TNXCL 28-2024 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚

NXCLSyntheticquartzcrucibleforsemiconductorgraI本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的夏大学、宁夏高创特能源科技有限公司、宁夏旭樱新能源科技有限1半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚GB/T2828.1—2012计数抽样检测程序第一部分：按接受质量限（AQL）检索的逐批检验抽样计划JC/T2205界定的以及下列术语及定义适用于本坩埚内壁本体的白色斑点，是粘附于坩埚内表面部分熔融的砂粉块或坩埚夹层未融化的石英透明层厚度bubbledepletionlayerthick4规格尺寸25技术要求5.1原料制作合成石英坩埚的外层原料主要为纯度大于99.99%的天然石英砂，内层原料为纯度大于99.999%的合成石英砂。5.2尺寸偏差石英坩埚的尺寸偏差应符合表1的规定。圆度偏差高度偏差弧度间隙rR223石英坩埚的透明层厚度应大于等于对应部位壁厚的五分之一，小于等于对应部位壁厚的百分之七石英坩埚的外观质量应符合表2的规定，或由供需双方商定提供。表2外观质量要求不允许有深度超过0.25mm,长度超过附着物凹痕或凸起不允许有直径超过20mm,深度超过1mm的白斑内表面壁内≤1个≤1个≤2个≤6个≤7个≤8个杂质点内表面内表面上不允许有暴露杂质点壁内≤2个≤2个≤1个≤4个≤4个≤2个≤6个≤8个≤6个≤10个≤10个≤6个≤20个≤20个宽度≤1.4mm;3mm<长度≤8mm的细长杂质点≤1个；长度>8mm的杂质点不允许内表面壁内≤1个≤1个≤2个≤2个≤3个≤3个≤3个≤5个≤5个≤8个≤8个≤8个≤12个≤20个≤24个两个或两个以上直径小于0.5mm的气泡且间距小于气泡径向尺寸5倍的微气泡群，气泡群的直径和数量按上述标准控制坩埚端口倒角与直壁交接处不允许有2mm×2mm浮砂石英坩埚的杂质元素含量应符合表3的规定。表3杂质元素含量要求类别K内层合成(≤)外层天然(≤)1200℃±5℃下恒温1h,无析晶白点出现。4T/NXCL28—20241500℃±10℃下恒温1h,石英坩埚形变率应小于等于2%。6.1.3弯弧壁厚偏差弧中心点透明层厚度，各部位测量点不少于4个，所得4个测量值误差不大于0.5mm,最终确定测56.5抗析晶性从石英坩埚直壁上切取约50mm×50mm原壁厚试样3块，内表面无外观缺陷，切口处磨平。用体积分数为10%~15%的盐酸溶液浸泡试样约10min后，用去离子水或无水乙醇清洗，并用脱脂棉擦净。将试样放入高温炉中，于1200℃±5℃下恒温6h,随炉自然冷却至室温后取出试样，目测观察6.6耐热性从石英坩埚直壁上纵向切取180mm×20mm原壁厚试样3块，样品处理方法按6.5的规定。将试样水平置于跨距为130mm的耐热支架上，在样品中部放置2g±0.2g(直径为15mm~20mm,长度为15mm~20mm)的石英半管，并使试样与石英半管接触面积最小，放入高温炉中，于1500℃±10℃下恒温1h,置高温炉中自然冷却至室温后取出试样，测量试样的拱高变化值△H,并按式(1)计算高△H——拱高变化值(单位：mm)。6.7等效试验7检验规则7.1检验分类7.2出厂检测7.2.1检验项目采用100%检验。7.2.3判定规则7.3型式检验d)产品停产6个月以上，重新恢复生产时；7.3.2检验项目型式检验的项目为本文件第