CMOS数字集成电路智慧树知到答案2024年宁波大学

CMOS数字集成电路宁波大学智慧树知到答案2024年第一章测试

低电平噪声容限NML表达式为（）。

A:B:C:D:

答案:D对于反相器的电压传输特性（VTC），下面描述错误的是（）。

A:输入为低电平时，输出为高电平B:输入为高电平时，输出为低电平C:门的开关阈值VM为VDD/2D:VIH和VIL定义为VTC增益等于-1的点

答案:C对于一个由N个反相器构成的环振电路（N为奇数），若反相器的传播延时为tp，那么电路的震荡周期T的表达式为（）。

A:B:C:D:

答案:B一个理想的反相器具有如下哪些特性（）。

A:在过渡区有无限大的增益B:理想门的输入和输出阻抗分别为无穷大和零C:门的阈值位于逻辑摆幅的中点D:高电平和低电平噪声容限均等于电压摆幅的一半

答案:ABCD数字电路的噪声容限应当大于0，并且越大越好。（）

A:对B:错

答案:A

第二章测试

在晶圆表面形成多晶硅通常采用哪种工艺步骤（）。

A:溅射工艺B:离子注入C:化学气相淀积D:扩散工艺

答案:C淀积金属层时，需要晶圆表面保持适度的平整，表面平坦化通常需要哪种工艺（）。

A:退火工艺B:溅射工艺C:等离子刻蚀D:化学机械抛光

答案:D压焊技术的主要缺点有（）。

A:压焊线具有较高的自感以及与相邻信号线之间的互感B:导线的连接必须一个接一个依次进行，随着引线数目的增加会使制造时间较长C:较多的引线数目使设计一个能避免线间短路的压焊形式更加困难D:由于制造过程和不规则的出线使寄生参数的确切值很难预测

答案:ABCD以下哪些工艺步骤属于光刻工艺（）。

A:化学机械抛光B:涂光刻胶C:光刻机曝光D:显影与烘干

答案:BCD封装的冷却效率取决于包括封装衬底和主体在内的封装材料的热阻、封装的结构以及在封装和冷却介质之间热传导的效率。（）

A:错B:对

答案:B

第三章测试

发生闩锁效应会使CMOS电路（）。

A:阈值电压升高B:失效或烧毁C:饱和电流降低D:寄生电容增大

答案:B热载流子效应会使器件（）。

A:NMOS阈值电压减小B:栅电容增大C:NMOS阈值电压增加D:发生速度饱和所需的漏源电压增大

答案:B下面哪些参数会影响MOS的阈值电压（）。

A:源极与衬底的电压差B:栅氧化层厚度C:源漏掺杂浓度D:衬底掺杂浓度

答案:ABD关于速度饱和，下面说法正确的是（）。

A:对于相同的宽长比，饱和电流小于由于沟道夹断而产生的饱和电流B:通常发生于短沟器件中C:速度饱和发生时的临界电场强度只取决于外加的电场强度D:PMOS中速度饱和效应不太明显

答案:BCDMOS的漏极电压对阈值电压没有影响。（）

A:错B:对

答案:A

第四章测试

假设一个反相器电路，NMOS的等效电阻为Reqn，PMOS的等效电阻为Reqp，输出负载电容为CL，那么该门由高至低的传播延时为（）。

A:B:C:D:

答案:BCMOS反相器输出由低至高翻转的过程中，电源提供的能量为（）。

A:B:C:D:

答案:B关于静态CMOS反相器，下面说法正确的是（）。

A:稳态时在输出和VDD或GND之间总存在一条具有有限电阻的通路B:逻辑电平与器件的尺寸无关C:在稳态工作情况下电源线和地线之可没有直接的通路，意味着该门并不消耗任何静态功率D:输出高电平和低电平分别为VDD和GND

答案:ABCD下面哪些方法可以减小反相器的传播延时（）。

A:增大开关阈值B:增大电源电压C:减小晶体管导通电阻D:减小输出电容

答案:BCD反相器的延时只取决于它的外部负载电容与输入电容间的比值。（）

A:错B:对

答案:B

第五章测试

互补CMOS逻辑中，下拉网络中器件并联相当于（）操作。

A:与非B:或C:与D:或非

答案:B如图所示电路，实现的逻辑功能为（）。

A:B:C:D:

答案:A如图所示电路，以下实现的逻辑功能为（）。

A:B:C:D:

答案:D动态逻辑中哪些因素会破坏信号完整性（）。

A:电容耦合B:电荷泄漏C:时钟馈通D:电荷分享

答案:ABCD建立时间是在时钟翻转之前数据输入必须有效的时间，这周说法是正确的吗。（）

A:对B:错

答案:A

第六章测试

对于如图所示的采用多路开关构成的主从型正沿触发寄存器，当时钟信号为低电平时，主级锁存器工作在（）状态。

A:保持B:求值C:预充电D:采样

答案:D对于如图所示的TSPC正沿触发寄存器，其建立时间是（）个反相器的延时。

A:1B:2C:3D:0

答案:A如图所示的动态边沿触发寄存器，为了使电路正常工作，对时钟信号1-1重叠的约束条件为（）。

A:B:C:D:

答案:A对于正沿触发的寄存器，输出在一个时钟周期内最多翻转一次。（）

A:对B:错

答案:A建立时间是在时钟翻转之前数据输入必须有效的时间。（）

A:对B:错

答案:A

第七章测试

对于如图所示的6管SRAM单元，为了同时保证可读性和可写性，晶体管必须满足尺寸比的约束，以下哪个是正确的（）。

A:交叉耦合反相器中的NMOS下拉管必须最强，存取管必须最弱，而PMOS上拉管中等强B:交叉耦合反相器中的NMOS下拉管必须最强，存取管中等强，而PMOS上拉管必须最弱C:交叉耦合反相器中的NMOS下拉管中等强，存取管必须最强，而PMOS上拉管必须最弱D:交叉耦合反相器中的NMOS下拉管必须最弱，存取管中等强，而PMOS上拉管必须最强

答案:BFlash存储器采用浮栅晶体管作为存储单元，对于如图所示的浮栅晶体管偏置条件，实现的操作为（）。

A:编程0B:阻止擦除C:擦除D:不编程

答案:ASRAM具有以下哪些特性（）。

A:比DRAM容易使用B:比触发器密度高C:比DRAM快D:与标准CMOS工艺兼容

答案:ABCDDRAM具有以下哪些特性（