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电路的德拜弛豫

1

2电路的德拜弛豫上式反映了德拜介电弛豫的基本特征,其中的弛豫时间是温度的函数。现在考虑临界慢化在介电谱上的具体表现。利用偶极子转向模型可以推知,弛豫时间与r(0)-r()成正比:

3图6.3LiNbO3沿c轴电容率的频率特征,1为实部,2为虚部,3为损耗正切。

4但此式成立的条件是红外以下的频率范围不存在色散。实际上大多数位移型铁电体并不呈现单纯的谐振型介电响应,由式(6.14)得出的电容率一般明显小于低频时实测的电容率。由式(6.12)可知,静态电容率为

5与位移型铁电体不同,有序无序型铁电体的介电弛豫频率1/通常位于微波或者更低的范围,所以借助于普通的介电测量即可得到有序无序型铁电体的介电色散。

6所以由上式可知,若忽略

1对温度的依赖型,则有又因为满足居里-外斯定律:

7将式(6.16)和(6.17)代入式(6.7)得

8可以看到,虽然零频电容率实部在TC发散,但较高频率时其值为零,仅在TC两侧出现极大。随着频率升高,这两个极大值之间距离增大。另一方面,TC处电容率虚部出现极大,随着频率升高,极大值的高度降低,峰宽增大。

9在式(6.7b)和6.7c)中消去,得到德拜弛豫中

r’和

r”的关系可以方便的用所谓Argand图表示。

10这是在r’和

r”为轴的直角坐标系中,以[(

r(0)+

r())/2,0]为中心,以(

r(0)+

r())/2为半径的圆的方程。这表明不同频率下,(

r’,

r”)的轨迹是个半圆,如图6.5所示,并称为Cole-Cole圆。以上这些特征在一些

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