SJ∕T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压_第1页
SJ∕T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压_第2页
SJ∕T 2658.2-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压_第3页
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SJ/T2658.2—2015代替SJ/T2658.2—1986Measuringmethodforsemiconductorinfrared-emittingdiode—Part2:Forwardvoltage中华人民共和国工业和信息化部发布ISJ/T2658.2—2015 第3部分：反向电压和反向电流；——第4部分：总电容；第13部分辐射功率温度系数代替SJ/r265821986《半导体红外发光二极管测试方法正向压降测试方法》,除编辑性修改外主要技术变化如下——修改了测量原理图中的恒流源符号(见图1);——细化了正向电压的测量步骤(见5.2);——补充了正向电压测量时应规定的条件(见5.3)本部分由工业和信息化部电子工业标准化研究院归口。1半导体红外发射二极管测量方法本部分规定了半导体红外发射二极管(以下简称器件)正向电压的测量原理图、测量步骤以及规定凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。SJ/T2658.1半导体红外发射二极管测量方法第1部分：总则正向电压forwardvoltage4一般要求5测量方法5.1测量原理图2A——电流表；

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