旁路电容的寄生参数研究

20/24旁路电容的寄生参数研究第一部分ESR对旁路电容去耦效果的影响 2第二部分ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响 4第三部分EPC对高频电容等效串联电阻的影响 7第四部分SRF与旁路电容有效频率范围的关系 9第五部分自感在高频下的表现及其对旁路的阻碍 13第六部分损耗角正切对电容品质因数的影响 15第七部分电容尺寸与寄生参数之间的关联性 18第八部分寄生参数对旁路电容实际应用的优化策略 20

第一部分ESR对旁路电容去耦效果的影响关键词关键要点【ESR对旁路电容去耦效果的影响】：

1.ESR限制旁路电流：ESR引入电阻，从而限制流经旁路电容的电流，降低其去耦有效性。高ESR值会导致去耦效果下降。

2.ESR增加功耗：ESR会产生功率损耗，导致旁路电容发热。高ESR值会增加功耗，降低系统的整体能效。

3.ESR引起振荡：在某些情况下，高ESR可能会导致振荡，这是由于旁路电容和电源轨之间的谐振引起的。振荡会损害设备并降低系统稳定性。

【寄生电感对旁路电容去耦效果的影响】：

旁路电容的等效串联电阻(ESR)对去耦效果的影响

旁路电容的等效串联电阻(ESR)是一个重要的寄生参数，它对旁路电容的去耦效果有显著影响。ESR主要由电容引线、电极和电解液等因素引起。

ESR的影响机理

ESR在旁路电容的去耦路径中产生阻抗，从而限制了电容器向负载提供高频电流的能力。当发生瞬态电流需求时，ESR会导致旁路电容上的电压下降延迟，进而增加噪声和电源纹波。

去耦效果与ESR的关系

ESR越高，去耦效果越差。这是因为ESR会增加旁路电容的阻抗，从而降低其高频电流传输能力。下表总结了ESR对去耦效果的影响：

|ESR|去耦效果|

|||

|低|优|

|中等|一般|

|高|差|

ESR对不同频率的影响

ESR对旁路电容去耦效果的影响随频率而变化。在低频范围内，ESR通常对去耦效果影响不大。然而，在高频范围内，ESR会显著增加旁路电容的阻抗，从而严重降低其去耦能力。

ESR的测量和选取

ESR的测量通常使用阻抗分析仪进行。对于旁路电容，理想的ESR值应尽可能低。低ESR的电容器可以提供更好的去耦效果，减少瞬态电压下降和电源纹波。

在选择旁路电容时，应根据电路的频率范围和瞬态电流需求来考虑ESR。对于高频电路，应选择ESR较低的电容器以获得最佳去耦效果。

降低ESR的措施

有几种方法可以降低ESR，包括：

*使用大电容值电容器

*选择具有低ESR的电容器类型（例如，陶瓷电容器）

*采用并联多颗电容器

*使用低阻抗引线和连接器

结论

ESR是旁路电容的一个关键寄生参数，它对去耦效果有显著影响。低ESR的电容器提供更好的去耦性能，减少电源纹波和瞬态电压下降。在选择旁路电容时，应考虑ESR的影响，并根据电路的具体要求选择适当的电容器类型和ESR值。第二部分ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响关键词关键要点ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响

1.ESL会增加电容的高频阻抗，导致谐振频率下降。

2.ESL会限制电容向负载快速提供电流，影响回路稳定性。

3.高ESL值会导致振荡或不稳定，需要仔细考虑。

回路稳定性与ESL

1.ESL和电容ESR共同决定回路稳定性。

2.高ESL值增加回路的等效阻尼，可能导致不稳定。

3.减小ESL可以通过增加电容面积或减小层叠厚度来实现。

ESL对高频应用的影响

1.在高频应用中，ESL的分布效应变得显著，影响电容性能。

2.ESL会引起串联谐振，导致阻抗峰值和频率失调。

3.电容布局和PCB设计应优化以最小化ESL影响。

ESR和ESL的协同效应

1.ESR和ESL共同决定电容的整体性能。

2.ESR和ESL的相互作用对高频特性和回路稳定性有显著影响。

3.优化ESR和ESL之间的平衡对于电容的最佳性能至关重要。

电容布局和ESL

1.电容布局会影响ESL，从而影响电容性能。

2.应尽量缩短电容连接路径，以减小ESL。

3.使用过孔或过孔阵列可以进一步降低ESL。

前沿研究和趋势

1.正在开发低ESL电容，以满足高频和高功率应用的需求。

2.新型材料和结构设计被用于降低电容ESL。

3.电容建模和仿真技术不断进步，可以更准确地预测ESL的影响。ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响

引言

在高频电路设计中，旁路电容的等效串联电感（ESL）成为一个至关重要的因素，它会影响电容的高频特性和回路稳定性。本文深入探讨了ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响，为旁路电容的选择和设计提供理论指导。

ESL对高频特性的影响

ESL在高频下会产生感抗，阻碍电流流动，导致电容的有效电容值下降。这种效应称为“谐振”，当感抗与电容容抗相等时，会发生谐振。谐振频率由以下公式确定：

```

f=1/(2π√(LC))

```

其中：

*f：谐振频率（Hz）

*L：电感（H）

*C：电容（F）

谐振频率以下，电容表现为电容，谐振频率以上，电容表现为电感。在高频下，ESL的存在会使电容的有效电容值减小，从而降低旁路效果。

ESL对回路稳定性的影响

ESL在高频下产生的感抗会与旁路电容的电容容抗形成LC谐振回路。当系统中的寄生电感或电阻与这个LC谐振回路耦合时，可能会引起自激振荡，导致回路的不稳定。

自激振荡的频率与谐振频率相近，并且振荡的幅度会随着感抗和容抗之间的比例而变化。ESL越大，感抗越大，谐振频率越低，自激振荡的风险也越大。

影响ESL的因素

ESL的大小受以下因素影响：

*电容结构：片式电容的ESL通常比电解电容小。

*封装方式：垂直安装的电容比水平安装的电容ESL更小。

*引线长度：引线越长，ESL越大。

*印刷电路板（PCB）布局：PCB上的走线和过孔会增加ESL。

减小ESL的措施

为了减少ESL对电容高频特性和回路稳定性的影响，可以采取以下措施：

*选择低ESL电容：片式陶瓷电容往往具有较低的ESL。

*合理布线：使用短引线和宽走线，尽量减少寄生电感。

*优化PCB布局：避免在电容附近布放高频走线或寄生电感。

*增加并联电容：并联多个低ESL电容可以有效降低整体ESL。

结论

ESL是旁路电容在高频应用中需要考虑的重要参数。它会影响电容的高频特性，并可能引起回路的不稳定。通过了解ESL的影响并采取减小ESL的措施，可以优化旁路电容的性能，提高电路的稳定性和可靠性。第三部分EPC对高频电容等效串联电阻的影响关键词关键要点旁路电容的寄生参数对高频电容等效串联电阻的影响

1.内阻和介质损耗：EPC增加了电容器的内阻，随着频率的升高，介质损耗也会增加，从而增大等效串联电阻(ESR)。

2.导体损耗：EPC的导电路径会产生电阻，导致高频时ESR增加。

寄生电感的影响

1.电感效应：EPC会形成寄生电感，在高频时与电容器的电容形成谐振，导致ESR峰值出现。

2.高频影响：随着频率的升高，寄生电感的影响变得更加显着，从而加大ESR。

3.电路布局：EPC的布局和连接方式会影响寄生电感，进而影响ESR。

介电材料的影响

1.介电常数：不同介电材料的介电常数会影响电容器的等效电容，进而影响ESR。

2.介质损耗因数：介质损耗因数表征材料的能量损失，高损耗因数会导致ESR增加。

3.温度影响：温度的变化会影响介电材料的特性，从而影响ESR。

电极材料的影响

1.电极面积：电极面积越大，等效电阻越小，ESR越低。

2.电极材料：不同电极材料的导电性不同，会影响电容器的ESR。

3.电极粗糙度：电极表面越粗糙，接触电阻越大，导致ESR增加。

封装方式的影响

1.封装材料：不同的封装材料具有不同的电阻率，影响EPC的寄生参数。

2.封装尺寸：封装尺寸会影响EPC的分布和寄生参数。

3.散热性能：散热不良会导致电容器温度升高，影响ESR。

应用考虑

1.电路要求：了解电路对ESR的要求至关重要，以选择合适的旁路电容。

2.频率响应：考虑电路的工作频率范围，选择在该频率范围内ESR较低的电容。

3.温度影响：评估电路的工作温度范围，并选择能够在该温度范围内保持稳定ESR的电容。EPC对高频电容ESR的影响

引言

电解质聚合物电容器（EPC）以其高容量、低ESR（等效串联电阻）和高浪涌电流能力而著称。在高频应用中，EPC的寄生参数，包括ESR，对于电容器的性能至关重要。

EPC的等效电路模型

在高频下，EPC的等效电路模型可以表示为电阻-电容（RC）串联电路。其中，电阻部分表示ESR，电容部分表示电容器的等效电容（Ce）。

ESR的组成

EPC的ESR由以下因素组成：

*电解质电阻：电解质中的离子电阻。

*电极电阻：电极的内阻。

*导线电阻：连接电极和端子的导线的电阻。

*接触电阻：电极和导线之间的接触点电阻。

高频下ESR的影响

在高频下，ESR会对EPC的性能产生以下影响：

*热损耗：ESR会引起电容器中的热损耗，导致电容器温度升高。

*自谐振频率（SRF）：ESR会降低EPC的SRF，这是电容器可以有效工作的最高频率。

*阻抗：ESR会增加EPC的阻抗，从而降低其电流处理能力。

EPC中ESR的频率依赖性

EPC中ESR与频率呈正相关关系。随着频率的增加，ESR也会增加。这是因为频率的增加会提高电解质中离子的极化阻力。

EPC中ESR的温度依赖性

EPC中ESR也与温度呈正相关关系。随着温度的升高，ESR也会增加。这是因为电解质的温度升高会降低其离子迁移率。

减小ESR的方法

有几种方法可以减小EPC中的ESR：

*使用低电阻电解质：电解质的电阻较低，ESR也较低。

*增加电极面积：电极面积越大，电极电阻越低。

*减小导线长度：导线越短，导线电阻越低。

*优化电极接触点：良好的电极接触可以降低接触电阻。

结论

寄生参数，特别是ESR，对高频EPC的性能至关重要。通过了解ESR的组成、频率和温度依赖性以及减小ESR的方法，设计人员可以优化EPC的性能，以满足高频应用的要求。第四部分SRF与旁路电容有效频率范围的关系关键词关键要点旁路电容的有效频率范围

*旁路电容的有效频率范围受其自谐振频率（SRF）的限制。低于SRF时，旁路电容具有较好的去耦能力，可以有效抑制高频噪声。

*等效串联电感（ESL）和等效串联电阻（ESR）会影响电容的SRF。ESR较低、ESL较小的电容具有较高的SRF。

*旁路电容的有效频率范围应根据电路中噪声源的频率范围进行选择。典型情况下，旁路电容的SRF应比噪声源的频率高一个数量级以上。

SRF与旁路电容尺寸

*旁路电容的尺寸越大，其SRF越低。这是因为较大的电容具有较大的寄生电感。

*表面贴装电容（SMT）通常比通孔电容（THT）具有较小的尺寸和SRF。

*选择旁路电容时应考虑其尺寸和SRF的权衡。在空间受限的情况下，可能需要使用具有较高SRF但尺寸较大的电容。

SRF与旁路电容材料

*不同材料的电容具有不同的SRF。陶瓷电容通常具有较高的SRF，而电解电容具有较低的SRF。

*陶瓷电容的SRF由其介电常数、介电损耗和几何形状决定。

*选择旁路电容时应根据其SRF和材料特性进行考虑。在需要高SRF的应用中，应选择陶瓷电容。

SRF与旁路电容布局

*旁路电容的布局会影响其SRF。电容引脚长度较短、与地平面距离较近时，其SRF较高。

*应使用大面积地平面来减小旁路电容的寄生电感。

*通过优化旁路电容的布局，可以提高其SRF和去耦性能。

SRF与旁路电容并联

*并联多个旁路电容可以提高其有效SRF。

*并联电容时，单个电容的SRF会降低，但整体SRF会提高。

*并联旁路电容的SRF可以通过以下公式计算：SRF_并联=1/(1/SRF_1+1/SRF_2+...)

SRF与旁路电容趋势

*高速数字电路对旁路电容的SRF要求越来越高。

*陶瓷电容的SRF不断提高，以满足这些要求。

*SMT电容和优化布局技术的发展有助于提高旁路电容的SRF。旁路电容的寄生参数研究

SRF与旁路电容有效频率范围的关系

引言

旁路电容广泛应用于电子电路中，用于改善电源稳定性、减少噪声和提高电路性能。旁路电容的选择至关重要，其寄生参数会影响其有效频率范围。本文重点研究旁路电容的寄生参数自谐振频率(SRF)，并探讨其与有效频率范围之间的关系。

自谐振频率(SRF)

自谐振频率是旁路电容失真最小的频率，在该频率下电容的感性和容性阻抗相等。当频率高于SRF时，电容的感性阻抗将变得比容性阻抗更大，导致电容的旁路效果下降。

旁路电容的有效频率范围

旁路电容的有效频率范围是指它能够有效旁路噪声和改善电源稳定性的频率范围。该范围由SRF决定，一般来说，有效频率范围为SRF的十分之一到十分之三。

当频率低于SRF的十分之一时，电容的容性阻抗远小于感性阻抗，电容可以有效旁路低频噪声。当频率高于SRF的十分之三时，电容的感性阻抗远大于容性阻抗，电容的旁路效果不佳。因此，旁路电容的SRF决定了其有效频率范围的低端和高端。

关系式

旁路电容的SRF可以通过以下公式计算：

```

SRF=1/(2π√LC)

```

其中：

*L是电容的等效串联电感(ESL)

*C是电容的电容值

由上述公式可知，SRF与ESL和C成反比。减小ESL和增加C值可以提高SRF。

影响因素

旁路电容的SRF受多种因素影响，包括：

*电容类型：陶瓷电容的SRF通常比电解电容高。

*封装尺寸：较小的封装尺寸通常具有较低的ESL，因此SRF更高。

*ESL：ESL是电容内部导线和电极的电感。较低的ESL可以提高SRF。

*电容值：电容值越大，SRF越低。

优化SRF

为了优化旁路电容的SRF，可以采取以下措施：

*选择具有低ESL和高C值的电容。

*使用多个并联电容来降低ESL。

*采用较小的封装尺寸。

总结

旁路电容的SRF是一个关键参数，它决定了电容的有效频率范围。通过理解SRF与有效频率范围之间的关系，设计人员可以优化旁路电容的选择，以满足特定电路的需要，提高电路的性能和稳定性。第五部分自感在高频下的表现及其对旁路的阻碍关键词关键要点旁路电容自感在高频下的表现及其对旁路的阻碍

主题名称：自感对旁路电容阻抗的影响

*

*自感会增加旁路电容在高频下的阻抗，降低其旁路效果。

*自感效应随着频率升高而增强，在高频段尤为显著。

*旁路电容的形状、尺寸和布局都会影响其自感。

主题名称：自感对旁路电流的阻碍

*自感在高频下的表现及其对旁路的阻碍

简介

旁路电容是电子电路中用于为IC提供稳定电源电压的重要组件。当IC在高频下工作时，旁路电容的自感将显著影响其旁路效果。

自感的概念

自感是指导体中电流变化时在其周围产生的磁场能量。导体的自感值（L）与其形状、尺寸、匝数和介质有关。

自感在高频下的表现

在高频下，旁路电容的自感将表现出以下特征：

*感抗（XL）：自感在交流电路中表现出的电阻，其值与频率成正比。XL=2πfL，其中f为频率，L为自感值。

*阻抗（Z）：在高频下，旁路电容的阻抗不再只是其电容值，而是取决于其自感和电容的综合影响。Z=√(R²+XL²-XC²)，其中R为电容的等效串联电阻（ESR），XC为其电容值。

自感对旁路的阻碍

自感对旁路的阻碍主要体现在以下几个方面：

*共振频率：当交流信号频率与旁路电容的谐振频率一致时，其阻抗会急剧增大，从而削弱旁路效果。谐振频率由以下公式确定：f=1/(2π√LC)，其中L为自感值，C为电容值。

*阻抗增加：在高频下，旁路电容自感产生的感抗会与电容值产生的容抗相抵消，导致其整体阻抗增加。这会限制电流流过旁路电容的能力，降低其旁路效果。

*电源噪声增加：在高频下，旁路电容自感产生的感抗会与其他电路元件的电感形成回路，产生谐振，从而导致电源噪声增加。

减小自感影响的措施

为了减小自感对旁路电容性能的影响，可以采取以下措施：

*选择低自感电容：使用陶瓷电容或钽电解电容，其自感值较低。

*优化电容布局：将旁路电容尽可能靠近IC放置，以减少导线电感。

*使用多层旁路：使用多个小电容并联形成旁路网络，可以减小整体自感值。

*使用铁氧体磁珠：在旁路电容的引脚上串联铁氧体磁珠，可以吸收高频信号，抑制谐振。

结论

旁路电容的自感在高频下会显著影响其旁路效果。了解自感产生的感抗、共振频率和阻抗增加等特性，并采取适当的措施来减小自感的影响，对于保证电子电路的稳定性和性能至关重要。第六部分损耗角正切对电容品质因数的影响关键词关键要点【损耗角正切对电容品质因数的影响】：

1.损耗角正切（tanδ）是表征电容损耗特性的重要参数，它反映了电容内阻抗中损耗分量的比例。

2.tanδ越小，表明电容的品质因数（Q值）越高，耗散的能量越少，电容性能越好。

3.tanδ主要受介质材料的导电性、极化过程以及电极材料的表面状态等因素影响。

【频率对损耗角正切的影响】：

损耗角正切对电容品质因数的影响

损耗角正切（tanδ）是表征电容器损耗程度的重要参数。电容器在交流电路中工作时，由于介质损耗、导体损耗、电极极化等因素，会表现出一定的损耗，损耗角正切即为损耗功率与无功功率之比。

品质因数与损耗角正切的关系

电容器的品质因数（Q）定义为无功功率与损耗功率之比，即：

Q=1/tanδ

品质因数越大，表示电容器的损耗越小，性能越好。损耗角正切越大，表示品质因数越小，电容器的损耗越大。

损耗角正切对电容器性能的影响

损耗角正切对电容器的性能有以下几方面的影响：

1.交流损耗

损耗角正切与交流损耗密切相关。交流损耗是指电容器在交流电路中由于损耗而消耗的功率。损耗角正切越大，交流损耗越大。

2.电容稳定性

损耗角正切影响电容器的电容稳定性。损耗角正切越大，电容稳定性越差，电容值更容易随时间变化。

3.耐压能力

损耗角正切影响电容器的耐压能力。损耗角正切越大，电容器的耐压能力越差，更容易发生击穿。

4.温升

损耗角正切影响电容器的温升。损耗角正切越大，温升越大。

损耗角正切的测量

损耗角正切可以通过阻抗分析仪或电桥等仪器测量。测量时，将电容器与已知电阻串联，并施加正弦交流电压。通过测量电压和电流，可以计算出损耗角正切。

影响损耗角正切的因素

影响损耗角正切的因素主要有以下几方面：

1.介质材料

介质材料的特性对损耗角正切有显著影响。介质材料的介电常数和损耗因数越大，损耗角正切越大。

2.电极材料

电极材料的电阻率和表面粗糙度也会影响损耗角正切。电阻率越小，表面越光滑，损耗角正切越小。

3.电容器结构

电容器的结构，例如电极形状、介质厚度和绕线方式，也会影响损耗角正切。

4.温度

温度对损耗角正切有较大影响。一般来说，损耗角正切随温度升高而增大。

5.频率

频率也会影响损耗角正切。损耗角正切通常随频率升高而增大。

降低损耗角正切的措施

为了提高电容器的性能，降低损耗角正切，可以采取以下措施：

1.选择低损耗介质材料

使用介电常数低、损耗因数小的介质材料，可以有效降低损耗角正切。

2.优化电极结构

通过优化电极形状、表面处理等手段，可以减少电极损耗，从而降低损耗角正切。

3.采用屏蔽工艺

在电容器周围采用金属屏蔽层，可以减少电磁干扰，降低介质损耗，从而降低损耗角正切。

4.适当控制温度

在电容器工作时，应控制温度在适宜范围内，避免温度过高导致损耗角正切增大。

5.选择低阻抗连接

在电容器连接时，应使用低阻抗连接方式，以减少导体损耗，降低损耗角正切。

应用

损耗角正切在电容器的应用中非常重要，它可以用于评估电容器的性能，选择合适的电容器，并采取相应的措施降低损耗，提高系统效率。例如，在电力系统中，损耗角正切高的电容器会增加系统损耗，影响供电质量。因此，在选择电力系统中的电容器时，必须考虑损耗角正切的指标。第七部分电容尺寸与寄生参数之间的关联性关键词关键要点主题名称：旁路电容尺寸对寄生电感的影响

1.旁路电容的尺寸越大，其寄生电感也越大。这是因为较大的电容需要更多的导体材料，从而增加了电感。

2.寄生电感的影响是随着频率的增加而增加的。因此，在高频应用中，需要仔细考虑旁路电容的尺寸和寄生电感。

3.寄生电感可以通过使用较厚的导体、更短的导线长度和多个并联电容来最小化。

主题名称：旁路电容尺寸对寄生电阻的影响

电容尺寸与寄生参数之间的关联性

导言

旁路电容是电子系统中至关重要的元件，它们通过将高频噪声旁路到接地来维持电能质量。然而，旁路电容会引入一些寄生参数，如等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)和介电损耗。这些寄生参数会影响旁路电容的性能，因此了解它们与电容尺寸之间的关联性非常重要。

寄生电阻(ESR)

ESR是由电容内部导体和介电材料的电阻引起的。它会增加旁路路径的阻抗，从而降低电容在高频下的有效性。通常，电容尺寸越大，ESR越低。这是因为较大的电容具有较大的导体横截面积，从而减小了电阻。

寄生电感(ESL)

ESL是由电容内部导体之间的磁耦合引起的。它会限制高频电流的流动，从而降低旁路电容的有效性。通常，电容尺寸越大，ESL越高。这是因为较大的电容具有较大的导体长度和面积，从而增加了磁耦合。

介电损耗

介电损耗是由于介电材料在电场作用下释放能量引起的。它会转化为热量，导致电容的效率降低。介电损耗通常与电容尺寸无关，而是取决于介电材料的特性。

电容尺寸的优化

为了优化旁路电容的性能，需要考虑电容尺寸与寄生参数之间的关联性。通常，最佳的电容尺寸是通过权衡ESR和ESL的影响来确定的。对于高频应用，应优先选择ESR较低的电容，即使这意味着牺牲一些ESL。对于低频应用，ESL成为更重要的考虑因素，因此应选择ESL较低的电容。

具体数据

以下表格提供了不同尺寸电容的寄生参数示例值：

|电容尺寸(µF)|ESR(mΩ)|ESL(nH)|

||||

|10|10|5|

|47|5|15|

|100|3|20|

|220|2|30|

|470|1|40|

结论

旁路电容的尺寸会显着影响其寄生参数ESR和ESL。了解这些关联性对于优化电容的性能至关重要。通过仔细考虑特定应用的要求，可以选择具有最佳尺寸的电容，从而实现有效的旁路和电能质量的维持。第八部分寄生参数对旁路电容实际应用的优化策略旁路电容寄生参数对实际应用的优化策略

引言

旁路电容在电子系统中扮演着至关重要的角色，为快速瞬态电流提供低阻抗通路，抑制电源噪声和减少EMI。然而，旁路电容并非理想元件，它们具有寄生参数，如等效串联电阻(ESR)、等效串联电感(ESL)和寄生电容(Cp)，这些参数会影响旁路性能。了解和优化这些寄生参数对于有效设计旁路网络至关重要。

寄生参数的影响

1.等效串联电阻(ESR)

ESR是电容器内部导线、电极和介电材料的电阻。较高的ESR会降低旁路电容在高频下的有效性，导致电源阻抗增加和电压纹波放大。

2.等效串联电感(ESL)

ESL是电容器引线和内部结构引起的电感。在高频时，电感会产生阻抗，阻碍电流流过电容器，从而降低旁路效率。

3.寄生电容(Cp)

Cp是电容器引线和电极之间的寄生电容。它会在低频下产生共振电路，导致旁路电容在该频率范围内无效。

优化策略

1.降低ESR

*使用低ESR电容器，如陶瓷电容器或钽电容器。

*并联多个电容器以降低总ESR。

*优化电容器布局，减少导线长度和回路面积。

2.降低ESL

*使用贴片电容器或引线较短的电容器。

*将电容器放置在靠近负载的位置，以缩短电流路径。

*使用多层陶瓷电容器(MLCC)，其ESL通常较低。

3.抑制寄生电容

*使用电介质损耗角正切(tanδ)较低的电容器材料，如X7R或X5R陶瓷。

*避免电容器引线之间的平行放置，以减少电容