SJ∕T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分：辐射强度空间分布和半强度角

ICS31.080备案号：52036-2015SJ/T2658.9—2015半导体红外发射二极管测量方法第9部分：辐射强度空间分布和半强度角Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part9:Spatialdistributionofradiantintensityandhalf-intensityangleISJ/T2658.9—2015SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第2部分：正向电压； 第3部分：反向电压和反向电流：——第4部分：总电容；——第8部分；辐射强度——第9部分：辐射强度空间分布和半强度角；——第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽；——第16部分：光电转换效率本部分按照CBTL1—2009《标准化工作导则第1部分：标准的结构和编写》给出的规则起草。本部分代替SJ2638.9—1986《半导体红外发光二极管测试方法辐射强度空间分布和半强度角的测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下：——修改了辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图(见图1——细化了辐射强度空间分布和半强度角的测量步骤(见5.2)——补充了辐射强度空间分布和半强度角测量方法的规定条件(见5.3)。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：1SJ/T2658.9—2015第9部分：辐射强度空间分布和半强度角1范围本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2900.65—2004电工术语：照明GB/T15651—1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则SJ/T2658.8半导体红外发射二极管测量方法第8部分：辐射强度CIE127:1997技术报告LED测量3术语和定义GB/T2900.65—2004和GB/T15651—1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1器件在规定的正向工作电流下，垂直和平行p-n结方向的辐射强度随空间角的分布。测量辐射强度空间分布和半强度角的一般要求应符合SJ/T2658.1的规定。5测量方法5.1测量原理图辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图见图1。2说明：G电流源b:A——电流表；D₂,D₃——消除杂散光光栏，D₂,D₃不应限制探测立体角；d——被测LED器件与光阑D₁之间的距离Z轴被测器件的光轴；被测器件应定位在一种装置上(如：旋装中心位于系统光轴上的角度盘上，角度盘应该有定够的角度刻度精度),要求如下：a)被测器件位可准确重复；b)变化角度0、器件光学窗口的中心能保持固定服位于旋转中心c)能测量夹角d)能绕被测器件之轴旋转；e)能测量关于X轴的旋转角。要求的幅度、宽度和重复频率的电流脉冲e探测器响应时间相对于脉冲宽度应足够小，系统应是一个峰值测量仪器a)标准条件A:d为316mm,立体角为0.001sr,平面角(金角)为20b)标准条件B:d为100mm,立体角为0.01sr,平面角(全角)为6.5°。图1辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图5.2测量步骤辐射强度空间分布和半强度角的测量按下列步骤进行：a)按图1连接测量系统，系统光轴对准被测器件的机械轴(或按SJ/T2658.8中5.2任意选择一种状态),定义为θ=0;b)调节恒流源，使工作电流IF为规定值，测量光探测器(PD)的信号，把辐射强度数值设为Ivoc)从0°至±90°旋转角度盘，按规定的角度间隔测量各个角度时的辐射强度数值Iv(θ),得到比值Iv(θ)/Ivo与θ之间的关系，优先采用极坐标图来表示，即为辐射强度空间分布图，如果采