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文档简介
半导体的极化激元
半导体的极化激元光与介质相互作用两个层次:●弱耦合:电磁波与介质的激发作为独立的体系处理.说明:①
仍是高反射区域.由于
很大(吸收系数
),界
面多次反射被抑制.
②在
区域.
(a)图中不存在振荡,这是因为(a)中平板的厚度
都没有产生相干叠加.反射光以及透射光(b)图中存在振荡,这是因为平板的厚度
反射光以及透射光产生相干叠加,形成FP模.
而
区域内不存在传播模,
因此,任何情况下平板都不可能形成FP模.③在
区域,随
增加,减小.这是由于
增大,减弱了后界面光的反射.在
区域,随
增加,增加.
这是由于
减弱,从而后界面光的反射增强.④
和
谱的变化相反.邻近共振的相互作用考虑样品存在两个相邻的共振频率(如ZnO中设在这两个相邻的共振频率处振子强度相同,且不考虑阻尼和空间色散,那么介电函数为激子),假其中ZnO非交叉原理:如果两个能级
与
发生耦合,则两个能级无交叉点.交叉点的分裂与两个能级的耦合强度成正比.而介质(振子)的极化又产生电磁辐射,反作用于入射电磁波.光与介质强耦合导致极化激元的产生.●强耦合:入射电磁波使介质极化极化激元1.极化波●极化强度
上式表明:在
或
条件下,从
~半导体的最高本征频率范围内,
即介质的极化现象总是存在的,由此极化波总是存在的.固体中,从IR,VIS至UV,“力学”极化波与
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