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文档简介
半导体的反射谱和透射谱和发光谱
半导体的反射谱和透射谱和发光谱1.
能带
①底导带由
,顶价带由
产生.②产生的激子:
为单态激子,
为
三重态激子,与光场耦合微弱,属于偶极禁戒跃迁,在反射谱上没有显示.于是
即H对角化.
描述激子极化激元的类激子特征,
描述激子极化激元的类光子特征.UPB●类激子支到类光子支之间过渡区域;③LPB中瓶颈部分:经验公式
②激子极化激元范围(包括类激子支)
●激子动能与
可比.
●激子极化激元中激子与光子耦合最强区域.空间色散结果①多模传播
②附加边界条件(ABC)●一般边界条件只有两个:法向,切向,因此无法确定
这三个量.●
ABC:佩卡条件:
即激子不能从样品中
逸出,因而样品表面处的激子极化强度为零.进一步修正:在一定厚度的表面层中不存在激子,即存在无激子层.
●最小厚度为激子玻尔半径.由于外加电场可致激子电离,因此外加电场可使无激子层厚度增加.●入射光多次反射,然后以多模形式在半导体中传播.●合理解释了实验结果.③
激子在
激子在
光场强耦合,即可以
产生激子极化激元.方向上分别与④B价带的线性项(源于
使得单态激子
与三重态激子
合,该混合态与光子耦合,产生附加激子极化激元.﹡时间反演对称性:t→-t,系统的运动规律不变,即运动规律不变和时间流逝的方向的先验取法无关,这种对称性就是运动反演对称性。混①反射率
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