模拟电子技术项目化教程(第2版)课件 2.4 三极管的主要参数_第1页
模拟电子技术项目化教程(第2版)课件 2.4 三极管的主要参数_第2页
模拟电子技术项目化教程(第2版)课件 2.4 三极管的主要参数_第3页
模拟电子技术项目化教程(第2版)课件 2.4 三极管的主要参数_第4页
模拟电子技术项目化教程(第2版)课件 2.4 三极管的主要参数_第5页
已阅读5页,还剩5页未读 继续免费阅读

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

三极管的主要参数主讲:李华1.电流放大系数(1)共发射极直流电流放大系数三极管的主要参数iC

/mAuCE100µA80µA60µA40µA20µAIB=0O24684321Q2.451.65(2)共发射极交流电流放大系数

一般为几十

几百Q’低频管的β值一般选20~100,高频管的β值大于10即可大小相近可以混用2.极间反向饱和电流(1)集电极–基极反向饱和电流ICBO定义:发射极开路时集电结在反向电压作用下,

形成的集电极和基极之间的反向饱和电流。特点:三极管的ICBO越小,说明其热稳定性越好。小功率硅三极管的ICBO<1μA,锗三极管的ICBO为几μA到几十μA。三极管的主要参数ICBOVCC

Abce在温度变化范围大的工作环境中,尽可能地选择硅管2.极间反向饱和电流(2)集电极—发射极穿透电流ICEO定义:基极开路,集电极与发射极间加上一定数值的反偏电压时,流过集电极和发射极之间的电流。特点:ICEO也受温度影响很大,温度升高,ICBO增大,ICEO随之增大。选择管子时,应选反向饱和电流小的管子,硅管的ICEO比锗管的小。三极管的主要参数ICEOVCC

Abce3.三极管的主要极限参数三极管的主要参数iCICMU(BR)CEOuCEPCM0ICEO安全工作区1)ICM

—集电极最大允许电流,超过时

值明显降低。U(BR)CBO

—发射极开路时C、B极间反向击穿电压2)PCM—集电极最大允许功率损耗PCM=iC

uCE。3)U(BR)CEO

—基极开路时C、E极间反向击穿电压U(BR)EBO

—集电极开路时E、B极间反向击穿电压U(BR)CBO>U(BR)CEO>U(BR)EBO

三极管的主要参数4.三极管的选管原则三极管的主要参数1)使用时不能超过极限参数(ICM,PCM,U(BR)CEO)。2)工作在高频条件下应选用高频或超高频管;工作在开关条件下应选用速度足够高的开关管。3)要求反向电流小、允许结温高且温变大时,选硅管;要求导通电压低时选锗管。4)

同型号管,优先选用反向电流小的。

值不宜过大,一般以几十~一百左右为宜(进口小功率管

较大,如9013、9014等

在200以上)。5.温度对三极管伏安特性的影响1)温度对UBE的影响2)温度对ICBO的影响三极管的主要参数输入特性曲线随温度升高而左移,使UBE减小温度每升高1℃,UBE就减小2~2.5mV。温度升高,本征激发产生的载流子浓度增大,少子增多,所以ICBO增加,导致ICEO增长,输出特性曲线上移温度每升高10℃,ICBO、ICEO就约增大1倍。5.温度对三极管伏安特性的影响

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论