相等;负/ananas/latex/p/12499

答案:kΩ/ananas/latex/p/1226040

答案:5mA/ananas/latex/p/104375

答案:-6V/ananas/latex/p/2231

答案:13V/ananas/latex/p/1812205

答案:A.串联电压负反馈;B.串联电流负反馈/ananas/latex/p/2007959

答案:=20=0.1V=0.098V=0.002V/ananas/latex/p/241704

答案:（1）=（2）A发生+20%的变化时，的相对变化为4.35%

A发生-20%的变化时，的相对变化为-5.88%/star3/origin/41bfe1e94f3db91e6dcf2565ba034015.png

答案:串联电压负反馈，并联电压负反馈，并联电压负反馈/star3/origin/9ebbc9961531fc9ee21923af4705a57a.png

答案:并联电压负反馈/star3/origin/b174bc22c75502b5454e968f443a9cf6.png

答案:100希望提高放大器的输入电阻和带负载能力，应引入（

）。

答案:串联电压负反馈某测量放大电路，要求输入电阻高，输出电流稳定，应引入（

）。

答案:串联电流负反馈/ananas/latex/p/16113

答案:并联电压负反馈/ananas/latex/p/1944327

答案:无反馈/ananas/latex/p/216387

答案:负反馈/star3/origin/23796ce51c79d43e0c7fbdd6b17e28bb.png

答案:无反馈杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(

)。

答案:掺入杂质浓度N型半导体中自由电子浓度(

)空穴浓度

答案:高于已知三极管的三个极上的电压分别为A=10V,B=9.3,C=3.6V，判断该三极管发射极电压（）

答案:10V已知三极管的三个极上的电压分别为A=10V,B=9.3,C=3.6V，判断该三极管基极电压（）

答案:9.3V已知三极管的三个极上的电压分别为A=10V,B=9.3,C=3.6V，判断该三极管集电极电压（）

答案:3.6V已知三极管的三个极上的电压分别为A=10V,B=9.3,C=3.6V，判断该三极管材料（）

答案:Si已知三极管的三个极上的电压分别为A=10V,B=9.8,C=3.6V，判断该三极管材料（）

答案:Ge三极管的小型号模型输入用（）表示

答案:输入电阻三极管的小型号模型输出用（）表示

答案:受控电流源纯净的不含杂质的半导体称为（）

答案:本征半导体N型半导体是在本征半导体中加入（）元素

答案:5价P型半导体是在本征半导体中加入（）元素

答案:3价半导体的导电能力与下列哪个有关（）

答案:温度已知三极管的三个极上的电压分别为A=9V,B=8.8V,C=3.6V，判断该三极管基极电压（）

答案:8.8V已知三极管的三个极上的电压分别为A=9V,B=8.8V,C=3.6V，判断该三极管发射极电压（）

答案:9VPN结具有（）

答案:单向导电性二极管具有（）极

答案:2三极管的电流分配，下列说法正确的是（）

答案:Ie=Ib+Ic三极管正常工作的区域（）

答案:放大区半导体三极管也是（）器件

答案:非线性共发射极放大电路中耦合电容的主要作用是（）

答案:隔直通交PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

答案:对PN结内的扩散电流是载流子在电场力作用下形成的。

答案:错在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

答案:对漂移运动是少数载流子运动而形成的。

答案:对按结构分，二极管可以分成（）、（）、（）三种

答案:点接触型;面接触型;平面型按照材料分，半导体二极管可以分成（）二极管、（）二极管两种

答案:硅;锗温度增加PN结呈现的电阻将会变

。

答案:小PN结反偏时，内电场与外电场的方向

（相同/相反），空间电荷区变

（宽/窄），有利于

（少/多）载流子的漂移运动，阻碍

（少/多）载流子的扩散运动，此时PN结呈现的电阻

（大/小），PN结处于

状态。

答案:相同;宽;少;多;大;截止PN结正偏时，有利于

（多/少）数载流子的运动，阻碍

（多/少）数载流子的运行。

答案:多;少使PN结正偏的方法是：将P区接

（高/低）电位，N区接

（高/低）电位。

答案:高;低PN结的最大特点是

（单、双）导通。

答案:单漂移电流的方向是

。

答案:从N区到P区PN结中扩散电流的方向是

。

答案:从P区到N区PN结正向导通时：

答案:电阻较小;可以通过较大的电流;参与导电的主要是多子;内电场和外电场方向相反当PN结加反向电压时，关于载流子的定向运动，以下说法正确的是：

答案:多子运动减弱，少子运动增强关于PN结的空间电荷区，以下说法正确的似乎：

答案:阻碍了多子的运动，利于少子的运动半导体的导电能力取决于：

答案:多子的浓度关于P型半导体的说法，正确的是：

答案:整体呈电中性本征半导体中，电子和空穴这两种载流子的数量关系是：

答案:电子与空穴总是成对出现，数量一样多半导体的导电能力对着温度的升高而（）

答案:增强当温度升高时,二极管的反向饱和电流将

。

答案:增大稳压管的稳压区是其工作在

。

答案:反向击穿PN结加正向电压时,空间电荷区将

。

答案:变窄在本征半导体中,自由电子浓度

空穴浓度。

答案:等于空间电荷区由

构成。

答案:离子本征半导体温度升高后,

。

答案:自由电子和空穴数都增多,且数目相同P型半导体中,自由电子浓度

空穴浓度。

答案:小于在半导体中掺入微量的

价元素,形成N型半导体

。

答案:五本征半导体是

。

答案:完全纯净的半导体单级双极型三极管放大电路中，既能放大电压又能放大电流的是共（

）极电路，只能放大电压不能放大电流的是共（

）极电路，只能放大电流不能放大电压的是共（

）极电路。

答案:发射;基极;集电射极输出器的主要特点是：电压放大倍数

（

）、输入电阻

（

）、输出电阻（

）。

答案:1;很大;很小在画放大电路交流通路时，电容C视作

，直流电源UCC视作

。

答案:短路，短路射极输出器的输出电阻小，说明该电路的

。

（

）

答案:

带负载能力强工作在放大区的三极管，IB从20μA增大到40μA时，IC从1mA变为2mA则它的β值为（

）。

答案:50正弦电流经过二极管整流后的波形为（

）。

答案:正弦半波；

N型半导体中，多数载流子是

。

答案:电子

测得NPN型硅管各极对地电位分别是U1=6.7V，U2=1.7V，U3=2.4V,则1，2，3分别为（

）。

答案:集电极、发射极、基极集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（

）。

答案:线性与非线性基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（

）。

答案:饱和区；理想运放的两个重要结论是（

）

答案:虚断与虚短；在输入量不变的情况下，若引入反馈后（

），则说明引入的是负反馈。

答案:净输入量减小.放大电路产生零点漂移的主要原因是

。

答案:采用了直接耦合方式在RC桥式正弦波振荡电路中，当满足相位起振条件时，则其中电压放大电路的放大倍数必须满足（

）才能起振。

答案:Au>3射极输出器的特点是输入电阻

。

答案:高某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（

）。

答案:电流串联负反馈利用三极管的截止状态和

状态实现开关电路的断开和接通

。

答案:饱和状态共集电极放大电路的负反馈组态是（

）。

答案:电压串联负反馈

/star3/origin/3e2addf55ee1078ba95a36aca1cd6442.png

答案:反相比例运算电路共模抑制比越大，表明电路（

）。

答案:抑制温漂能力越强就放大作用而言，射极输出器是一种（

）。

答案:有电流放大作用而无电压放大作用与甲类功率放大方式比较，甲乙类的OCL互补对称功率放大方式的主要优点是（

）。

..

答案:效率高射极输出器的输出电阻小，说明该电路的

。

（

）

答案:带负载能力强

某双极型三极管多级放大电路中，测得Au1=-25，Au2=25

，Au3=1，则判断这三级电路的组态分别是（

）。

答案:共射极、共基极、共集电极测得三极管各极的对地电压分别为：VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V，则该三极管工作在（

）状态。

答案:饱和工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主要区别是，前者的运放通常工作在（

）。

答案:

开环或正反馈状态

稳压二极管稳压运行的时候是工作在_____区。

答案:反向击穿

/star3/origin/e0a7037f736e85bd4243cf4df4aee816.png

答案:D1导通，D2、D3截止稳压二极管的正常工作状态是（

）。

答案:反向击穿状态；三极管处于饱和工作状态时，外部条件是_____。

答案:发射结正偏、集电结正偏；半导体二极管的重要特性之一是（

）

答案:单向导电性在由NPN三极管组成的共发射极放大电路中，当输入信号为1KHz、5mV的正弦电压时，输出电压波形出现了顶部削平的失真，这种失真是（

）。

答案:

截止失真某NPN型三极管各电极对地电位分别为UE=2.2V，UB=2.9V，UC=2.5V，可判断该三极管处于（

）。

答案:饱和状态比较器的电压传输过程中具有回差特性。

答案:滞回为了提高功率放大器的输出功率和效率，三极管应工作在_____

____类状态。

答案:甲类状态为了有效的