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数字电子技术根底习题参考答案宁波大学科技学院2006-11习题一参考答案1.1略。1.2正逻辑用“1”表示逻辑真,“0”表示逻辑假;而负逻辑那么相反。因此正逻辑表达式,用负逻辑时其表达式为。1.311.375。1.4(168)D=(10101000)B=(250)O=(A8)H;(19.85)D=(10011.11011001)B=(23.663)O=(13.D9)H。1.5(0.62)D=(0.1001)B。1.6(139)D=(000100111001)8421BCD;(69.74)D=(01101001.01110100)8421BCD。1.71.8略。1.9证〔1〕左式==右式〔〕。〔2〕左式===右式。〔3〕左式===右式。〔4〕左式===右式。1.10解:〔1〕〔2〕〔3〕〔4〕〔5〕〔6〕〔7〕=〔8〕〔9〕=〔10〕=1.11解:逻辑函数化为最小项表达式,可以用配项法,也可以用卡诺图法,还可以先写出最小项对应的二进制数,然后写出最小项。〔1〕配项:〔2〕卡诺图:卡诺图如右,得:〔3〕根据逻辑函数表达式,与项A应具有100,101,111三个最小项;与项BC具有011,111两个最小项,合并得最后最小项同上。根据逻辑函数最大项与最小项的关系,得:1.12解:卡诺图如下:1.13解:画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下,可得最简与或表达式。〔1〕Y=1〔2〕Y=1〔3〕〔4〕〔5〕〔6〕1.14解:画出各函数的卡诺图及卡诺圈如下,由卡诺图可得最简与或表达式。题解1.14卡诺图〔1〕〔2〕〔3〕〔4〕〔5〕1.15解:利用对偶法那么及卡诺图〔见上图〕得:所以或与表达式为:;与或表达式为:1.16解: A门低电平噪声容限VNL=VOFFA-VOL〔max〕=1.1V-VOL〔max〕 A门高电平噪声容限VNH=VOH〔min〕-VONA=VOH〔min〕-1.3V B门低电平噪声容限VNL=VOFFB-VOL〔max〕=0.9V-VOL〔max〕 B门高电平噪声容限VNH=VOH〔min〕-VONB=VOH〔min〕-1.7V可见无论高电平噪声容限还是低电平噪声容限,A门均比B门大,因此A门的抗干扰能力强。1.17解:当驱动门输出高电平时,N1应满足: 当驱动门输出低电平时,N2应满足:;因此,扇出系数〔能驱动逻辑门个数〕为N=10。图T1.1题1.17图图T1.2题1.18图1.18解:〔1〕G1工作在高电平,G2工作在低电平时发光二极管可能发光。 〔2〕集电极电流为:,根据ID=5~10mA,得RC=240~480Ω〔VCC取5V〕; 〔3〕如果RC=300Ω,那么基极电阻RB的取值范围为:,即:。1.19解:如图。表T1.2题1.19表A端+5V悬空接地C端+5V悬空接地IA50μA0V-0.75mAIC50μA0V-1.5mAIB

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