• 现行
  • 正在执行有效
  • 2010-07-05 颁布
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【正版授权-英语版】 ISO 17331:2004/Amd 1:2010 EN Surface chemical analysis - Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and th_第1页
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基本信息：

  • 标准号：ISO 17331:2004/AMD 1:2010 EN
  • 标准名称：表面化学分析 从硅晶片工作参考材料表面采集元素并通过全反射 X 射线荧光（TXRF）光谱进行测定的化学方法 修正案1
  • 英文名称：Surface chemical analysis — Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy — Amendment 1
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2010-07-05

文档简介

ISO17331标准主要涉及到硅片工作参考材料的表面化学分析，通过化学方法从硅片表面收集元素，并通过全反射X射线荧光光谱法（TXRF）进行测定。这个标准主要涉及到硅片表面元素的收集和分析过程，以及TXRF光谱法的应用。

以下是该标准的主要内容：

1.适用范围：该标准规定了用于收集硅片表面元素的方法，并提供了通过TXRF光谱法对这些元素进行测定的方法。它适用于各种类型的硅片，包括半导体工业中常用的各种尺寸和类型的硅片。

2.准备工作：在进行表面元素收集和分析之前，需要进行适当的准备工作，包括硅片的准备、试剂和仪器的准备等。这些准备工作应该按照相关指南进行。

3.收集方法：该标准规定了两种收集方法：化学腐蚀法和离子注入法。化学腐蚀法是通过使用适当的化学试剂在硅片表面产生化学反应，从而释放出所需的元素。离子注入法则是通过将离子注入到硅片表面，从而改变表面的化学性质，并释放出所需的元素。这些方法应该根据具体情况选择使用。

4.测定方法：通过TXRF光谱法对收集到的元素进行测定。TXRF光谱法是一种非破坏性的分析方法，它通过X射线全反射来检测样品中的元素。这种方法具有高灵敏度和高精度，可以用于分析各种元素。

5.结果解释：通过对TXRF光谱的分析，可以确定硅片表面的元素种类和含量。这些结果应该根据相关指南进行解释，并用于评估硅片的表面质量、纯度和其他相关参数。

6.质量控制和质量控制程序：该标准要求在整个分析过程中实施质量控制和质量控制程序，以确保分析结果的准确性和可靠性。这些程序应该包括样品的均匀性、试剂的质量、仪器的准确性和稳定性等方面的检查。

7.实验室和人员要求：进行表面元素收集和分析的实验室应该具备适当的设施和设备，并具备相关领域的专业知识和技能。实验室应该实施适当的培训和管理程序，以确保分析结果的准确性和可靠性。

以上是ISO17331:2004/Amd1:2010ENSurfacechemicalanalysis—Chemicalmethodsforthecollectionofelementsfromthesurfaceofsilicon-waferworkingreferencematerialsandtheirdeterminationbytotal-reflectionX-rayfluorescence(TXRF)spectroscopy—Amendment1标准的主要内容。这

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