SJ∕T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分：反向电压和反向电流_第1页
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SJ/T2658.3—2015Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode2015-10-10发布2016-04-01实施中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T2658.3—2015SJ/T2658《半导体红外发射二极管测量方法》已经或计划发布以下部分： 第5部分：串联电阻； 第6部分：辐射功率 第8部分：辐射强度； 第11部分：响应时间 ——第15部分：热阻；性修改外主要技术变化如卞：请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别这些专利的责任。本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。本部分起草单位：工业和信息化部电子工业标准化研究院。本部分主要起草人：张戈、赵英。本部分所代替标准的历次版本发布情况为：1SJ/T2658.3—2015半导体红外发射二极管测量方法第3部分：反向电压和反向电流本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。2规范性引用文件凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T15651-1995半导体器件分立器件和集成电路第5部分：光电子器件SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则3术语和定义GB/T15651-1995界定的以及下列术语和定义适用于本文件。3.1VR通过器件的反向电流为规定值时，其两极间产生的电压降。4一般要求测量反向电压和反向电流的一般要求应符合SJ/T2658.1。5反向电压的测量5.1测量原理图反向电压的测量原理图见图1。2SJ/T2658.3—2015DUT——被测器件；A电流表；图1反向电压测量原理图b)调节稳压源，使反向电流/为规定值，读取直流电压表的示数后得到被测器件的反向电压值。b)反向电流I。6反向电流的测量6.1测量原理图反向电流的测量原理图见图2。3SJ/T2658.3—2

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