• 现行
  • 正在执行有效
  • 2004-05-18 颁布
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【正版授权-英语版】 ISO 17331:2004 EN Surface chemical analysis - Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determi_第1页
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基本信息：

  • 标准号：ISO 17331:2004 EN
  • 标准名称：表面化学分析 从硅晶片工作参考材料表面收集元素并通过全反射 X 射线荧光 (TXRF) 光谱测定的化学方法
  • 英文名称：Surface chemical analysis — Chemical methods for the collection of elements from the surface of silicon-wafer working reference materials and their determination by total-reflection X-ray fluorescence (TXRF) spectroscopy
  • 标准状态：现行
  • 发布日期：2004-05-18

文档简介

ISO17331:2004标准主要涉及到硅片工作参考材料表面元素的收集方法，以及通过全反射X射线荧光光谱法（TXRF）对这些元素进行测定。这个标准提供了关于如何采集和分析硅片表面元素的一系列指导原则和最佳实践。

具体来说，该标准涵盖了以下主要内容：

1.硅片工作参考材料的表面处理：该标准详细说明了如何处理硅片，以便能够有效地收集表面元素。这可能涉及到使用适当的清洗剂和操作步骤，以确保元素被有效地从硅片表面提取出来。

2.元素收集方法：该标准提供了多种元素收集方法，包括化学浸提、溶解和离子交换等。每种方法都有其特定的适用性和局限性，因此在实际应用中需要根据具体情况选择最合适的方法。

3.元素测定方法：全反射X射线荧光光谱法（TXRF）是该标准中推荐的主要元素测定方法。这种方法利用X射线全反射原理，通过测量反射X射线荧光的光谱，来确定硅片表面元素的种类和含量。

4.数据处理和报告：该标准还涉及到数据处理和报告的规范。它提供了关于如何分析TXRF光谱数据，以及如何根据这些数据生成报告的指南。

ISO17331:2004标准提供了一种系统的方法，用于采集和分析硅片工作参考材料表面的元素。这种方法对于科学研究、质量控制和生产过程监控等领域具有重要意义。在实际应用中，该标准为实验室工作人员提

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