CJT 356-2010 家用及建筑物用电子系统（HBES）通 用技术条件

中华人民共和国城镇建设行业标准家用及建筑物用电子系统(HBES)通用技术条件ICJ/T356—2010前言 12规范性引用文件 13术语和定义 24缩略语和代号 65系统体系结构 76通用技术要求及测试方法 7通用功能安全要求 43附录A(资料性附录)确定安全完整性等级的方法示例 附录B(资料性附录)危险事件和必要功能安全要求 附录C(资料性附录)非安全相关的HBES应用范例 附录D(资料性附录)认证 ⅢCJ/T356—2010本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草。本标准使用翻译法等同采用欧洲标准EN50090《HomeandBuildingElectronicSystems——将EN50090-2系列标准各部分的定义和术语合并整理后形——将EN50090-2-2标准的缩略语整理后形成本标准第4章的缩略语和代号；1通用技术条件1范围本标准规定了家用及建筑物用电子系统的术语和定义、缩略语和代号、系统体系结构、通用技术要求及测试方法、功能安全的通用要求等。本标准适用于家用及建筑物用电子系统(包括智能家居系统)的设计、生产和检测。2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。GB/T2423.1电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验A:低温(IEC60068-2-1:2007)GB/T2423.2电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验B:高温(IEC60068-2-2:2007)GB/T2423.3电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Cab:恒定湿热试验(IEC60068-2-78:2001)GB/T2423.4电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Db交变湿热(12h+12h循GB/T2423.5电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Ea和导则：冲击(idtIEC68-2-27:1987)GB/T2423.10电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验Fc:振动(正弦)(IEC60068-2-6:1995)GB/T2423.22—2002电工电子产品环境试验第2部分：试验方法试验N:温度变化(IEC60068-2-14:1984)GB/T5023.1额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆第1部分：一般要求(IEC60227-1:2007,IDT)GB/T5023.2额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆第2部分：实验方法(idtIEC60227-2)GB/T5080.7设备可靠性试验恒定失效率假设下的失效率与平均无故障时间的验证试验方案(IEC605-7-1978)GB9254信息技术设备的无线电骚扰限值和测量方法(CISPR22:2006,IDT)GB/T9387.2信息处理系统开放系统互连基本参考模型第2部分：安全体系结构GB/T11327.2聚氯乙烯绝缘聚氯乙烯护套低频通信电缆电线第2部分：局用电缆(对线组或三线组或四线组或五线组的)GB16895.5建筑物电气装置第4部分：安全防护第43章：过电流保护(idtIEC60364-4-43:2CJ/T356—2010GB16895.6建筑物电气装置第5部分：电气设备的选择和安装第52章：布线系统(idtIEC60364-5-52:1993)GB16895.21—2004建筑物的电气装置第4-41部分：安全防护电击防护(IEC60364-4-41:2001,IDT)GB/T16935.1—2008低压系统内设备的绝缘配合第1部分：原理、要求和试验(IEC60664-1:2007,IDT)GB/T17045—2008电击防护装置和设备的通用部分(IEC61140:2001,IDT)GB/T17178.1信息技术开放系统互连一致性测试方法和框架第1部分：基本概念(idtISO/IEC9646-1:1994)GB/T17625.1电磁兼容限值谐波电流发射限值(设备每相输入电流≤16A)(IEC61000-3-2:2001,IDT)GB/T17625.2电磁兼容限值对每相额定电流≤16A且无条件接入的设备在低压供电系统中产生的电压变化、电压波动和闪烁的限制(IEC61000-3-3:2005,IDT)GB/T17626.2电磁兼容试验和测量技术静电放电抗扰度试验(IEC61000-4-2:2001,IDT)GB/T17626.3电磁兼容试验和测量技术射频电磁场辐射抗扰度试验(IEC61000-4-3:2002,GB/T17626.4电磁兼容试验和测量技术电快速瞬变脉冲群抗扰度试验(IEC61000-4-4:GB/T17626.5—2008电磁兼容试验和测量技术浪涌(冲击)抗扰度试验(IEC61000-4-5:GB/T17626.6电磁兼容试验和测量技术射频场感应的传导骚扰抗扰度(IEC61000-4-6:2006,IDT)GB/T17626.11电磁兼容试验和测量技术电压暂降、短时中断和电压变化的抗扰度试验(IEC61000-4-11:2004,IDT)GB/T17737.1射频电缆第1部：总规范——总则、定义、要求和试验方法GB/T17799.1电磁兼容通用标准居住、商业和轻工业环境中的抗扰度试验(idtIEC61000-6-1:GB/T17799.3电磁兼容通用标准居住、商业和轻工业环境中的发射标准(idtCISPR/IEC61000-6-3:1996)GB/T18039.3电磁兼容环境公用低压供电系统低频传导骚扰及信号传输的兼容水平(IEC61000-2-2:1990,IDT)GB/T19001质量管理体系要求(ISO9001:2008,IDT)GB/T20438.4电气/电子/可编程电子安全相关系统的功能安全第4部分：定义和缩略语(IEC61508-4:1998,IDT)GB/T20438.5—2006电气/电子/可编程电子安全相关系统的功能安全第5部分：确定安全完整性等级的方法示例(IEC61508-5:1998,IDT)3术语和定义GB/T9387.2确定的以及下列术语和定义适用于本文件。家用及建筑物用电子系统homeandbuildingelectronicsystems(HBES)用于居家、建筑物及其环境的，通过公共通信方式连接起来的分布式多重应用总线系统的电子系3注：该术语可加限定词以表达更为特定的概念。例如，应用域(包括OSI第七层和以上)和用户域(OSI第七层以上两个网络连接起来。一个HBES应用的域。注：一个HBES系统可支持一个以上的应用具有相应功能的数据组。注：一个HBES对象可采取不同的方式实现。位于HBES应用程序中的一个HBES对象。一个设备的应用进程中可以通过HBES通信网络访问的组成部分。注1:HBES设备的一个应用进程是采用应用对象建立起来的；注2:HBES设备应用进程的功能性是在本标准中或相关的产品标准中定义的。HBES用户进程HBESuserprocessHBES设备应用进程中属于HBES用户域的组成部分。3.9本地应用进程localapplicationprocess一个设备中不能通过HBES通信网络访问的一个应用进程部分。它位于用户域的内部。3.10为了各单元间建立通信联系而在一个网络(或一个网络部分)的各功能单元间通过数据传输建立的3.11一种建立在两个或更多实体之间的通信路径，其主要目的是为了HBES控制和监控信息的交换。3.12一种建立在两个或更多实体之间的通信路径，其主要目的是为了信息交换，而非HBES控制和监4CJ/T356—2010注：这些信息的例子有音频或视频数据、传真数据和模拟语音信号。电路转换传输circuit-switchingtransmission使用一个可以提供连续通信路径，或具有恒定带宽、固定时隙的时分多路通信的传输。包交换传输packet-switchingtransmission在猝发情况下采用通信带宽的传输。它是一个采用包交换传输传递数据的实体，可以在离散的“包”中组织数据。典型地说，两个或更多采用包交换传输的实体共用一个通信通道。同时，它还需要一个协议，以解决传输实体间的冲突，从而允许不同实体中产生的信息包能进行有次序的交换。网络片段networksegmentHBES网络位于单个链路层实例的域中的一部分。网络访问单元networkaccessunit(NAU)用于一个HBES连接，包含机械、电气和通信功能的设备组成部分。网络访问单元对应于一个网络服务访问点(NASP),可由一个或更多的网络地址单独识别。物理媒体physicalmedium鉴定authentication证明发送消息的实体是声称要发送消息的实体，且确认信息与发送时相同的方法。受干扰的通信disturbedcommunication文预期参数的范围。功能安全functionalsafety避免因操作HBES而引发不可接受的伤害风险，这些伤害来源于：——正常操作；——合理可预见的误用；——故障(失效);——暂时性干扰。注：也有其他标准定义为：与控制设备(EUC)和EUC控制系统相关的总体安全部分，它取决于电气、电子、电子(E/E/PE)安全相关的系统机能、其他技术安全相关的系统和外部风险降低设施的功能。两个二进制编码不同的比特的数目。危险事件hazardousevent因正常运行或异常条件而导致伤害的情景。5CJ/T356—2010产品文档productdocumentation制造商随附产品的安装和操作说明； 包含在制造商产品目录中的产品信息和其他产品销售资料信息； 在www或Internet上的制造商(或供应商)网页中电子版本的描述、定义、产品说明和用一种指定的系统，其用途有两种：——实施要求的安全功能，以取得或保持EUC的安全状态； 白身或与其他E/E/PE安全相关系统或外部风险降低设施一起，能够达到要求的安全功能所需的安全完整性。注1:该术语指那些被指定为安全相关系统的系统，其目的是为了与外部风险减少设施一起实现风险减少的目标，以便满足所要求的耐受风险。注2:安全相关系统的设计是为了在收到指令后采取适当的行动，以防止EUC进入到一个危险的状态。如果一个安全相关系统发生了故障，则它很可能出现导致危险的事件。尽管其他系统可能也有安全功能，但只有安全相关系统才能独立地实现风险耐受的必需条件。从广义上讲，安全相关系统可分为安全相关控制系统和安全相关保护系统，并具备两种运行模式。注3:安全相关系统既可以是EUC控制系统的一个有机组成部分，也可以通过传感器和/或制动器与EUC联接。也就是说，必要的安全整体水平可能是通过实施EUC控制系统中的安全功能(也可能是通过额外的独立系注4:一个安全相关系统的功能包括以下内容：a)防止危险性事故(即如果安全相关系统执行其安全功能，则任何事故就不会发生);b)减轻危险事故的影响，从而减少了事故的后果及风险；c)实现a)和b)两种目的。注5:一个人可成为一个安全相关系统的组成部分。例如，一个人可从一个设计好的电子设备中收取信息，并根据这一信息执行一个安全行为，或通过一个设定的电子设备采取一个安全行为。注6:该术语包含执行特定安全功能(因此，传感器、其他输入设备、最后元件如制动器和其他输出设备都包含在安全相关系统之中)所需的一切硬件、软件和支持设备(如供电设备)。伤害发生的概率以及该伤害严重程度的集中体现。由于产品、过程或服务加上人的行为习惯而导致的，或者作为人的习惯的一个结果有可能发生的，未按照供方要求的条件和用途对产品、过程和服务的使用。安全功能safetyfunction由E/E/PE安全相关系统、其他技术安全相关系统或外部风险减少设施实现的功能，其目的是为了获得和保持EUC的安全状态，从而避免特定的风险事件。安全完整性safetyintegrity能在规定时期内所有规定条件下保持安全相关系统所要求的安全功能的概率。6CJ/T356—2010安全完整性等级safetyintegritylevel一种离散的等级(四种可能等级之一),用于规定分配给E/E/PE安全相关系统的安全功能的安全完整要求，安全完整性等级4级是最高等级，安全完整性等级1级是最低等级。BI:Basicinsulationforratedinsulationvoltage额定绝缘电压的基本绝缘CDN:Coupling-decouplingnetwork耦合/去耦网络CU:Communicationunit通信单元DF:Decouplingfilter去耦滤波器EUT:Equipmentundertest被测设备HBES:Homeandbuildingelectronicsystem家用及建筑物用电子系统HBES/RM:Homeandbuildingelectronicsystemreferencemodel家用及建筑物用电子系统参HF:Highfrequency高频NAU:Networkaccessunit网络访问单元OSI:Opensysteminterconnect开放式系统互联OSIE:Opensysteminterconnectenvironment开放式系统互联环境OSI/RM:Opensysteminterconnectreferencemodel开放式系统互联参考模型PELV:Protectiveextralowvoltage保护性超低电压PF:Passingfilter带通滤波器RF:Radiofrequency射频RI:Reinforcedinsulationforratedinsulationvoltageinmainsenvironment市电环境中额定绝缘电压的加强型绝缘SELV:Safetyextralowvoltage安全性超低电压TP:Twistedpair双绞线缆A:Attenuation衰减C:Couplingnetwork耦CC:Capacityclamp电容夹D:DeviceneededforfunctionaltestoftheEUT测试EUT功能所需要的设备G:Testgenerator测试发生器I/O-Adpt:Input/OutputadaptationoftheEUT被测设备的输入输出适配7M/C-Adpt:Measurement/controladaptation测量/控制适配Ctr/Eval:Controlandevaluationequipment控制和赋值设备T:Termination终端T/R:Transmitter/receiver发射机/接收机UN+s:Mainsvoltagewithaddedtestsignals加载测试信号的市电电压VN:ArtificialmainsV-network人工市电V-网络Z:Loadimpedance负荷阻抗5.1.1总则a)HBES应根据OSI参考模型(OSI/RM)进行设计。OSI/RM定义了通用功能，但并非所有功能都是HBES参考模型中所需要的。OSI/RM中定义的有些层在HBES典型的实现中是空能；如果一个层没有本身的任何功能，则它就被认为仅仅在下一个层和上一个层之间进行映射。图1描述了HBES的参考模型及HBES/RM的整体结构，但该图中没有指明馈电服务。b)在有些实现中所有层都包含在一个设备中，也可由两个或更多设备完成一个实现。为了更容易地实现，本标准中后面的内容定义了一些标准化的接口。三个标准化的接口点分别是媒体应用应用应用协议应用层表达层会话层传输层通信协议网络层数据链路层物理层HBES媒体控制通道信息通道应用层表达层会话层传输层网络层数据链路层物理层控制通道管理应用管理 ,接口功能。8CJ/T356—2010a)HBES/RM定义了对应于OSI一般参考模型的层和管理功能。b)在HBES/RM中，应从应用的角度划分出信息通道和控制通道。对控制通道而言，HBES/都应有一个相连的控制通道对它进行管理(尽管同一控制通道可管理几个信息通道)。并非数据链路层a)数据链路层为无连接模式服务提供功能和程序上的方法。它负责转发网络实体之间的信息，b)数据链路层应能检测出差错并提供纠错功能。未纠正的错误应报告给网络层。数据链路层b)网络层应向传输实体屏蔽提供网络服务的细节。网络层应将数据链路层报告的错误以及网e)网络层服务是可选功能。传输层a)传输层提供会话层实体之间数据的透明转发，并使其不必考虑实现可靠数据传输的具体方法。c)传输层的双重目的在于： 在无连接的网络服务上提供一个连接模式的传输服务——提供数据分割的服务；——传输层服务是可选功能。表达层应用层为HBES设备应用进程访问HBES通信资源提供了一条途径。每个HBES设备应用进程都通过其应用实体代表其对等层。应用实体包含一个用户元素和一套应用服务元素。应用服务元素可相互调用并在服务上执行其功能。——电源线；b)所列并非全部。双绞线和电源线将提供允许设备从媒介取得供电电流的馈电服务，也可选择a)HBES的主要特性之一是其大多数应用进程都是分布式的，图2中列举了一个HBES的应用进程。设备可属于一个以上的应用进程。gCJ/T356—2010HBES媒体HBES媒体HBES应用进程设备B较低层(1到6)较低层(1到6)b)图3给出了HBES组成。属于实系统环境(RSE,即用户交互域)的那一部分可命名为用户进程。一个用户进程可能由用户程序、物理过程或用户交互组成。HBES设备应用进程只是部分属于OSI环境用户进程和应用进程是相互重叠的。而RSE是通过位于应用层内部的用户元素接入OSIEHBES用户进程HBES设备较低层(1到6)c)图4给出了HBES设备应用进程的模型是由应用对CJ/T356—2010ASE:应用服务元素；设备AHBES用户进程用户元素应用层数据链路层物理层HBES媒体应用协议通信支持设备BHBES用户进程用户元素应用层数据链路层物理层图5用户进程的链路的种种问题。典型的管理活动包括：b)监控c)差错控制a)系统管理实体(SME)负责通信资源的管理。在这个系统管理的内部，层管理实体(LM个层都有接口。表1和表2给出了系统管理实体活动的范例。(N)层操作的控制(使能/禁止/重置等)(N)层操作特定类型通用参数的修改(N)层操作的状态注册：报告给SMF(N)层操作的质量(每个单元每次的成功传输数量)(N)层操作差错探测，以识别差错控制的要求(N)层操作差错诊断，以识别所需的差错控制活动重置的(N)层操作为单一设备、群设备/整个系统设定运行的模式(正常/测试/维护等等)系统参数的初始化和修改(通信关系)单一设备、群设备/整个系统的状态；对用户的远程差错显示单一设备、群设备/整个系统的性能注册和报告单一设备、群设备/整个系统的差错探测，以识别差错控制的要求单一设备、群设备/整个系统的差错诊断，以识别所需的控制活动单一设备、群设备/整个系统的重设b)图6中给出了一件设备通信资源的管理结构。SME采用了第7层服务范围上的服务。CJ/T356—2010第7层LMELMELMELMEME第6层第5层第4层第3层第2层LME层管理实体图6通信资源的管理结构c)通信资源的用户(可以是一个人)提供用户进程到系统管理的接口。用户也可提供一些系统管理能力。图7给出了通信资源的用户接口。用户用户接口SME用户进程第7层图7通信资源的用户接口d)通过层管理实体(LMEs)实现的通信资源管理是一个层内功能。层管理实体不能直接被人或e)HBES的所有设备应定义SME的最小功能。f)一个或更多的设备可以具有额外的管理功能来支持个人用户。g)HBES规范允许用此方法来实现，即用一个从高级层分出的NAU实现低级层。在这种情况中，较低层单元为了本身的管理既需要较上层的种种功能，同时也希望减少HBES/SME的功能。图8给出了采用通用接口之设备的管理功能范例是一个范例，即通用接口置于第2层和第4层之间。LME第2层*第1层*LME通用接口功能上可能会减少NAU第7层第6层第5层第4层UI第1层*第2层*第2层第1层第6层第5层UINAU*图8采用通用接口之设备的管理功能范例应用管理和终止。表3给出了应用管理实体(AME)的功能范例。应用进程操作的控制应用进程参数的初始化和修改应用进程操作的状态应用进程性能的注册和报告应用进程操作差错探测，以识别差错控制的要求应用进程操作差错诊断，以识别必需的控制活动重置应用进程操作b)一个HBES设备应用进程的管理结构见图9。设备应用进程可使用控制通道(7个OSI层)及一个或更多信息通道(至少OSI第1层)。CJ/T356—2010AMEAME第6层第4层第3层第2层第1层第1层图9应用进程的管理结构c)图10给出了应用进程资源的用户接口，应用进程资源的用户与AME及应用进程相连。该用户可能还提供系统的一些广域管理功能。图10应用进程资源的用户接口d)HBES的所有设备应定义AME的最小功能。e)一个或更多的设备可具有额外的管理功能来支持用户。5.2参考点和功能分组5.2.1通用概念家用及建筑物用电子系统可被看成是一套基本部件(如设备、软件程序等),其中每个部件都在实施一个或更多的特定功能，它们通过接口点而与相邻部件交互工作。这些基本的部件被称为“功能图11给出了参考点和功能组的模型，这一模型不依赖任何硬件或软件的实现，在HBES实现中没必要也不常将每个参考点都作为一个接口出现。功能细分为功能组为定义连接系统不同部分的稳定接口提供了根据。F₀R₁Fn+1R+1图11参考点和功能组模型一个功能组可提供一个或更多的参考点，其中每个参考点的实现可能指向网络媒介或背向网络媒介。图12给出了背向网络媒介多个参考点的范例，它包括一个指向网络媒介参考点的一个实现和一个背向网络媒介的三个实现。同样，较低参考点可能有多个这样的范例。多路复用器和网关都是这些功能组的范例。图12背向网络媒介多个参考点的范例图13给出了指向网络媒介多个参考点的范例，它包括一个指向网络媒介参考点的三个实现和一个背向网络媒介的一个实现。根据信息流，图12和图13中的实现功能都是多路复用技术或多路分解技术。图13指向网络媒介多个参考点的范例图14给出了不同网络段之间的网关，它包括两个指向相异网络媒介参考点的实现，没有背向该网络媒介参考点的实现，这个功能组的例子可是不同网络段(媒介A,媒介B)之间的网关。媒体B图14不同网络段之间的网关5.2.2特定参考点和功能分组图15给出了一组参考点的层次结构，其具体参考点定义如下：a)媒体附加点；b)家用网络访问点，不依赖媒体但依赖网络；c)家用网络访问点，不依赖媒体，不依赖网络，不依赖设备；d)用户进程访问点；e)外部网络访问点。CJ/T356—2010ABC外接设备/应用功能D媒体BE通过给功能组或功能组集命名，来描述了各自的预期用途。只要是按照以下规则，一个功能组可能有不止一个名字时任选一个，即通常选择能描述功能组主要目的的名字。作为一件装置实现的功能组被称为单元，而向一个HBES用户提供直接服务的单元被称为设备当作为一件装置实现的一个功能组附加在参考点A,即媒体附加参考点上时，它就被称为一个NAU。如果更准确地描述一个NAU的功能，可对其命名，如通用接口一网络访问单元(UI-NAU)。当一个功能组的主要功能目的既不是一件设备也不是一个NAU时，则根据实现的情形，它将被称为一个适配器或适配器单元。除了这里给出的通用名称外，特定功能组可能还具有特定的名称。例如，提供其上层参考点的一种适配器也被称为一个多用设备控制器。一个提供其下层参考点多用情形并为了利用这些部件构建一个更大网络而连入两个或更多网络分组的适配器被称为一个本地网络网关。为了清楚，在必要时加上“OSI第N层”的本地网络5.3特定参考(标准)点的接口标准化5.3.1标准化接口的位置图16给出了标准化接口的位置，HBES的接口都将与其参考点对应。UI:通用接口；PI:进程接口。图16标准化接口的位置参考点接口的标准化实现了包含用户要求的系统模块。在5.4.2、5.4.3、5.4.4、5.4.5中，描述了OSI参考模式中这些接口的位置。5.3.2媒体接口媒体接口又被称为每个媒体的媒体附加点，它们在参考点A处实现了标准化。每个组合媒体及类别的媒体接口应单独定义。特别对包括了塑料光纤的有线媒体而言，需要定义出媒体接口的NAUNAUHBES媒体NAU :连接器模块；图17设备连接的方法5.3.3通用接口通用接口将在参考点C处实现标准化。通用接口位于第3层的服务边界处，见图应用层HBES层传输层本地通信本地通信UI通用接口的本地层网络层物理层·图18通用接口的位置5.3.4进程接口进程接口(PI)要在参考点D处实现标准化，见图19。用户进程进程接口之设备进程接口之适配器应用层PI-NAUPI进程接口PI-NAU进程接口-网络接入单元图19进程接口的位置本标准的5.3定义了一组不同的进程接口。根据进程接口的类型，进程接口适配器的功能可用户进程的部件。20CJ/T356—20105.3.5参考点E的接口—交互的应用；网关应包含1到2层。与其他片段相比，一个网络片段不会存在与其实现的层级位置相关的b)图20给出了HBES的交互应用的范例，显示了作为整个住宅应用域的HBES域。HBES允图20HBES的交互应用的范例21图21建筑物的地理分布 要求为进入HBES系统制定出定义明确的规则。序号物理方法1特殊连接特殊工具2直接连接手动激活、有线本地激活(如RS232)3无线远程连接红外线、射频等4有线远程连接专线的公共数据网络5包交换的远程连接包交换公共数据网络、局域网、广域网6公共交换的远程连接公共交换电话网络22CJ/T356—2010 6.1.1本章定义了HBES的通用技术要求。它的内容包括布线和拓扑结构、电气安全(尤其基于6.1.3本章不包括未提供HBES功能的装置和设备之部件。对这些部件，它们适用于相关的产品23CJ/T356—2010制。图22给出了HBES设备的供电单元的范例，HBES设备与连入一条总线的不同供电单元的组合HBES设备HBES设备HBES设备图22HBES设备的供电单元的范例的条件下出现电击和火灾。要实现这一点，应遵守6.3.2中的电气安全要求和6.3.3中的功能安全a)一般要求按中的要求进行；b)媒体即带有导电体的电缆之要求按中的要求进行；c)设备要求按中的要求进行；为了防止GB16895.21—2004中定义的电击现象，加强保护，SELV或PELV将被用作HBES双绞线和同轴媒体电路的保护性措施。如果是出于功能性的原因而要在SELV电路和地线之.1HBES采用铠装电缆线。双绞线应符合GB/T11327.2中的要求。同轴电缆应符合24CJ/T356—20.2过热及过电流保护应符合GB16895.5中规定的温度极限和最大容许电.3如果在市电和HBES电缆之间进行无间距的安装(电缆间可以有接触),则电气强度和安装要求应按照d)中描述的方法进行2.5kV测试的电缆。.4安装a)提到的电缆及未遵循d)中描述的测试的市电电缆，其外部绝缘层间最短距离为10mm,或它们之间的隔离一定要用GB16895.21—2004中描述的方法之一。.5电气强度测试是线路和电缆外表之间的一种耐压测试。该测试应按照GB/T5023.1和b)测试电压适用于一切连接在一起的芯线和屏蔽层以及铠装电缆线的外表面。该电缆浸入水中。HBES设备电压提供保护性隔离措施。HBES设备应符合表5中描述的种种标准。产品标准情况可适用的标准产品标准存在产品标准很明确地包含了SELV产品标准本标准是是适用——是否适用适用否否适用注：小节不包含设备的基本安全性。Ⅲ按GB/T16935.1—2008标准中表F.1的亚进行2或.3按照GB/T17045—2008标准中6.6及6.7的要求，确保市电(和其他故障电压)和a)含有220V电压的HBES设备和SELV/PELV电路应根据表6的要求在外部(HBES设备和HBES设备之外的其他电路之间)和内部(HBES电路和HBES设备内部的其他电路之间)为220V/380V的环境提供保护性隔离的绝缘措施(见图23a)、图23b))。的安装中带电部分需要的基本绝缘。图23b)标示了单市电运行设备内的SELV/PELV部分，此设备用则仅含有SELV/PELV电路的HBES设备应根据220V/380V的市电环境(见图23c))的要CJ/T356—2010求提供绝缘(在HBES设备和HBES设备之外的其他电路之间)。注：图23c)标示了用在危险电压出现时的安装(包括市电安装)的SELV/PELV设备。图23d)也标示了用于SELV/PELV各种安装的SELV/PELV设备。d)对于HBES设备的组合使用，如配电盘或常规预埋盒的安装，可采用相同的规则。另外，如果每件组合的设备都提供了“额定绝缘电压的基本绝缘”,则应考虑提供保护性的隔离措施，见图24。e)用于这类组合的设备终端至少要在设备的表面提供“额定绝缘电压的基本绝缘”。表6保护隔离所要求的绝缘方法环境绝缘市电220V/380V用于市电配电盘或与市电设备组合使用的HBES设备RIV的基本绝缘以及辅助性绝缘RIV的基本绝缘，应用两倍RIV和连入保护性地线基本绝缘RIV的基本绝缘和额外的一个外接绝缘RIV的基本绝缘以及基本绝缘的屏蔽RIV的基本绝缘以及辅助性基本隔离(如距离)RIV的加强型绝缘电压小于市电供电电压的其他非SELV/PELV电路根据市电环境下的方法实行RIV的双绝缘或加强型绝缘SELV/PELV如：仅包含SELV或PELV电路的HBES设备，它们与其他设备同在一个封闭物内，或仅与SELV/PELV同在一个封闭物内；或安装在远离其他SELV/PELV电路的地方RIV的基本绝缘注1:RIV指的是额定的绝缘电压(参阅GB/T16935.1—2008标准的3.9.1)。注2:250V市电设备或300V/400V市电电缆的RIV.注3:SELV的额定绝缘电压取决于SELV的最高电压。注4:PELV的额定绝缘电压相当于PELV+50V。DI/RIDI/RIDI/RISELV/PELVDI/RISELV/.PELVSELV/PELVMinBI220V/380VDI/RI220V/380VDI/RIMinBISELV/PELVb)BI额定绝缘电压的基本绝缘RI——市电环境中额定绝缘电压的增强型绝缘。图23单独安装的HBES设备之保护性隔离26CJ/T356—2010220V/380V220V/380V220V/380VSELV/PELV220V/380VBIBIDI/RIDI/RIBISELV/PELVSELV/PELV·SELV/PELVSELV/PELVSELV/PELVDI/RIBIDI-—双绝缘；RI市电环境中额定绝缘电压的增强型绝缘。图24邻近安装的HBES设备之保护性隔离.4检查原则应按照GB/T16935.1—2008中6.1或6.2的测试要求进行检查。对下面两个条件下的设备进行测试：a)新的洁净条件中的装置或设备；b)通过气候和温度测试后的设备(见6.4.3),即在EUT再次达到正常室内条件之后立即进行。6.3.3功能安全如果一个HBES系统的网络或任何其他部件干扰了一个设备的功能，则该设备的产品标准的所有安全性能应得到实现。如果一个设备依靠系统来进行其安全操作，但又不能验证其正确的功能，则该设备将进入安全模式。a)HBES系统计划使用的地点决定了网络及设备的最终要求。b)HBES的典型应用环境是住宅、商业及轻型工业的室内区域。c)应用环境可包括存在严重干扰源的环境，如果安装是根据特定的指导进行的，可确保干扰耦合最小化。d)本标准包含的设备应满足在家居及建筑物的环境气候条件和电磁条件下的正常运行。这尤其表明，设备应能在允许的条件内正确运行，特别指出对GB/T18039.3中定义的公用低压供电系统在各种干扰的电磁兼容性条件下可正确运行。居室和部分工业建筑物等。f)本标准中保留的抗扰性测试只涉及最严重的干扰现象。CJ/T356—20106.4.2气候环境条件的分类根据下列区域来进行气候环境条件的分类。——室内位置：3K4类：+5℃~十40℃ 未保护的室内区域：3K5类：一5℃~+45℃——恶劣的环境：3K8H类：—25℃~+70℃6.4.3基于GB2423标准的基本要求和测试本条提到的测试适用于正常使用的各种设备。只有用在特殊区域(如浴室)的设备，才要求特定的设计和测试。经过下列实验中的设备，不应被损坏且在测试期间及测试之后都不应显示任何故障或停止运行。测试应在一个带有温度控制的测试柜中进行。供电单元和测试所要求的电子操作方式都放置在测试柜的外面。测试中的设备至少每分钟操作一次，并记录操作的频率。测试方法如下：a)按GB/T2423.22—2002测试。其中，温度的变化：1℃/min,10min常温(GB/T2423.22—2002,图2中的t1,2次循环);测试中不应出现任何冷缩现象。——3K4类：+5℃~+55℃—3K6类：—25℃~+70℃——3K8H类：—25℃~十85℃c)按GB/T2423.4测试。其中，测试D-B,用于类别3K6和3K8H,温度40℃以上；循环数：2。设备经过了以下测试并再次达到运行的环境条件后，它们应不会被损坏，也不会显示任何故障或停止运行。测试方法如下：a)GB/T2423.2,干热，+70℃,16h在包装运输中的设备经过了下列测试并再次达到运行的环境条件后，它们应不会被损坏，也不会显示任何故障或停止运行。测试按GB/T2423.5,15g/11ms,三个轴向的三个震动。振动测试，正常运行中的设备。测试方法如下：—-GB/T2423.10 —10Hz～57Hz:振幅0.075mm(常量)-—>57Hz:加速度1g(常量)1倍频程/min10次循环6.5电磁兼容要求6.5.1应用范围a)本条款定义了HBES产品系列的电磁兼容要求。除非另有说明，否则GB/T17799.1、GB/T17799.3、GB/T17625.1和GB/T17625.2等一般标准的要求都将适用于本条款。它包含了与一个HBES相关的所有的装置、单元和设备。其要求具体如下：——媒体接口；——通用接口；——进程接口；28b)如果一台EUT既与HBES设备连接，又与另一台设备相连，则NAU及其所有外部接口都应遵循本标准；如果该EUT仅仅与HBES设备和一台可选的供电单元，如市电(NAU整合在EUT之中)相连，本标准只包含专门针对媒体接口和提供给NAU的可选电源的电磁兼容条c)图25描述了本标准的有效区域。可以看出，只有带点的虚线区域才包含在本标准的要求案例a媒体接口到HBES媒体数据DC¹)可选的专用功能网络接入单元UI/PII/0到其他设备外壳可选额外供电案例b被测设备数据DC¹)MI媒体接口到HBES媒体网络接入单元专用功能的外接1/0专用功能外壳可选额外供电¹)即使在一条独立的对线上，直流的连接仍属于媒体接口。图25本标准的有效区域除了遵循通用标准GB/T17799.1外，表7是对性能准则A和性能准则B的附加要求，适用于抗扰度测试期间对EUT反应的估值。6.5.4描述了用于监控测试中设备的设备及程序。29CJ/T356—2010有效区域案例(图25)性能准则EUI/通用接口在UI处无任何传输错误在测试中允许在UI处产生传输错误PI/处理接口I/O/输入输出在PI或I/O处无任何传输错误在测试中允许在PI或I/O处产生传输错误EUT/被测设备不允许有任何传输错误在测试中允许产生传输错误MI/媒体接口无任何传输错误测试中允许在MI处产生传输错误注1:在性能准则A,如果一台HBES设备通过差错校正、报文的重复或其他方式正确地接收了信息，将不被当作传输错误。如果要采用错误校正或报文的重复(重复的次数)等方式，应在产品的文本中加以清楚地说明注2:性能准则B允许在测试中出现传输错误，但测试后设备仍能正常运行。此抗扰度测试的等级要求部分要高于标准GB/T17799.1中的要求。表8、表9、表10和表11定义了现象基本标准测试规格性能准则备注快速瞬变GB/T17626.4AB通过电容夹耦合浪涌线到地线到线——平衡传输——不平衡传输GB/T17626.5-2008不要求测试1kV等级2BBGB/T17626.63kV等级210kV等级3AB现象基本标准测试规格性能准则备注快速瞬变GB/T17626.4AB通过电容夹耦合浪涌b线对地线对线——平衡传输—不平衡传输GB/T17626.52kV等级3不要求测试0.5kV等级1BBGB/T17626.63V等级210V等级3AB²测试等级取决于用电环境。根据系统中所采用的电缆类型(屏蔽线、铠装线等),电缆线和市电之间不要求特定的隔离。在这种情况下，可应用等级3。无论何时距离要求都存在，由制造商规定，测试等级可限定到等级26只应用于端口与总长超过10m的电缆的连接。标明的等级只应用于端口与超过30m的电缆的连接。对10m～30m的电缆，可直接应用较低的等级CJ/T356—2010表10市电(220VAC)a现象基本标准测试规格性能准则备注快速瞬变2kV等级3AB直接耦合浪涌a线对地线对线GB/T17626.5—20082kV等级3等级2等级3AB电压暂降和短时断电这些数值都符合电力环境3级标准。如果是更为恶劣的环境，则需要采取附加的测试。现象基本标准测试规格性能准则备注静电放电——接触放电——空气放电RF场如果一件产品在正常使用中电缆或单元没有连接到连接器上，则接触放电将直接应用于该连接器的任何可连的针脚上如果一件设备有一个在正常操作中可以被人接触的绝缘用户接口(如：灯光开关),应进行空气放电测所有测试都将采用HBES最小的配置加以完成。HBES最小的一个配置是能够测试EUT正常功50Ω,C=0.47μF)应定位连接到一条电缆的每一个线路或一组线路中(如连接到EUT的总线电缆的所有线路、UI的所有线路等)。如果I/O属于市电连接或PELV连接，则应直接用接地连接替换阻抗快速瞬变.1快速瞬变的测试要求和测试程序应遵循GB/T17626标准。测试方案应符合图26、图27、图28、图29和图30的要求。如果EUT处有一个金属安装板，则安装板是否通过HF(低感抗)接地，都应进行测试。EUT应与通信单元一起进行操作。.2供电单元市电连接的测试：电容夹到金属面或地线的连接应具备50Ω的阻抗及最短的导线连接。这一电阻避免了引起测试数据失真的反射。测试一秒钟后，供电单元总线端的电压U应处在指定的范围。总线电缆总长度：2m总线电缆总长度：2mCCEUTUN+sG金属面图26供电单元市电连接的测试CUFT/R总线电缆总长度：2m50HzEUTFG图27供电单元总线连接的测试.4总线设备市电连接的测试：电容夹到金属平或地线的连接应具备50Ω的阻抗及最短的导线连接。这一电阻避免了引起测试数据失真的反射。市电的连接应单独进行测试，其相关的地线之电压测试等级可按6.5.3的要求进行。DPSUFAC220V-AEUT距离CUN+sGAC220V-金属面入等。图28总线设备市电连接的测试等。电容夹到金属平或地线的连接应具备50Ω的阻抗及最小的导线连接。这一电阻避免了引起测试数据失真的反射。根据图33,本测试包含的输入/输出连接是无市电连接。总线电缆AC220V-50HzG可选件O金属面EUTPSUFA)除了测试中的MI,如果EUT还有其他执行接口，则该设备(D)和电容夹与供电单元连接在一起。图29总线设备的媒体接口测试.6总线设备通用接口、进程接口和输入/输出连接的测试：所有信号连接应单独进行单件测试，其相关的对地电压测试等级可按6.5.3的要求进行。电容夹到金属面或地线的连接应具备50Ω的阻抗及最小的导线连接。这一电阻避免了引起测试数据失真的反射。PSU三FAG0金属面可选件图30总线设备通用接口、进程接口和输入/输出连接的测试浪涌.1浪涌的测试要求和测试程序应遵循GB/T17626.5—2008。测试方案应符合图31到图35的安装与该现场的常规安装方式一致。如果EUT有一个金属安装板，则该安装板应.2供电单元市电连接的测试：在共模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图8的要求单独应用于每根市电线和地线之间。在差模测试中，测试电压根据标准GB/T17626.5—2008中图7的要求应用于市电线之间。每个脉冲一秒钟后，供电单元总线端的电压U应处在指定的范围内。图31供电单元市电连接的测试.3供电单元总线连接的测试：在共模测试中，如果采用了非屏蔽的总线电缆，则测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图12的要求(开关的位置处在零上)单独加在每个总线线路和地线之间。应使用合成波发生器代替10/700μs测试发生器。如果是有屏蔽的总线电缆，则测试电压应加在屏蔽层。在差模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图11的要求加在总线电缆之CJ/T356—2010间，其采用的去耦网络可参考标准GB/T17626.5—2008中图12的要求。每个脉冲一秒钟后，供电单元总线端的电压U应处在指定的范围内。绝缘面(如木桌)图32供电单元总线连接的测试.4HBES设备市电连接的测试：在共模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图8的要求单独加在共模每个市电线路和地线之间。在差模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图7的要求加在各市电线之间。D-总线电缆Z0绝缘面(如木桌)最大距离AC220V-CG如果测试中的市电连接是市电I/O连接，则这种I/O连接的示例为：220V继电器输出，220V二进输入等图33HBES设备市电连接的测试出等。在共模测试中，如果采用了非屏蔽的总线电缆，则测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图12的要求(开关的位置处在零上)单独加在每个总线线路和地线之间。应使用合成波发生器代替10/700μs测试发生器。如果是有屏蔽的总线电缆，则测试电压应加在屏蔽层。在差模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图11的要求加在总线线路之间，其采用的去耦网络可参考标准GB/T17626.5——2008中图12的要求PSU-F最大距离CGDZ0绝缘面(如木桌)图34HBES设备媒体接口的测试.6HBES设备通用接口、进程接口和输入输出连接的测试：在共模测试中，如果采用了非屏蔽的总线电缆，则测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图12的要求(开关的位置处在零上)单独加在每个信号线路和地线之间。应使用合成波发生器代替10/700μs测试发生器。如果是有屏蔽的电缆，则测试电压应加在屏蔽层。在差模测试中，测试电压应根据标准GB/T17626.5—2008中图11的要求加在信号线路之间，其采用的去耦网络可参考标准GB/T17626.5—2008中图12的要求。I/R最大距离1mF二Z绝缘面(如木桌)AC220V-CGUN+sPSU-图35HBES设备通用接口、处理接口和输入输出连接的测试静电放电静电放电的测试要求和测试程序应遵循GB/T17626.2。测试方案应按图36的要求进行。带有两个媒体接口(如路由器)的被测设备应在相连的供电单元和通信单元两侧都被激活。接触放电测试中，静电放电开关安装在金属测试板的表面上，测试电压被切换到6kV。空气放电测试中，静电放电开关发生器应调节到8kV的测试电压上，然后放电电极快速接近EUT的表面。CJ/T356—20101接触放电的ESD放电开关。2)空气放电的放电电极。图36静电放电射频场.1射频场的测试程序应遵循GB/T17626.3标准。测试方案应按照图37、图38、图39、图40和图41的要求进行。去耦滤波器和带通滤波器的频率应设计在80MHz到1GHz的范围内。对称的总线信号不应受到影响。去耦滤波器的衰减应大于10dB,而带通滤波器的衰减应大于100dB。去耦滤波器避免噪声电流的泄漏。输入/输出的适配器可根据EUT的类型进行选择。.2电波暗室的测试。可选的测试方法：开放区域测试地点。如果符合法定的要求，则这一方法适用于人口稀少的乡村地区。为了减少地面的反射，有必要采用吸收材料(参阅GB/T17626.3)。在测试频率的每个恒定相位期间，至少有一个传输件或设备被激活。带有两个媒体接口的EUT,两端EUTEUT最小配置PFATMEQUCtr/Eval~220V-50Hz电波暗室PSU测量柜HF▶CUT/R输柜总线或1/0电缆~220V-总线电缆PF1)如果EUT是一个PSU,则该设备可以是一个发射/接收单元。注：如果不影响测试的结果，则有屏蔽的测量设备可能安装在电波暗室的内部。在这种情况下，不需采用PF(带通滤波器)。图37电波暗室的测试CJ/T356—20.3电波暗室中EUT的详细测试方案：天线位于带记号的水平位置(图38)。传输天线应放置在足以允许一个校正面积的距离，即1.5m×1.5m,以与传输区域的波束宽度保持相当。如果EUT正面要占用的面积大于1.5m×1.5m,则在不同的天线辐射位置上，有必要进行一次校正，以使EUT在一系列测试中具有足够的照射(参阅GB/T17626.3)。天线位置距离1)EUT最小配置绝缘面(如木桌)1)可采用最小为1m的距离。但宜采用3m的距离。图38顶视图.4侧视图1仅用于EUT(总线设备)的测试，见图39。总线电缆绝缘面(如木桌)DF地板总线连接到CU和测量装置图39侧视图.5侧视图2用于最小配置中EUT的测试，见图40。0.8m～1m0.8m～1m总线电缆总线连接到CU和测量装置绝缘面(如木桌)市电连接电源电缆DF图40侧视图.6侧视图3用于最小配置的EUT(EUT有两条连入的总线或输入/输出电缆线),见图41。总线或I/0电缆DF绝缘面(如木桌)电源电缆PSUDF总线连接到CU和测量装置市电连接图41侧视图3信号电缆上的射频共模电压信号电缆上的射频共模电压的测试程序应遵循GB/T17626.6。测试方案应按图42的要求进行。测试的对象放置在一个10m厚的绝缘材料的支架上，并置于金属地平面上。根据GB/T17626.6,耦合网络为150Ω的共模CDN。信号电缆安装在绝缘支架上，并与被测设备相连。CDN放置在总线电缆上添加共模RF电压。发生器的总阻抗为150Ω。CDN中包含一个将辅助装置与RF电压绝缘的滤波器对应于指定的测试电压，测试的设置可调节到开放的终端电压(无调制)。在0.15MHz和80MHz的频率范围内进行扫描。发生器采用AM调制方式，调制频率为1kHz,调制深度为80%(要了解详细CU-FAC220V-CDN三EUTCDND0金属面RF-发生器¹)除了测试中的媒体接口之外，如果被测设备还有其他执行接口，则该设备和CDN应与NAU连接在一起。这种图42信号电缆上的射频共模电压的测试方案6:5.5无线电骚扰限制网络及设备的无线电骚扰限制应符合GB9254的B级要求。各项测试应根据该标准中描述CJ/T356—2010的方法进行。测试方案参阅图43、图44、图45、图46和图47中的说明。为了取得发射的最大化并与典型的应用一致，应变换测试样品的配置。30MHz到1000MHz之间的辐射.1电波暗室的测试见图43。长度EUT最小配置长度电波暗室MEQUMEQU长度=天线距离/EUT对应的最小配置，10m或3m。图43电波暗室测试方案的范例.2电波暗室EUT的详细测试方案a)侧视图1仅用于EUT(总线设备),见图44。绝缘面(如木桌)EUT绝缘面(如木桌)88水DF金属地板总线连接到CU和测量装置图44侧视图1(范例)b)侧视图2仅用于EUT(供电单元),见图45。PSUEUT电源电缆DF绝缘面(如木桌)可选负载总线电缆金属地板市电连接图45侧视图2(范例)c)侧视图3:用于最小配置中的EUT(EUT只有一条连接的总线电缆),见图46。EUTCU总线电缆金属地板绝缘面(如木桌)PSU电源电缆市电连接图46侧视图3(范例)d)侧视图4用于最小配置中的EUT(EUT有两条连接的总线或输入/输出电缆线),见图47。金属地板总线或I/0电缆电源电缆绝缘面(如木桌)EUT市电连接总线连接到CU和测量装置市电连接图47侧视图4(范例)0.15MHz到30MHz的传导发射测试根据.2、.3或.4,任选一个进行测试。.1对中描述的传导共模干扰极限的测试，可采用表12和表13中描述的电磁干扰噪声极限。表12对控制、信号和DC电源线的传导共模于扰极限频率范围电压极限dB/μV电流极限dB/μA准峰值平均值准峰值平均值0.15～0.540～300.5～30过渡频率处适合采用低限制。这些极限会随着0.15MHz～0.5MHz的频率对数线性递减。表13市电终端干扰电压的极限频率范围电压限制dB/μVMHz准峰值平均值0.15～0.566～5656～460.5～55～30过渡频率处适合采用较低限制。这些极限会随着0.15MHz～0.5MHz的频率对数线性地递减。.2总线电缆上的无线发射干扰电压的测量在屏蔽室内进行。则这个屏蔽室的墙壁可像地平面一样使用。测试方案应按图48的要求进行。根据图注所示至少要进行两种测量。地面(>2m×2m)EUT2)D³)0AC220v--1)终端T₁和T₂应交换使用。T₁用于HBES的最小配置测试，T₂用于EUT的测试。2)T终端或VN的采用由EUT来决定。³除了媒体接口之外，如果EUT还有一个可以连接设备的接口，则需要带I/O线的设备D。.3市电终端的无线发射干扰电压的测量在屏蔽室内进行。则这个屏蔽室的墙壁可像地面一样使用。测试方案应按图49的要求进行。地面(>2m×2m)PSU(EUT)¹)VN0MEQUAC220v-3VND2)¹如果PSU是EUT,则MEQU的这种连接用于市电终端干扰电压测试。2)如果总线设备是EUT,则MEQU的这种连接用于市电终端干扰电压测试。3)负载在测试报告中需详细说明。4)除了MI之外，如果EUT还有一个可以连接设备的接口，则需要带I/0线的设备D。.4总线电缆的共模噪声电流的测量可在一个屏蔽的房间内进行。如果是这样，则这个屏蔽间的墙壁可像地平面一样使用。测试方案应按图53的要求进行。根据备注1和2,至少要进行两种地面(>2m×2m)PSU电流夹EUTyNMEQUAC220V-)-VND一般的测试要求和测试程序应遵循GB/T·17626.11标准。测试方案应按图51的要求进行。从供总线电缆AC220V-EUT用一个变压器，一个电源放大器Q或其他合适的装置的测试仪器负载1)¹从供电单元的角度激活满负荷的总线。6.6.1HBES功能应保证连接网络的任何部件或设备出现故障的质量风险最小化。6.6.3没有描述HBES设备本身的对特定条件的回应内部反应细节，因6.6.4如果出现了电力故障，HBES网络中一部分的初始化不应严重影响HBES网络中另一部分的6.6.7系统平均无故障工作时间(MTBF)不得少于10⁶h。系统平均无故障工作时间的计算要按照43CJ/T356—20106.6.8其他失效对超过0.5s的总线通信不能产生负面影响。应遵循GB/T20438.4中使用的产品生命周期的理论：e)与其他HBES产品的交互作用；44分析中已经考虑以下危险事件(总线和市电的220V/380V):14)部件或产品的寿命终止；19)材料的断裂(机械地);21)损坏设备和子系统间的切换；23)一个产品(如执行器)接收到两处指令；根据附录A的方法，对事件的可能性进行分析，并考虑其风险级别。对每个危险事件应进行风险分析，可参阅附录B。如果评估的风险级别表明了一个不可接受的风险等级，则要求采取风险降低措风险降低措施。如果厂商想要研发包含未被7.2.3覆盖的危险事件的HBES产品或系统，则应根据GB/T20438.5—2006进行风险分析。a)根据GB/T20438.5b)7.3.2～7.3.7包含了对HBES产品的要求以及为产品的正确安装、操作和维护提供所需的信息的要求。也提供了产品一致性要求，并对必要c)引用的所有产品测试都是类型测试。d)附录B中指明了功能安全要求的根据和原因。45CJ/T356—2010设计产品的标识和说明时应能防止错误连接的风险(7.2.3中的危险事件3、7.2.3中的危险产品的结构及设计应防止错误的连接。这可以通过正确的连接分组来实现(7.2.3中的危险产品的设计应能抵抗合乎其应用的机械压力(7.2.3中的危险事件9)。应根据相关的产品标规定的使用寿命，则产品数据表应提供维护的说明(7.2.3中的危险事件14)。应通过对照说明文档来 产品的识别以及通过网络管理进行产品识别和外形比较—授权应保证正确的配置和相关参数(7.2.3中的危险事件15)。应根据现有配置与设想的(预设 46CJ/T356—2010在配置过程中，应提供漏检和/或未完全配置产品的检验方法(7.2.3中的危险事件15)。应软件的开发过程应符合GB/T19001或类似标准的要求(7.2.3中的危险事件16)。应通过产品应