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文档简介

半导体的极化激元

半导体的极化激元光与介质相互作用两个层次：●弱耦合：电磁波与介质的激发作为独立的体系处理.说明：①

仍是高反射区域.由于

很大（吸收系数

）,界

面多次反射被抑制.

②在

区域.

(a)图中不存在振荡，这是因为(a)中平板的厚度

都没有产生相干叠加.反射光以及透射光(b)图中存在振荡,这是因为平板的厚度

反射光以及透射光产生相干叠加,形成FP模.

而

区域内不存在传播模，

因此，任何情况下平板都不可能形成FP模.③在

区域,随

增加,减小.这是由于

增大，减弱了后界面光的反射.在

区域,随

增加,增加.

这是由于

减弱,从而后界面光的反射增强.④

和

谱的变化相反.邻近共振的相互作用考虑样品存在两个相邻的共振频率（如ZnO中设在这两个相邻的共振频率处振子强度相同，且不考虑阻尼和空间色散，那么介电函数为激子），假其中ZnO非交叉原理：如果两个能级

与

发生耦合，则两个能级无交叉点.交叉点的分裂与两个能级的耦合强度成正比.而介质(振子)的极化又产生电磁辐射,反作用于入射电磁波.光与介质强耦合导致极化激元的产生.●强耦合：入射电磁波使介质极化极化激元1.极化波●极化强度

上式表明：在

或

条件下,从

～半导体的最高本征频率范围内,

即介质的极化现象总是存在的,由此极化波总是存在的.固体中,从IR,VIS至UV,“力学”极化波与

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