半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第5部分：柔性材料热特性测试方法

GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-1半导体器件柔性可拉伸半导体器件第5部分：柔性材料热特性测试方法适用于可承受弯曲和拉伸的基板和薄膜等柔性半导ρ注1：反射率可定义为反射光通量和入射光通量的比率或反射TlocTavgTavg=GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-2n——温度测试点的总数；TTi热时间常数thermaltimeτ4测试方法薄膜材料的光学反射率值表现出高度非线性行为，如图1所示。薄膜材料，非线性的光学反射率主要和其厚度有关，如图2所示。当完成不同温度材料在单一或者多波长的反射率校准后，即获得了材料的热GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-34.2测试装置本文中波长2=633nm，但可使用其他波长）。对于校准过程，使用恒定温度的冷模块或热模块。实GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-4注：本例中激光器的波长2为633nm，但可使GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-5膜材料和基板材料。附录A给出了双波长热反射测试装置的三维示意图。对于校准过程，需采用恒定温度的热块和冷快。实际测量过程，使用直流或交流电源（简单的正弦周期）对基板进行加热。对于深聚焦情况（或更小的焦点图3、4、5和6中，设备的激d0=······························GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-6通常，5倍的放大就足够了。反射光反向传播并进入硅光探测器。硅探测器中产生的光电流通过可调节终端或阻抗放大器转换为电压，并用数字万用表或锁定放大器注：本例中，激光器1和激光器2的波长λ1和λ2分别为633nm和532nm，但也可使用其他波长。GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-7注：本例中，激光器1和激光器2的波长λ1和λ2分别为633nm和532nm，但也可使用其他波长。块和热块在校准期间工作。温度块在校准期间运行（给定波长下的反射率与温度的关系）。图7给出了GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-8图7硅薄膜（1526µm）在532nm和633nm处的光学反射率随温度的变化图8硅薄膜的反射率与温度的函数关系(λ1=633nm和λ2=532nm）可采用焦耳热以外的方式进行加热。如图9所示，通过单轴电动工作台可以使柔性或可拉伸半导体材料GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-94.3测试程序4.3.1总则用图3中的测试装置测量材料在一定范围内反射率和温度的关系，以确定样品是薄膜还是基板。试性，则可将试样视为基材。如果不是，则应将其视为4.3.2基底试样d)通过校准曲线和测量目标区域离散点的热反射率，以获得样品局部温度。测角仪旋转样品以f)采用交流电源（简单正弦周期）给样品通电。通过可调控终端将数字万用表和硅探测器进行度与时间的曲线。为了获得热时间常数τ,按以下公式拟合温度与时间曲线4.3.3薄膜样品GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-a)采用图5所示装置，分别在两种波长光源条件下测量样品反射率与温度的变化关系。区间可由使用者依据实际情况确定。试样中点的温度是冷块和热块的平均温度。绘制校准出b)如图6所示配置薄膜试样。将热膏轻轻均匀c)使试样变形以产生有限的弯曲或拉伸。然后，用直流电源给试样通电，等待试样达到稳态温d)通过测量离散关注点的反射率并使用校准图，获得局部温度。使用测角仪保持探测激光的正f)用交流电源（简单周期正弦）给样品通电。确保通过可变端子连接到硅探测器的数字万用表h)移除任何变形后卸载样品。4.4成果报告GB/TXXXX.XX—XXXX/IEC62951-图A.1显示了双波长热反