GB-T 17626.39-2023 电磁兼容 试验和测量技术 第39部分：近距离辐射场抗扰度试验

ICS33.100.20CCSL06中华人民共和国国家标准GB/T17626.39—2023/IEC61000-4-39:2017电磁兼容试验和测量技术第39部分:近距离辐射场抗扰度试验Electromagneticcompatibility—Testingandmeasurementtechniques—Part39:Radiatedfieldsincloseproximityimmunitytest[IEC61000-4-39:2017,Electromagneticcompatibility(EMC)—Part4-39:Testingandmeasurementtechniques—Radiatedfieldsincloseproximity—Immunitytest,IDT]2023-12-28发布2024-07-01实施国家市场监督管理总局国家标准化管理委员会ⅠGB/T17626.39—2023前言 Ⅲ引言 Ⅴ1范围 12规范性引用文件 13术语、定义和缩略语 13.1术语和定义 13.2缩略语 34概述 35试验等级 45.1概述 45.2试验频率 45.39kHz~150kHz频率范围内的试验等级 55.4150kHz~26MHz频率范围内的试验等级 65.526MHz~380MHz频率范围内的试验等级 75.6380MHz~6GHz频率范围内的试验等级 76试验设备 86.1磁场抗扰度 8 86.1.2磁场抗扰度,9kHz~150kHz 86.1.3磁场抗扰度,150kHz~26MHz 96.2射频辐射场抗扰度 106.2.1场发生装置,26MHz~380MHz 106.2.2场发生装置,380MHz~6GHz 107试验布置 107.1磁场抗扰度 107.1.1试验设施 107.1.2EUT的布置 107.1.3使用辐射环的试验方法 127.2射频辐射场抗扰度 127.2.1试验设施 127.2.2EUT的布置 128试验程序 138.1通则 13ⅡGB/T17626.39—20238.2气候条件 138.3电磁环境 138.4EUT的布置和运行模式 138.5磁场抗扰度 148.5.19kHz~150kHz的电平设置程序 148.5.2150kHz~26MHz的电平设置程序 148.5.3试验实施 158.6射频辐射场抗扰度 178.6.1电平设定程序 178.6.2试验实施 179试验结果评价 2010试验报告 20附录A(规范性)TEM喇叭天线 21A.1概述 21A.2频率范围 21A.3VSWR 21A.4场分布 21A.5TEM喇叭天线的总体设计 23附录B(资料性)试验频率、等级和调制 25B.1概述 25B.29kHz~26MHz范围内的磁场发射体 25B.326MHz~6GHz范围内的无线电业务 25附录C(资料性)现场试验 27C.1概述 27C.2试验程序 27C.3试验报告 27参考文献 28ⅢGB/T17626.39—2023本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。本文件是GB/T(Z)17626《电磁兼容试验和测量技术》的第39部分。GB/T(Z)17626已经发布了以下部分:—GB/T17626.1—2006电磁兼容试验和测量技术抗扰度试验总论;—GB/T17626.2—2018电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验;—GB/T17626.3—2023电磁兼容试验和测量技术第3部分:射频电磁场辐射抗扰度试验;—GB/T17626.4—2018电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验;—GB/T17626.5—2019电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验;—GB/T17626.6—2017电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度;—GB/T17626.7—2017电磁兼容试验和测量技术供电系统及所连设备谐波、间谐波的测量和测量仪器导则;—GB/T17626.8—2006电磁兼容试验和测量技术工频磁场抗扰度试验;—GB/T17626.9—2011电磁兼容试验和测量技术脉冲磁场抗扰度试验;—GB/T17626.10—2017电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡磁场抗扰度试验;—GB/T17626.11—2023电磁兼容试验和测量技术第11部分:对每相输入电流小于或等于16A设备的电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验;—GB/T17626.12—2023电磁兼容试验和测量技术第12部分:振铃波抗扰度试验;—GB/T17626.13—2006电磁兼容试验和测量技术交流电源端口谐波、谐间波及电网信号的低频抗扰度试验;—GB/T17626.14—2005电磁兼容试验和测量技术电压波动抗扰度试验;—GB/T17626.15—2011电磁兼容试验和测量技术闪烁仪功能和设计规范;—GB/T17626.16—2007电磁兼容试验和测量技术0Hz~150kHz共模传导骚扰抗扰度试验;—GB/T17626.17—2005电磁兼容试验和测量技术直流电源输入端口纹波抗扰度试验;—GB/T17626.18—2016电磁兼容试验和测量技术阻尼振荡波抗扰度试验;—GB/T17626.19—2022电磁兼容试验和测量技术第19部分:交流电源端口2kHz~150kHz差模传导骚扰和通信信号抗扰度试验—GB/T17626.20—2014电磁兼容试验和测量技术横电磁波(TEM)波导中的发射和抗扰度试验;—GB/T17626.21—2014电磁兼容试验和测量技术混波室试验方法;—GB/T17626.22—2017电磁兼容试验和测量技术全电波暗室中的辐射发射和抗扰度测量;—GB/T17626.24—2012电磁兼容试验和测量技术HEMP传导骚扰保护装置的试验方法;—GB/T17626.27—2006电磁兼容试验和测量技术三相电压不平衡抗扰度试验;—GB/T17626.28—2006电磁兼容试验和测量技术工频频率变化抗扰度试验;ⅣGB/T17626.39—2023—GB/T17626.29—2006电磁兼容断和电压变化的抗扰度试验;试验和测量技术直流电源输入端口电压暂降、短时中—GB/T17626.30—2023电磁兼容试验和测量技术第30部分:电能质量测量方法;—GB/T17626.31—2021电磁兼容扰抗扰度试验;试验和测量技术第31部分:交流电源端口宽带传导骚—GB/Z17626.33—2023电磁兼容试验和测量技术第33部分:高功率瞬态参数测量方法;—GB/T17626.34—2012电磁兼容试验和测量技术主电源每相电流大于16A的设备的电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验;—GB/T17626.39—2023电磁兼容试验和测量技术第39部分:近距离辐射场抗扰度试验。本文件等同采用IEC61000-4-39:2017《电磁兼容(EMC)第4-39部分:试验和测量技术近距离辐射场抗扰度试验》。本文件做了下列最小限度的编辑性改动:—为与我国标准体系一致,将标准名称改为《电磁兼容试验和测量技术第39部分:近距离辐射场抗扰度试验》;—调整了参考文献。请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由全国电磁兼容标准化技术委员会(SAC/TC246)提出并归口。本文件起草单位:上海市计量测试技术研究院、中国电子技术标准化研究院、中国电力科学研究院有限公司、中国计量科学研究院、联想(北京)有限公司、北京无线电计量测试研究所、国网上海市电力公司电力科学研究院、上海市医疗器械检验研究院、上海电器科学研究所(集团)有限公司。ⅤGB/T17626.39—2023电磁兼容性是电气和电子设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。电磁兼容问题是影响环境及产品质量的重要因素之一,其标准化工作已引起国内外的普遍关注。在这方面,国际电工委员会(IEC)制定的IEC61000系列出版物是制造业、信息产业、电工电气工程及能源、交通运输业、社会事业及健康、消费品质量安全等领域中的通用标准,分为综述、环境、限值、试验和测量技术、安装和减缓导则、通用标准6大类。我国已经针对该系列标准开展了国内转化工作,并建立了相应的国家标准体系。在该标准体系中,GB/T(Z)17626《电磁兼容试验和测量技术》是关于电磁兼容领域试验和测量技术方面的基础性标准,旨在描述传导骚扰、辐射骚扰等电磁兼容现象的抗扰度试验等内容,拟由39个部分构成。—第1部分:抗扰度试验总论。目的在于提供电磁兼容标准中有关试验和测量技术的使用性指导,并对选择相关的试验提供通用的建议。—第2部分:静电放电抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备遭受静电放电时的性能。—第3部分:射频电磁场辐射抗扰度试验。目的在于建立电气、电子设备受到射频电磁场辐射时的抗扰度评定依据。—第4部分:电快速瞬变脉冲群抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备的供电电源端口、信号、控制和接地端口在受到电快速瞬变脉冲群干扰时的抗扰度性能。—第5部分:浪涌(冲击)抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备在受到浪涌(冲击)时的抗扰度性能。—第6部分:射频场感应的传导骚扰抗扰度。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备在收到由射频场感应的传导骚扰时的抗扰度性能。—第7部分:供电系统及所连设备谐波、间谐波的测量和测量仪器导则。目的在于规定可用于根据某些标准给出的发射限值对设备逐项进行试验,对实际供电系统中谐波电流和电压的测量的仪器。—第8部分:工频磁场抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估家用、商业和工业用电气和电子设备处于工频(连续和短时)磁场中的抗扰度性能。—第9部分:脉冲磁场抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估居住、商业和工业用电气和电子设备处于脉冲磁场中的抗扰度性能。—第10部分:阻尼振荡磁场抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估中、高压变电站中电气和电子设备处于阻尼振荡磁场中的抗扰度性能。—第11部分:对每相输入电流小于或等于16A设备的电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估额定输入电流每相小于或等于16A且连接到50Hz交流网络的电气和电子设备在经受电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度性能。—第12部分:振铃波抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估在实验室中居住、商业和工业用电气和电子设备的抗扰度性能,同样也适用于发电站和变电站的设备。—第13部分:交流电源端口谐波、谐间波及电网信号的低频抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备对谐波、间谐波和电网信号频率的低频抗扰度性能。ⅥGB/T17626.39—2023—第14部分:电压波动抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备在受到正和负的低幅值电压波动时的抗扰度性能。—第15部分:闪烁仪功能和设计规范。目的在于为所有实际的电压波动波形显示正确的闪烁感知电平。—第16部分:0Hz~150kHz共模传导骚扰抗扰度试验。目的在于建立电气和电子设备经受共模传导骚扰测试的通用和可重复性准则。—第17部分:直流电源输入端口纹波抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,用以在实验室条件下对电气和电子设备进行来自于如整流系统和/或蓄电池充电时叠加在直流电源上的纹波电压的抗扰度试验。—第18部分:阻尼振荡波抗扰度试验。目的在于建立通用的和可重现的基准,以评估电气和电子设备在受到阻尼振荡波时的抗扰度性能。—第19部分:交流电源端口2kHz~150kHz差模传导骚扰和通信信号抗扰度试验。目的在于确认电气和电子设备在公用电网下工作时能承受来自诸如电力电子和电力线通信系统(PLC)等的差模传导骚扰。—第20部分:横电磁波(TEM)波导中的发射和抗扰度试验。目的在于给出TEM波导的性能、用于电磁兼容试验的TEM波导的确认方法、在TEM波导中进行辐射发射和抗扰度试验的试验布置、步骤和要求。—第21部分:混波室试验方法。目的在于建立使用混波室评估电气和电子设备在射频电磁场中的性能和确定电气电子设备的辐射发射等级的通用规范。—第22部分:全电波暗室中的辐射发射和抗扰度测量。目的在于规定在同一个全电波暗室内进行辐射发射和辐射抗扰度的通用确认程序、受试设备的试验布置要求和全电波暗室测量方法。—第23部分:HEMP和其他辐射骚扰防护装置的试验方法。目的在于通过描述HEMP试验的基本原理,以及防护元件试验的理论基础(试验概念)、试验配置、所需设备、试验程序、数据处理等重要概念。—第24部分:HEMP传导骚扰保护装置的试验方法。目的在于规定HEMP传导骚扰保护装置的试验方法,包括电压击穿和电压限制特性的试验,以及电压和电流快速变化时的残余电压的测量方法。—第25部分:设备和系统HEMP抗扰度试验方法。目的在于建立通用的和可重现的基准,用于评估遭受HEMP辐射环境及其在电源、天线、I/O信号线和控制线上产生的传导瞬态骚扰时的电气和电子设备性能。—第27部分:三相电压不平衡抗扰度试验。目的在于为电气和电子设备在受到不平衡的供电电压时的抗扰度评价建立参考。—第28部分:工频频率变化抗扰度试验。目的在于为电气和电子设备在受到工频频率变化时的抗扰度评价提供依据。—第29部分:直流电源输入端口电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验。目的在于建立评价直流电气、电子设备在经受电压暂降、短时中断和电压变化时的抗扰度的通用准则。—第30部分:电能质量测量方法。目的在于规定50Hz交流供电系统中电能质量参数测量方法及测量结果的解释。—第31部分:交流电源端口宽带传导骚扰抗扰度试验。目的在于建立通用的基准,以评估电气和电子设备交流电源端口在遭受有意和/或无意宽带信号源产生的传导骚扰时的抗扰度。—第32部分:高空核电磁脉冲(HEMP)模拟器概述。目的在于提供国际上现有的HEMP模拟器以及它们作为抗扰度试验与验证设备时所需要的相关信息。—第33部分:高功率瞬态参数测量方法。目的在于给出高功率电磁瞬态响应波形的测量方法和ⅦGB/T17626.39—2023特征参数的信息。—第34部分:主电源每相电流大于16A的设备的电压暂降、短时中断和电压变化抗扰度试验。目的在于建立评价电气和电子设备在经受电压暂降、短时中断和电压变化时的抗扰度的通用准则。—第35部分:高功率电磁(HPEM)模拟器概述。目的在于提供国际上现有的系统级HPEM窄带(窄谱)和宽带(宽谱、亚超宽谱和超宽谱)模拟器以及它们作为抗扰度试验与验证设备时所需要的相关信息。—第36部分:设备和系统的有意电磁干扰抗扰度试验方法。目的在于为评估设备和系统对有意电磁干扰源的抗扰度提供了确定试验水平的方法。—第37部分:谐波发射试验系统校准与验证协议。目的在于为制造商、终端用户、独立实验室、其他组织机构提供系统化指导,以规定一定谐波电流发射范围内适用的合规状态。—第38部分:电压波动和闪烁合规测试系统的测试、验证和校准协议。目的在于为由型式试验设备组成的系统提供定期校准和验证的指南和方法。—第39部分:近距离辐射场抗扰度试验。目的在于建立通用的基准,以评估暴露于近距离源的辐射射频电磁场中的电气电子设备的抗扰度要求,供其他产品的技术委员会、通用标准、产品类标准和产品标准引用。—第40部分:调制或失真信号功率的数字测量方法。目的在于介绍两种适用于波动或非周期负载下功率量测量的数字算法,并说明所提出的算法的工作原理。1GB/T17626.39—2023电磁兼容试验和测量技术第39部分:近距离辐射场抗扰度试验1范围本文件规定了电气和电子设备暴露在近距离使用的射频(RF)发射机的辐射电磁能量下的抗扰度要求。建立了试验等级和所需的试验程序。适用频率范围为9kHz~6GHz。考虑了暴露于便携式发射装置的固定安装设备,暴露于固定发射装置的移动设备,以及暴露于其他移动发射装置的移动设备。本文件旨在建立一个通用的基准,以评估暴露于近距离辐射源的射频电磁场中的电气电子设备的抗扰度要求。本文件并不取代IEC61000-4-3和IEC61000的其他部分规定的电气电子设备对辐射电磁能量的一般抗扰度要求,仅适用于设备或系统暴露于近距离骚扰源时。200mm,频率低于26MHz时距离不大于500mm。本文件的试验方法描述了评估设备或系统在各自的频率范围内对特定现象抗扰度的一致方法。产品委员会将考虑试验的适用性,且在必要时,根据受试设备(EUT)、频率范围、骚扰源等,选择适用的试验方法。注:按照IECGUIDE107里的描述,本文件是为产品委员会所用的基础电磁兼容(EMC)标准。正如IECGUIDE107声明的,产品委员会负责确定是否采用本文件,如果采用,他们负责确定适当的试验等级和性能判据。本文件涉及与RF磁场和电磁场相关的抗扰度试验,这些电磁场来自于任何靠近其他电气电子设备或系统的源。本文件为独立的试验方法。当宣称符合本文件时,不宜采用其他试验方法来代替本文件提出的方法。2规范性引用文件下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中,注日期的引用文件,仅该日期对应的版本适用于本文件;不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。IEC60050-161国际电工词汇(IEV)第161章:电磁兼容[InternationalElectrotechnicalVocab-ulary(IEV)—Chapter161:Electromagneticcompatibility]注:GB/T4365—2003电工术语电磁兼容(IEC60050-161:1990,IDT)。3术语、定义和缩略语3.1术语和定义IEC60050-161界定的以及下列术语和定义适用于本文件。ISO和IEC的术语数据库通过下述网址访问:IEC电子百科:/ISO在线阅览平台:/obp2GB/T17626.39—2023注:除非另有说明,本文件中使用的术语“电压”和“电流”是指交流或直流电压或电流的有效值。电磁兼容性electromagneticcompatibility;EMC设备或系统在其电磁环境中能正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力。[来源:GB/T4365—2003,161-01-07]电磁骚扰electromagnetic任何可能引起装置、设备系统性能降低或者对生物或非生物产生不良影响的电磁现象。注:电磁骚扰可能是电磁噪声、无用信号或传播媒介自身的变化。[来源:GB/T4365—2003,161-01-05]3.1.3[电磁]发射(electromagnetic)emission从源向外发出电磁能的现象。[来源:GB/T4365—2003,161-01-08]3.1.4存在于给定场所的所有电磁现象的总和。注:通常,电磁环境与时间有关,对它的描述可能需要用统计的方法。[来源:GB/T4365—2003,161-01-01]3.1.5远场farfield天线的电磁场区域,其中体现能量传播的电磁场分量占支配地位,并且电磁场的角分布基本与离天线的距离无关。注1:在远场区,电磁场分量的幅度与天线距离成反比。注2:如边射天线的最大总尺寸D大于波长λ,通常取离天线的距离大于2D2/λ处为远场区。[来源:GB/T14733.10—2008,712-02-02,有修改—“区域”一词已从该术语中删除。]3.1.6场强fieldstrength场的电或磁的分量。注1:场强用伏特每米(V/m)或安培每米(A/m)表示。注2:对于在近场中进行的测量,根据测量结果分别是电场还是磁场,使用术语“电场强度”或“磁场强度”。在该场区域中,电场和磁场强度与距离之间的关系是复杂且难以预测的,取决于所涉及的具体配置。由于确定复杂场各分量的时间和空间相位关系通常是不可行的,因此场的功率通量密度同样是不确定的。3.1.7[对骚扰的]抗扰度immunity(toadisturbance)装置、设备或系统面临电磁骚扰不降低运行性能的能力。[来源:GB/T4365—2003,161-01-20]抗扰度试验电平immunitytestlevel进行抗扰度试验时,用来模拟电磁骚扰试验信号的电平。[来源:GB/T4365—2003,161-04-41]3GB/T17626.39—20233.1.9近场nearfield无功近场[区]reactivenearfield(region)直接围绕天线的空间区域,其中体现天线与周围媒质间无功能量交换的电磁场分量占支配地位。[来源:GB/T14733.10—2008,712-02-01,有修改—术语中,“感应场[区]”已经被“近场”替代]极化polarisation辐射场的电场矢量的方向。射频radiofrequency;RF电磁频谱中,介于音频部分和红外部分之间,对无线传输有用的频率。3.2缩略语下列缩略语适用于本文件。AM:幅度调制(AmplitudeModulation)CDMA:码分多址(CodeDivisionMultipleAccess)DECT:数字增强无绳通信(DigitalEnhancedCordlessTelecommunication)EUT:受试设备(EquipmentUnderTest)FM:频率调制(FrequencyModulation)GSM:全球移动通信系统(GlobalSystemforMobileCommunication)LTE:长期演进(LongTermEvolution)RFID:射频识别(Radio-frequencyIdentification)TEM:横电磁波(TransverseElectromagnetic)TETRA:泛欧集群无线电(Trans-EuropeanTrunkedRadio)VSWR:电压驻波比(VoltageStandingWaveRatio)WLAN:无线局域网(WirelessLocalAreaNetwork)4概述EUT对于来自射频发射机骚扰的抗扰度能用几种不同的方式试验,包括那些在IEC61000-4-3、IEC61000-4-20、IEC61000-4-21、IEC61000-4-22和本文件描述的方法,如图1所示。本文件描述了发射机在接近EUT和非均匀磁场情况下使用的特定试验方法(见图2)。在这种情况下,“近距离”一般指射频场(频率高于26MHz)中发射机与设备之间的间隔距离不大于200mm,磁场(频率低于26MHz)中的间隔距离不大于500mm。已考虑暴露于便携式发射装置的固定安装设备、暴露于固定发射装置的移动设备以及暴露于其他移动发射装置的移动设备。4GB/T17626.39—2023图1可用于评估设备对来自于射频发射机骚扰的抗扰度试验方法总览图2本文件提及的近距离场试验方法5试验等级5.1概述本文件考虑的电磁骚扰仅限于连续窄带信号(如高达1kHz的脉冲调制或AM),但不包括本质上是瞬态或脉冲性质的骚扰信号(例如,电磁脉冲)。选择用于试验的频率或频段仅限于那些有意射频发射设备的实际工作频率或频段。试验中施加的试验等级宜根据发射装置的预期最大输出功率以及其发射天线与受发射装置产生的骚扰影响的设备之间可能的或规定的间隔距离来选择。附加信息见附录B。5.2试验频率不要求在本文件涵盖的整个频率范围内连续进行试验。相反,应根据预期会发生来自近距离有意发射机干扰的频率来确定试验的频率范围(如由产品委员会确定)。5GB/T17626.39—2023施加的试验信号应按下列条件选择每个频率范围的步进。a)低于26MHz的频段,频率步进用线性步进规定(见8.5.3的表5)。b)26MHz以上,频率步进规定为当前频率的1%,除非试验在特定无线传输频段进行。c)此外,在关注的频点上可进行点频试验。d)如果试验在特定无线传输频段进行,选择所选频段的中心频率作为频率步进的起始点。然后以当前频率1%的步进在高于中心频率的频点上进行试验。试验同样以当前频率-1%的步进在低于中心频率的频点上进行。宜另行分析潜在的敏感频率(如时钟频率),只要这些频率在被测的频率范围内。5.39kHz~150kHz频率范围内的试验等级9kHz~150kHz频率范围内的不均匀磁场的试验等级由表1给出。表1不均匀磁场试验等级,9kHz~150kHz等级试验场强A/m1123310430X特定注:X为开放等级,其场强为任意值。该等级由产品标准给出。表1给出的试验等级是用于电平设置的未调制载波信号的幅值。对设备试验时,该载波信号用1kHz的正弦波进行80%的AM,以模拟真实的骚扰源(见图3和B.2)。图3中,Vp-p为峰峰值电压,Vrms为有效值电压,V最大rms为最大有效值电压。如何进行试验的细节见第8章。注:产品委员会能为EUT选择其他的调制方案。6GB/T17626.39—2023V-=5.09VV-V=1.00VV最大=1.80Va)未调制射频信号b)80%AM射频信号图3信号发生器输出产生的80%幅度调制(AM)试验电平和波形的定义5.4150kHz~26MHz频率范围内的试验等级150kHz~26MHz频率范围内的不均匀磁场的试验等级由表2给出。表2不均匀磁场试验等级,150kHz~26MHz等级试验场强A/m10.120.33143X特定注:X为开放等级,其场强为任意值。该等级由产品标准给出。注:表2的试验等级与表1不同,因为它们是基于在两个不同频率范围内产生骚扰的设备和业务的类型。附录B旨在为试验等级的选择提供指导(另见5.1的最后一段)。表2给出的试验等级是用于电平设置的未调制载波信号的幅值。对设备试验时,该载波信号进行了脉冲调制(见图4和B.2)。脉冲调制应遵循以下参数。—占空比:50%。7GB/T17626.39—2023—调制频率:2Hz或1kHz。—开/关比:最小20dB。调制频率应由产品委员会酌情选择。如何进行试验的细节见第8章。5.526MHz~380MHz频率范围内的试验等级26MHz~380MHz频率范围内的射频场试验等级正在考虑中。5.6380MHz~6GHz频率范围内的试验等级380MHz~6GHz频率范围内的射频场试验等级由表3给出。表3近距离使用发射机的射频场的试验等级,380MHz~6GHz等级试验场强V/m11023031004300X特定注:X为开放等级,其场强为任意值。该等级由产品标准给出。表3给出的试验等级是用于电平设置的未调制载波信号的幅值。对于设备试验,该载波信号进行了脉冲调制(见图4)。图4中,Vp-p为峰峰值电压,Vrms为有效值电压。脉冲调制应遵循以下参数。—占空比:50%。—调制频率:2Hz、217Hz或1kHz。—开/关比:最小20dB。调制频率应由产品委员会酌情选择。8GB/T17626.39—2023V-=2.82VVp-p=2.82VV=1.00Va)未调制射频信号b)脉冲调制射频信号图4信号发生器输出产生的脉冲调制(50%占空比、217Hz)试验电平和波形的示例本文件不宜在整个频率范围内使用单一试验等级。产品委员会应为每段需要试验的频率范围选择适当的试验等级。6试验设备6.1磁场抗扰度试验设备应包括以下设备:—具有内部或外部调制能力的信号发生器;—功率放大器(具有驱动感性负载的能力);—场发生装置:辐射环(或);—磁场传感器线圈(或);—电压表;—电流探头()。6.1.2磁场抗扰度,9kHz~150kHz场发生装置—辐射环辐射环线圈应具有以下特征。—直径:(120±10)mm。—匝数:20。—线径:约2.0mm。9GB/T17626.39—2023宜使用MIL-STD-461G:2015(RS101试验)的辐射环。距离辐射环平面50mm处的未受扰动的磁场强度由式(1)给出:H=75.6×I(A/m)(等于9.5×107pT/A,如RS101试验所述)……(1)式中:H—磁场强度,单位为安培每米(A/m);I—电流,单位为安培(A)。如果辐射环制造商没有提供修正系数(见8.5.1),那么就应在整个频段内确认辐射环的特性。在确定设备试验的电流计算值时,应包含磁场传感器的频率特性。电流探头如果磁场强度通过电流测量来验证,电流探头要确保在9kHz~150kHz频率范围内,通过使用钳式探头或使用串联电阻两端的电压测量来进行真有效值电流测量。可使用示波器、真有效值交流电压表或真有效值交流电流表。磁场传感器线圈如果磁场强度是用传感器线圈来验证的,对其有如下要求。—直径:(40±2)mm(然而,也可使用任何直径小于40mm的磁场传感器)。—匝数:51。—线径:约0.07mm。—防护:静电。—转换系数:用以将传感器线圈电压转换为磁场强度的系数,见制造商的数据。传感器线圈的开路电压U是使用高阻电压表以伏特为单位测量得到的。6.1.3磁场抗扰度,150kHz~26MHz场发生装置—辐射环辐射环线圈应具有以下特征。—直径:(100±10)mm。—匝数:3。—线径:约1.0mm。辐射环宜在整个频段(见8.5.2)上确定其特性。在确定用于设备试验的计算电流值时,宜考虑磁场传感器的频率相关特性。磁场传感器线圈适用于此频率范围的磁场强度监控设备具有以下规格要求。—直径:(40±2)mm(然而,也可使用任何直径小于40mm的磁场传感器)。—匝数:1。—线径:约0.5mm。—防护:静电。—转换系数:用以将传感器线圈电压转换为磁场强度的系数(修正系数),见制造商的数据。10GB/T17626.39—20236.2射频辐射场抗扰度6.2.1场发生装置,26MHz~380MHz正在考虑中。6.2.2场发生装置,380MHz~6GHzTEM喇叭天线频率范围380MHz~6GHz的近距离抗扰度试验应使用TEM喇叭天线。TEM喇叭天线特性应符合附录A规定。使用TEM喇叭天线时,在整个频率范围可用一个或多个天线来覆盖。试验设备试验设备应由以下几项组成。—具有内部或外部调制能力的信号源。—用以放大信号(调制和非调制)的功率放大器,并驱动TEM喇叭天线至需要的试验等级(功率放大器能在50Ω系统下工作,且在任何负载条件下都能无条件保持稳定)。功率放大器产生的谐波,直到三次谐波,应至少低于功率放大器输出端测得的基频幅度6dB。可接受用制造商提供的功率放大器数据证明其符合本要求。—定向耦合器。—功率计(或等效测量仪器),用以测量前向功率。—附录A所述的场发生TEM喇叭天线。—隔块或其他方式,使TEM喇叭天线参考点与EUT保持指定距离(见试验程序)。宜考虑具有低介电常数的材料(低介电常数εr约为1),如硬质聚苯乙烯。—用于保护无线电业务和/或试验人员的设备或试验设施(如半电波暗室)。—场强探头应符合附录A规定。7试验布置7.1磁场抗扰度7.1.1试验设施试验区域宜具有合适的尺寸以容纳所有必需的试验设备,且应不受可能影响试验结果的骚扰。辐射环宜距离任何金属表面(发生器、放大器、模拟器、辅助设备等,EUT和地板除外)至少1m。对于现场试验的要求,见附录C。警告:为保护试验人员,应遵循适当的指南[例如我国相关法规、国际非电离辐射防护委员会(IC-NIRP)的建议等]。7.1.2EUT的布置EUT宜按正常使用状态(台式或落地式)放置在不导电、低介电常数支撑物上,并按8.4的规定配置。电缆应与设备连接,并按制造商的说明在试验场地上布置,且宜尽可能地复现其典型安装和使用。应使用制造商指定的电缆类型和连接器。如果没有指定EUT的接入和接出线的接线方式,应使用非11GB/T17626.39—2023屏蔽平行导线。设备外壳的接地应符合制造商的安装建议。如果接地与不接地配置都支持,那么两种情况都应进行试验。台式、便携式和壁挂式的EUT应放置于高度为(0.80±0.05)m的不导电、非磁性支撑物上。对于落地式设备,可接受的试验垂直表面下沿距地面(100±50)mm(见图5和图6)。单位为毫米注:100mm×100mm窗口示例,图中给出了最低试验位置,侧视图。图5使用辐射环天线的落地式EUT的设备试验示例—频率范围9kHz~150kHz(100mm×100mm窗口尺寸)单位为毫米注:80mm×80mm窗口示例,图中给出了最低试验位置,侧视图。图6使用辐射环天线的落地式EUT的设备试验示例—频率范围150kHz~26MHz(80mm×80mm窗口尺寸)(100±50)mm高的支撑物。12GB/T17626.39—20237.1.3使用辐射环的试验方法试验配置宜按图9(见8.5.3)所示进行。在设备正常使用位置,受磁场照射的每个面应按表4规定划分为相等的试验区域。如果由于特定EUT或试验布置的细节(例如,EUT表面不平整)而无法维持3mm的允差,则试验距离可有允差的偏离(即大于3mm的允差)。任何此类的偏离应记录在试验报告内。表4窗口尺寸和试验距离的定义频率范围最大窗口尺寸试验距离d9kHz~150kHz(120mm环天线)100×10050±3150kHz~26MHz(100mm环天线)80×8050±3辐射环应放置在离开每个区域中心点的指定距离(d)处,并与EUT表面平行。7.2射频辐射场抗扰度7.2.1试验设施由于产生的场强很大,试验应在屏蔽室里进行,以符合禁止干扰无线电通信的各种国家和国际法律的要求。此外,由于用于数据采集的大多数试验设备对抗扰度试验实施过程中产生的局部环境电磁场很敏感,屏蔽外壳在EUT和所需试验仪器之间提供了必要的“屏障”。应注意确保任何穿过屏蔽室的互连线路对传导和辐射发射有足够的衰减,并保持EUT信号和电源响应的完整性。典型的试验设施由铺有吸波材料的、足够大以容纳EUT的屏蔽室组成,同时可对场强进行充分控制。试验区域宜具有合适的尺寸以容纳所有必需的试验设备,且应不受可能影响试验结果的骚扰。为了尽量减少墙壁和天花板的影响,EUT表面与试验设施的墙壁和天花板之间的最小距离应大于0.8m。除TEM喇叭天线外,所有试验设备应离开EUT至少0.8m。对于现场试验的要求,见附录C。7.2.2EUT的布置应采用通过比如预测试、工程分析或风险分析来确定的,代表EUT最关键应用或运行的配置来对EUT进行试验。电缆应与设备连接,并按制造商的说明布置在试验场地上,且宜尽可能地复现其典型安装和使用。应使用制造商指定的电缆类型和接口。如果没有指定EUT的接入和接出线的接线方式,应使用非屏蔽平行导线。设备外壳的接地应符合制造商的安装建议。如果接地与不接地配置都支持,那么两种情况都应进行试验。台式、便携式和壁挂式的EUT应放置于高度为(0.80±0.05)m的不导电支撑物上。落地式EUT宜放置于高度为(100±50)mm的不导电支撑物上(见图7)。不导电滚轮可用作13GB/T17626.39—2023(100±50)mm高的支撑物。天线放置在距离EUT暴露面(100±5)mm的位置。对于表面不平整的EUT,调节每个窗口的试验距离,使得该窗口内EUT的最近点距离天线(100±5)mm。任何偏离都应记录在试验报告内。单位为毫米注:300mm×300mm窗口示例,图中给出了最低试验位置,侧视图。图7使用TEM喇叭天线的落地式EUT设备试验布置图8试验程序8.1通则试验应根据试验计划实施。对于每次实施骚扰的每个试验频率点,监控EUT的响应。评估与试验计划中规定的性能判据的符合性。8.2气候条件除非负责制定通用标准和产品标准的专业标准化技术委员会另有规定,试验室气候条件应在EUT和试验设备各自制造商所规定的范围内。如果相对湿度过高,以至在EUT或试验设备上造成了结露,则不应进行试验。当有足够证据证明本文件所涵盖现象的影响受到天气条件的影响,则宜提请负责本文件的委员会注意。8.3电磁环境实验室电磁环境应确保EUT正确运行,保证试验结果不受影响。8.4EUT的布置和运行模式所有设备的试验宜在尽可能接近实际安装条件的配置下进行。布线应符合制造商推荐的程序,除非另有说明,设备应安装在其外壳内,全部盖板和接线面板都应安装到位。试验期间EUT的运行条件应依照设备典型和预期用途,考虑其最敏感的运行模式。14GB/T17626.39—20238.5磁场抗扰度8.5.19kHz~150kHz的电平设置程序设置试验电平的程序如下。a)在距离辐射环天线2m以内无EUT的情况下,将所述的磁场感应线圈放置在辐射环天线的中心轴线上,并保持(50±3)mm的距离,即从辐射环中心到磁场感应线圈中心的距离。b)将磁场感应线圈的输出连接至高阻电压表上(见图8)。c)将信号发生器的频率设置为试验范围的最低频率(如9kHz)。d)不应使用调制信号。e)将辐射环的电流调到与试验等级相对应的计算电平(10A/m有效值对应于环电流0.132A有效值)。f)读取磁场感应线圈上感应的电压。g)使用磁场感应线圈对电压的转换系数来计算实际频率上测得的场强。测得的场强与指定试验等级的偏差不应超过±10%。如果偏差偏大,应再次检查和修正试验布置和校准系数。h)按照不大于表5指定的步进增加频率。i)重复步骤d)~h),直到序列中的下一频率会超过试验范围内的最高频率。最后,在该最高频率(如150kHz)处重复步骤d)~h)。j)在最高频率处,打开试验信号的调制,并验证试验信号的调制是否正确(见图3)。8.5.2150kHz~26MHz的电平设置程序设置试验电平的程序如下。a)在距离辐射环天线2m以内无EUT的情况下,将所述的磁场感应线圈放置在辐射环天线的中心轴线上,并保持(50±3)mm的距离,即从辐射环中心到磁场感应线圈中心的距离。b)将辐射环连接至信号发生器/放大器,并将磁场感应线圈的输出连接到测量接收机。c)将信号发生器的频率设置为试验范围内的最低频率(如150kHz)。电平设置过程中不应使用调制信号。d)调节并记录所需的前向功率(进入辐射环的)以达到所期望的试验等级(用磁场感应线圈和测量接收机进行测量)。e)按照不大于表5指定的步进增加频率。f)重复步骤d)~e),直到序列中的下一频率会超过试验范围内的最高频率。最后,在该最高频率(如26MHz)处重复步骤d)~e)。g)在最高频率处,打开试验信号的调制,并验证试验信号的调制是否正确(见图4)。15GB/T17626.39—2023标引序号说明:1—辐射环;2—电流探头;3—放大器;4—信号发生器;5—磁场感应线圈;6—高阻电压表;d—试验距离。图8辐射环的电平设置8.5.3试验实施试验应根据试验计划实施。试验是通过将EUT暴露于基于表1(见5.3和5.4)中规定的等级的试验信号中来实施的。试验布置如图9所示。当设备按照8.3所确定的模式运行时,依据频率范围将辐射环放置于距离设备上测试点(见图9)(50±3)mm处的测试距离d处。调节辐射环的平面与设备面平行。根据所进行的验证(见8.5.1和8.5.2),产生规定的磁场电平。试验没有规定要在整个频率范围内连续进行。具体的试验频率可由产品委员会选择,或可选择表5中给出的频率。用第5章的调制信号在考虑的频率范围内进行扫描,必要时暂停扫描,以调整射频信号电平或切换信号源和辐射环。在频率范围内从低到高进行扫描,频率步进如表5所规定。在每个频率步进频点的驻留时间取决于设备的反应时间,并应足够长,使设备能够充分响应试验信号。最小驻留时间为2s。每个试验频率上可能需要额外的驻留时间,以使EUT可在适当的工作模式下运行。驻留时间应记录在试验报告中。16GB/T17626.39—2023标引序号说明:1—EUT;2—照射所有的EUT表面;d—试验距离。图9使用辐射环对EUT试验的原理图表5最大频率步进,磁场抗扰度试验频率范围kHz线性步进kHz9~15010150~10001001000~260001000将正常使用时会受到磁场照射的设备表面暴露在外。在可行的情况下,宜对台式和便携式设备的所有侧面都进行试验。对于落地式设备,底面不宜进行试验。除非通用标准、产品标准或产品类标准另有说明,否则仅对EUT中可视为磁场输入端口的点和表面进行磁场照射。下列区域不要求试验:a)设备外部固定机械屏障的表面,该屏障用以防止磁场源被置于距设备表面小于0.25m的位置上;b)以防止磁场源靠近设备内部有源元器件[传感器、电缆、印刷电路板(PCB)等]小于0.25m(如塑料外壳后面有空间或仅覆盖无源机械结构)的方式构造的表面;c)在固定安装或按照说明书使用后,不再能被便携式射频发射机近距离接触到的设备的点和表面(如设备或区域的底部和/或靠墙的部分);d)由均匀铁氧磁性材料(厚度>0.25mm)构成的一整块表面,其中每块材料在其两个相关尺寸上都超过环直径的150%;e)仅在服务或维护过程中才会暴露在近距离使用的便携式发射装置产生的电磁场中的EUT的17GB/T17626.39—2023表面或区域。如果不能实现上述布置,例如由于产品特有的凹陷或凸起或附加的电缆,应确定和测试便携式发射装置接近的最关键位置。这种特殊情况应记录在试验报告中。8.6射频辐射场抗扰度8.6.1电平设定程序试验等级的设定步骤按照以下进行。a)将场强探头放入电波暗室内位于沿TEM喇叭天线中心轴线距离其前沿(100±5)mm的位置上(见图11)。b)将信号发生器的频率设置为试验范围的最低频率(如380MHz)。c)调节前向功率以产生一个目标试验电平(如100V/m)。记录前向功率和场强的读值。d)在当前频率的基础上最大增加1%的频率。e)重复步骤c)和d)直到序列内的下一个频率将超过试验范围内的最高频率。最后,在该最高频率处(如6GHz)重复步骤c)。f)在最高频率处,打开试验信号的调制,并验证试验信号的调制是否正确(见5.3的图3和5.6的8.6.2试验实施根据所使用的TEM喇叭天线覆盖的均匀区域的窗口大小移动天线。重复这一过程,直到EUT表面的所有选定区域都已试验完毕。确定TEM喇叭天线覆盖的均匀区域的尺寸详情,由附录A规定。使用300mm×300mm场均匀性窗口尺寸的TEM喇叭天线的试验示例如图10所示。在本例中,天线被放置在6个位置,以充分覆盖EUT表面。18GB/T17626.39—2023单位为毫米图10使用300mm×300mm窗口尺寸的均匀区域的试验布置图示例使用第5章定义的调制信号在选定的频率范围内进行扫描。在频率范围内从低到高进行扫描,频率步进如5.2中的规定。驻留时间取决于EUT的反应时间,并应足够长,使EUT能够充分响应试验信号。最小驻留时间为1s。每个试验频率应至少施加两个完整调制周期的骚扰试验信号。每个试验频率上可能需要额外的驻留时间,以允许EUT在适当的工作模式下运行。驻留时间应记录在试验报告中。在正常运行模式下,对可能会受到来自于在近距离使用的便携式发射装置的电磁场照射的设备的所有表面都应进行试验。对于台式和便携式设备,若可行,宜对所有表面进行试验。对于落地式设备,底面不宜进行试验。除非通用标准、产品标准或产品类标准另有说明,否则仅对EUT中可视为电磁场输入端口的点和表面进行电磁照射。下列区域不要求试验:a)带有外部固定机械屏障的EUT表面,防止电磁场源被置于距EUT设备表面小于0.25m的位置上;b)防止骚扰源靠近而构造的EUT表面,距EUT设备内部有源元器件(传感器、电缆、PCB等)小于0.25m(如塑料外壳后面有空间或仅覆盖无源机械结构);c)在固定安装或按照说明书使用后,不再能被便携式射频发射机近距离接触到的设备的点和表面(如设备或区域的底部和/或靠墙的部分);d)用均匀金属材料(厚度>0.25mm)构成的一整块表面,其尺寸超过TEM喇叭天线均匀区域的150%;e)仅在服务或维护过程中才会暴露在近距离使用的便携式发射装置产生的电磁场中的EUT的19GB/T17626.39—2023表面或区域。EUT的所有表面应划分成多个窗口。每个窗口的物理尺寸根据附录A确定。每个窗口应使用TEM喇叭天线在水平和垂直方向(见图12)上照射。TEM喇叭天线与EUT表面之间的间隔应为(100±5)mm。TEM喇叭天线应放置在距这些区域中心的指定距离处,喇叭天线的中轴垂直于EUT的表面。暴露过程中,宜避免移动TEM喇叭天线。如果不能实现上述布置,例如由于产品特有的凹陷或凸起或附加的电缆,应确定和测试便携式发射装置接近的最关键位置。这种特殊情况应记录在试验报告中。对于附加电缆靠近受试EUT表面的情况,TEM喇叭天线不要求被放置在距离电缆小于100mm的位置。对每个试验点,监视设备的反应。评估是否符合试验计划中规定的抗扰度性能判据。单位为毫米图11电平设置布置单位为毫米图12TEM喇叭天线极化方向示例20GB/T17626.39—20239试验结果评价试验结果应依据EUT的功能丧失或性能降低现象来分类,相关的性能等级由EUT制造商或试验的委托方确定,或由产品的制造商和采购方双方协商同意。宜分类如下:a)在制造商、委托方或采购方规定的限值内性能正常;b)功能暂时丧失或性能暂时降低,但在骚扰停止后能自行恢复,不需要操作者干预;c)功能暂时丧失或性能暂时降低,但需操作者干预才能恢复;d)因设备硬件或软件损坏、或数据丢失而造成不能恢复的功能丧失或性能降低。制造商的技术规范可规定一些对EUT产生的影响但被认为是不重要的因而是可接受的效应。这个分类可作为指南供负责通用、产品和产品类标准的委员会使用,用来规定性能判据;或在没有合适的通用、产品或产品类标准时,也可作为制造商和采购方之间协商性能判据的框架使用。10试验报告试验报告应包含能重现试验的全部必要信息,特别是应记录下列内容:a)EUT和辅助设备的标识,例如商标名称、产品型号、序列号;b)本文件第8章要求的试验计划中规定的内容;c)试验设备的标识,例如商标名称、产品型号、序列号;d)进行试验所需的任何特殊环境条件;e)确保试验进行所需的任何特定的条件;f)制造商、委托方或采购方规定的性能等级;g)在通用标准、产品标准或产品类标准中规定的性能判据;h)在骚扰施加期间及以后观察到的对EUT的任何影响,及其持续时间;i)判定试验合格/不合格的理由(根据通用标准、产品标准或产品类标准中规定的性能判据或制造商和采购方达成的协议);j)为达到符合性要求而采用的任何特殊条件,例如电缆长度或类型,屏蔽或接地,或EUT运行条件;k)对电缆和设备放置位置和方向的完整描述应包含在报告中,一些情况下附照片即可;l)EUT的具有代表性的运行条件;m)EUT工作模式的描述;n)试验应用的频率范围;o)试验频率驻留时间和频率步进;p)所采用的试验等级;q)施加的干扰信号的调制方式;r)环天线和TEM喇叭天线相对于EUT的位置;s)所采用的性能判据。21GB/T17626.39—2023附录A(规范性)TEM喇叭天线A.1概述本附录介绍了在近距离试验使用的TEM喇叭天线须符合的一系列参数。这些参数是基于一些可能被用作潜在辐射体结构的全波数值分析得出的。对结构没有进行描述,以便制造商决定选择以何种方式来达到这些参数。描述的主要参数是场均匀性或靠近天线的场分布。本文件描述的参数为:a)频率范围;b)VSWR;c)场分布。A.2频率范围适用频率范围为380MHz~6GHz。可用一个以上的天线来覆盖此范围。A.3VSWR天线的VSWR应不超过3:1。A.4场分布这种方法最关键的部分是天线的特性。目前的天线近场校准方法(例如SAEARP958D)是不够的,因为这些方法不能表征天线口径上的照射均匀性。本附录的目的是确保在距离TEM喇叭天线一定距离处施加场的均匀性。场均匀性区域的大小取决于TEM喇叭天线的能力,从而决定了最大照射面积。因此,本文件没有规定任何关于天线尺寸的内容。具有较大场均匀性区域的天线可提高试验效率。TEM喇叭天线照射区域的场强应低于距离TEM喇叭天线100mm处的最大场强0dB~4dB的范围内。为了验证TEM喇叭天线的场均匀性,应使用电波暗室。为了避免反射,可在地面上使用额外的吸波材料。在距TEM喇叭天线外正面(100±5)mm处放置一个小的场强探头。探头应能测量单极化场的场强。场强探头的传感元件尺寸应小于TEM喇叭天线开口较小尺寸的1/3。TEM喇叭天线场均匀性的验证程序如下。a)从中心点开始,规定一个间距为25mm×25mm的网格,覆盖所需的均匀区域。中心点沿TEM喇叭天线的中轴方向。b)将场强探头置于距TEM喇叭天线前表面(100±5)mm的网格中心点上(见图A.1和图A.2)。c)使用适当的场强值(如100V/m),记录试验或天线规格内的频率范围内的前向功率和场强读值(频率以当前频率的最高1%增加)。d)将场强探头放置于每个网格点上,并重复步骤c)。e)对所有频率步进,将记录的前向功率值(场强恒定的情况下)或记录的场强值(功率恒定的情况下)按从最大值到最小值进行排序。22GB/T17626.39—2023f)TEM喇叭天线的可用均匀场区域定义为所有相邻的探头位置在步骤b)~d)记录的最大场强的0dB~4dB的区域。注:通常场均匀性数据是由天线制造商提供的,检测实验室能直接使用。图A.3给出了TEM喇叭天线的场均匀性图的示例。单位为毫米图A.1场均匀性验证布置的示例23GB/T17626.39—2023单位为毫米图A.2场均匀性测量布置注:对于这种天线,在100mm×100mm的区域内场强变化小于0.5dB。图A.3口径为205mm×205mm的TEM喇叭天线在1.5GHz的场均匀性(仿真)示例A.5TEM喇叭天线的总体设计TEM喇叭天线的总体设计原理如图A.4所示。24GB/T17626.39—2023图A.4TEM喇叭天线的总体设计原理示例25GB/T17626.39—2023附录B(资料性)试验频率、等级和调制B.1概述试验等级的选择是根据EUT和电缆在正常安装环境下可能被照射的电磁环境而定的。在选择使用的试验等级时,宜考虑不通过的后果。如果试验不通过的危害很大,可能需要选择更严酷的试验等级。如果EUT只安装在少数几个场地,那么对当地射频源进行检查就能计算可能遇到的场强。对于预期用于多种场所的设备,在选择使用的试验等级时可遵循以下指南。B.29kHz~26MHz范围内的磁场发射体在9kHz~26MHz频率范围,有许多新技术或现有技术的新应用可能会增加相互作用的可能性。例如:—电子商品防盗(EAS)系统;—访问控制系统(RFID);—磁悬浮轨道系统;—射频(RF)医疗程序,如高频手术和消融治疗;—金属探测器;—交通控制中应答器的使用;—无线充电/感应电能传输。在9kHz~26MHz频率范围内运行的业务信息见IECTR61000-2-5:2011。对于9kHz~26MHz频率范围内的试验频率、试验等级和调制要求见5.2、5.3和5.4。B.326MHz~6GHz范围内的无线电业务这些骚扰源是IEC61000-4-3:2006的附录G、ISO11451-3和ISO11452-9:2012的附录A标明的,在表B.1中列出。计算出的场强可用于确定合适的试验等级,以评估对这些无线电业务的抗扰度。表B.1特定射频无线通信设备的试验等级指南频段aMHz业务a调制最大功率W计算距离m计算出的场强(RMS)V/m26.xx~27.xx工业、科学和医疗(ISM)AM,FM,脉冲无限值380~390TETRA400脉冲调制b18Hz1.80.181430~470通用移动无线电业务(GMRS)460,民用无线电业务(FRS)460FMc±5kHz允差1kHz正弦20.18426GB/T17626.39—2023表B.1特定射频无线通信设备的试验等级指南(续)频段aMHz业务a调制最大功率W计算距离m计算出的场强(RMS)V/m704~787LTE频段13,17脉冲调制b217Hz0.20.1272727800~960GSM800/900,TETRA800,集成数字增强型网络(iDEN)820,CDMA850,LTE频段5脉冲调制b18Hz20.1841447.9~1462.9LTE频段21脉冲调制b18Hz20.1811700~1900GSM1800;CDMA1900;GSM1900;DECT;LTE频段1,3,4,25;通用移动通信系统(UMTS)脉冲调制b217Hz202570蓝牙,WLAN,802.11b/g/n,RFID2450,LTE频段7脉冲调制b217Hz20.1845100~5800WLAN802.11a/n脉冲调制b217Hz0.20.1272727a对于某些业务,只包含了上行频率。b载波应使用50%占空比的方波信号进行调制。c作为FM调制的替代方案,可使用在18Hz的50%脉冲调制。虽然它不代表实际的调制,但它代表了最差情况。根据经验,距离发射机一定距离处的场强可用公式(B.1)计算:E=P……(B.1)式中:E—距离d处计算出的场强,单位为伏特每米(V/m);P—最大功率,单位为瓦特(W);d—间隔距离,单位为米(m)。公式(B.1)中固有的假设并不适用于包括近场或高增益天线的所有条件。确定近场和远场场强的更多详细信息见IECTR61000-2-5:2011的附录B。27GB/T17626.39—2023附录C(资料性)现场试验C.1概述现场试验适用于大型的、永久安装的设备和系统,这些设备和系统的构造方式使得其子系统的模拟运行不可行。C