spice和spectre软件使用和运放的仿真方法

软件使用和运放主要指标的仿真方法CadenceeProduct(ViewDraw)Hspice软件使用Cadence绘制电路图常用快捷键:U:撤消操作E:进入Symbol内部查看电路图Ctrl+E:退出SymbolI:添加器件Q:属性W:连线P:加入PinL:添加线名X:Check&SaveG:查看Check&Save的结果（warningorerror)F:全局显示C:复制M:移动Shift+L:插入文本（注释）N:插入图形（直线，弧线，圆，矩形等）9:点亮线【：缩小显示】：放大显示R：旋转R+F3:水平或垂直镜像翻转其它常用操作:W后按鼠标右键：改变连线方式，折线→直线按住Ctrl左键拖动：不带连线关系拖动按住Shift选择：同时选择Cadence仿真两种仿真工具：Spectre(所用模型后缀为.scs)Hspice(所用模型后缀为.lib)Cadence仿真流程添加激励↓启动仿真环境↓（Hspice）添加模型↓变量赋值↓选择分析类型↓选择输出(电流结点)信号↓仿真并查看结果Cadence仿真工具怎样由Spectre换成Hspice打开仿真环境，看到AnalogDesignEnvironment对话框1.Setup→Simulator/Directory/Host…→将simulator选项改为Hspice2.EnvironmentOptions→将include/stimulyFileSyntax选项改为Hspice3.setup→simulationFiles→EditincludeFile(添加模型路径)注意：进行典型模型下仿真时，为什么还要自己编写一个库文件？Spectre模型文件的结构(.scs)**说明**librarytsmclibsectiontt……参数include“路径/模型名.scs”section=mosinclude“路径/模型名.scs”section=bjtinclude“路径/模型名.scs”section=diodeendsectiontt……(包括sectionss，sectionsf，sectionfs，sectionff等)sectionmos有的也会定义为子电路的形式modelnchnmos……参数……(包括modelpchpmos等)endsectionmos……(包括sectionres，sectionbjt，sectiondiode等)endlibrarytsmclib用Spectre仿真时典型模型库文件编写格式

如果sectiontt里面只includesectionmos，而我们仿真又要用到模型文件里面的bjt，diode等时，那么为了方便添加模型，自己编写一个典型模型库文件是必要的。(否则添加模型时，不仅要添加sectiontt，还要添加文件名：tsmc06bcdmodel_tt.scslibraryaaasectionttinclude“路径/模型名.scs”section=ttinclude“路径/模型名.scs”section=bjtinclude“路径/模型名.scs”section=diode……endsectionttendlibraryaaa

添加模型时，添加此库文件，section选项只填上tt就可以了！Hspice模型文件的结构(.lib)**说明**.libtt……参数.lib“路径/模型名.lib”mos.lib“路径/模型名.lib”bjt.lib“路径/模型名.lib”diode.endltt……(包括.libss，.libsf，.libfs，.libff等).libmos有的也会定义为子电路的形式.modelnchnmos……参数……(包括.modelpchpmos等).endlmos……(包括.libres，.libbjt，.libdiode等)用Cadence内嵌的Hspice仿真时典型模型库文件编写格式

同理，如果.libtt里面只包含.libmos，而我们仿真又要用到模型文件里面的bjt，diode等时，那么自己编写一个典型模型库文件是必要的，将所需要的库都添加到里面。添加模型时选EditincludeFile选项。典型模型库文件编写格式：文件名：tsmc06bcdmodel_tt.lib.lib“路径/模型名.lib”tt.lib“路径/模型名.lib”bjt.lib“路径/模型名.lib”diode……

添加模型时，只需要添加此库文件的路径就可以了！用Windows下Hspice仿真时典型模型库文件编写格式

因为网表中添加模型语句是.lib“路径/模型名.lib”tt，因此用Window下Hspice仿真和用Cadence内嵌的Hspice仿真时典型模型库文件编写格式是不同的，需要重新定义一个库。典型模型库文件编写格式：文件名：tsmc06bcdmodel_tt.lib.libtt.lib“路径/模型名.lib”tt.lib“路径/模型名.lib”bjt.lib“路径/模型名.lib”diode.endltt……

注：如果用Cadence内嵌的Hspice仿真，添加模型时选EditmodelFile选项，那么典型模型库文件编写格式与上述格式相同。仿真注意事项1.最好调用Symbol仿真在Symbol内改参数，库内所有Symbol参数都会改变2.Hspice仿温度特性

Cadence内嵌的Hspice仿真器不能直接仿温度特性。需要生成网表,在网表中加入温度特性仿真分析语句，.OPTIONS语句后面再加入“POST=2”（保存输出数据，使输出数据可以使用MetaWaves浏览，即将数据输出到postprocessor）。

Teminal中输入cd+空格+网表路径；输入HSPICE+回车开始仿真；输入AWAVES+回车查看波形。Hspice基本仿真流程SchematicNetlistHspiceNetlist用eProduct的ViewDraw，将要仿真的电路输入由ViewDraw生成对应电路的网表，此文件反映了电路的连接关系(.cir文件)在Netlister基础上加入模型库语句，激励语句，仿真分析语句，波形输出语句等，得到Hspice可以仿真的网表文件。（.sp文件）仿真网表实例例（TheHspicenetlistfortheRCnetworkcircuit)：*titleASIMPLEACRUNR1121KR2201KC120.001UV11010AC1.OP*.ACDEC101K1MEG.PRINTACV(1)V(2)I(R2)I(C1).lib'E:\model\tsmc06bcd_tt.lib'tt.OPTIONSINGOLD=2CSDF=2.END基本语法1.不区分大小写（caseinsensitive）2.注释：*or$3.数量级表示符号:

（关键不要搞错M和MEG）4.赋值单位可以省略TE12GE9MEGE6KE3ME-3UE-6NE-9pE-12FE-15仿真网表的五个主要组成部分1.电路网表2.激励3.仿真分析语句4.输出命令5.模型库文件电路网表包含的内容有器件连接关系、模型名、参数值、(赋值)、并联个数、(初始值）例：R1N1N2RW=10uL=1uR2N1N210KC1N1N2CW=10uL=1uC2N1N210pC3N1N210pIC=1电路网表L1N1N21mD1N1N2diodeQ1NCNBNEbjtM=8M1NDNGNSNBnchW=2uL=1uM=3M2NDNGNSNBpchW=4uL=1uM=3子电路使用举例下面是由前面举例的CMOS反相器组成的三级反相器链网表：…….SUBCKTINVINOUTwn=1.2uwp=1.2uMnoutin00NMOSW=wnL=1.2uMpoutinvddvddPMOSW=wpL=1.2u .ENDSX1IN1INVWN=1.2uWP=3uX212INVWN=1.2uWP=3u X32OUTINVWN=1.2uWP=3uCLOUT01PF VCCVDD05V……激励常用信号源：1.直(交)流信号源V1N1N25V2N1N21.25AC=1I1N1N21u2.分段线性信号源V1N1N2PWL(t1v1t2v2t3v3…)V1N1N2PWL(10u030u5)斜坡上升V2N1N2PWL(0110u110.01u3)阶跃信号激励3.脉冲信号源V1N1N2PULSE(v1v2tdtrtfpwper)V1N1N2PULSE(051p1p1p5u10u)方波注：v1:值1v2:值2td:延迟时间

tr:上升时间

tf:下降时间

pw:脉冲宽度

per:周期激励4.正弦信号源V1N1N2SIN(v0vafreqtdθ

Φ)V1N1N2SIN(011)单位正弦注：v0:偏置值

va:幅度

freq:频率

td:延迟时间

θ:阻尼因子

Φ:相位仿真分析语句.OP

直流工作点分析会在输出文件(.lis文件)中列出一些直流参数和各结点的工作点电压与支路电流，若执行瞬态分析及交流分析，则在分析前将自动进行直流分析，此语句可省略。.DC直流扫描(参数变化)格式：.DCVIN0101.DCVIN0101VGS051.DCR11k10k0.5kSWEEPTEMPLIN525125.DCR11k10k0.5kSWEEPTEMP251251.DCTEMPPOI503050100125.DCTEMP-402001200-40-1仿真分析语句.AC

交流分析(频率特性)格式：.ACDEC100.1100MEG(十倍频程内扫描10个点).ACOCT100.1100MEG(八倍频程内扫描10个点).ACLIN100.1100MEG(线性扫描10个点).ACPOI50.1101001k1MEG(列表法扫描5个点).ACDEC100.1100MEGSWEEPcloadLIN201pf10pf.ACDEC100.1100MEGSWEEPcload1pf10pf0.5pf

仿真分析语句.TRAN

瞬态分析(时间)格式：.TRAN1n100n<UIC>(UIC使.IC命令有效).TRAN1n100n50n.IC

瞬态分析初始化语句格式：.ICV(1)=1V(2)=2C1N1N21pIC=1.25注：仿MOS电容的容值时，要么加入.IC语句，要么电流源有一个变化，否则仿真结果错误！其他常用语句.PARAM变量定义格式：.PARAMA=1B=2

相当于Cadence里面的variable。.ALTER

主要用来进行corner仿真，需要加入类似下面的语句：.ALTER.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’ff.ALTER.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’sf.ALTER.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’fs.ALTER.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’ss.TEMP输出命令？.PRINT:在输出的list文件中打印数字的分析结果，如果.OPTIONS中有POST则同时输出到post-processor中。.PLOT:在输出的list文件中打印低分辨率的曲线（由ASCII字符组成）,如果.OPTIONS中有POST则同时输出到post-processor中。.GRAPH:生成用于打印机或PostScript格式的高分辨率曲线。.PROBE:把数据输出到post-processor，而不输出到list文件。注：各结点电压波形会自动输出，电流波形需要加入该类语句，常用.PRINT、.PLOT语句和.PROBE语句格式：.PRINTDCV(3,5)I1(R1).PLOTDCV(3,5)I1(M1)添加模型库文件例：.lib‘E:\model\tsmc06bcdmodel.lib’tt

路径中不能含有中文，否则出错。Hspice使用Hspice使用Hspice使用例子：简单跨导放大器分析——HSPICE分析举例电路与网表指标分析偏置电流与功耗、开环增益、GBW与相位裕度、压摆率、SwingRange、失调、噪声、工艺corner分析、温度特性分析等V_Vpvdd05VV_Vacvin0DC2.5VAC1V0V_Vdcvip02.5VR_Rzvo1N_0001rzvC_CcN_0001voccvC_CL0voclvC_Cb0vb10pR_Rbvbvdd100kM_U2vo1vipN_00020nmL=0.6uW=12uM=2M_M1N_0003N_0003vddvddpmL=2uW=12uM=2M_M3vovo1vddvddpmL=0.6uW=12uM=8M_U1N_0003vinN_00020nmL=0.6uW=12uM=2M_U4vovb00nmL=5uW=12uM=8M_U5vbvb00nmL=5uW=12uM=1M_U3N_0002vb00nmL=5uW=12uM=4M_M2vo1N_0003vddvddpmL=2uW=12uM=2存在文件

中Hspice执行网表Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.50.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns.acdec101k100meg$sweeprzv02k0.2k.pararzv=1kccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end工作点分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot*.optionpostprobe*.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.50.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns*.acdec101k100meg

$sweeprzv02k0.2k.pararzv=1kccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end工作点分析浏览并分析.lis文件的内容.prot与.unprot使用将使得其中的内容不在.lis中出现用oper查找，即可找到operatingpointinformation这一段，可看到电路各节点的电压、各元件的工作状态注意此时vo=4.8916对于提供电源的电压源v_vp，注意其功耗就是电路功耗，因此可查得电路功耗为2.47mW对于MOS管，注意各参量的含义：region、id、vgs、vds、vth、vdsat、gm、gmb、gds……可查得流过M_U3的偏置电流为149.8uA，并注意到M_M3的region为Linear直流扫描Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probedcv(vo1)v(vo).op.dcv_vdc2.452.550.001*.trans10ns200ns20ns0.1ns*.acdec101k100meg

$sweeprzv02k0.2k.pararzv=1kccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end粗扫直流扫描vovo1dvo对vo求导小信号增益Gain=d(vo)/d(v_vdc)确定精扫扫描范围直流扫描对vo求导的操作步骤1中键拖动2中键拖动3定义结果名回车derivative直流扫描Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probedcv(vo1)v(vo).op.dcv_vdc2.482.4950.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns*.acdec101k100meg

$sweeprzv02k0.2k.pararzv=1kccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end精扫直流扫描对于增益要求G0，存在对应的输出swingrange，若用小信号增益gain>G0作为swingrange，则一定满足增益要求例如G0=500，则根据下图其swingrange(0.485,4.29)若取输出中心电压为vdd/2，而令vo=vdd/2时，可测得此时v_dc=2.4876V故ota的系统失调：Vos=12.4mVnonlinearSmall-signalgain交流扫描Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.4950.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns.acdec101k200meg$sweeprzv02k0.2k.pararzv=0ccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end表示没有补偿电阻Rz将中的v_vdc值设为：V_Vdcvip02.4779V交流扫描GBW=99.8MHz相位裕度34.6度直流small-signalgain交流扫描单位增益带宽GBW

gm1/(Cc+CGD3)主极点

p11/[Ro1gm3Ro(Cc+CGD3)]第二极点

p2gm3/(CL+Co)零点z1/[(Cc+CGD3)(gm3-1-Rz)]查看.lis文件可知gm32mgm10.83mgm1b0.13m由于零点的作用，相位裕度从60多度减小至39度！gm1为输入管M_U1的跨导gm3为第二级输入管M_M3的跨导交流扫描Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.4950.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns.acdec101k500megsweepccv05p1p.pararzv=0ccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end分析miller补偿效应交流扫描增加Cc，

p1向下移动，GBW减小相位裕度增加增加Cc到5p时，相位裕度增加到约59度，而GBW已经减小到24.8MHz!交流扫描Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.4950.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns.acdec101k500megsweeprzv02k0.2k.pararzv=0ccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end分析零极点抵消效果加Rz，可减弱零点的作用，提高相位裕度；当达到零极点抵消时，应满足：Rz(CL+Cc)/(gm3Cc)得出Rz1k交流扫描Rz增加到0.6k时，相位裕度增加到约55度，GBW约76MHzRz增加到1时，相位裕度增加到约67度，GBW约103MHz噪声分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo1)v(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.482.4950.0001*.trans10ns200ns20ns0.1ns.acdec101k500meg$sweeprzv02k0.2k.noisev(vo)v_vac10

.pararzv=1kccv=1pclv=1p.inc‘NETLIST_PATH\’.end分析热噪声噪声分析.lis文件中会给出每一个频率采样点上的噪声频谱密度，以及从开始频率到该频率点的等效噪声电压等找到如下一段：****theresultsofthesqrtofintegral(v**2/freq)fromfstartupto100.0000xhz.usingmorefreqpointsresultsinmoreaccuratetotalnoisevalues.****totaloutputnoisevoltage=2.5009mvolts****totalequivalentinputnoise=64.7944u

注意.lis文件中各个MOS元件的噪声大小对比，并根据电路图进行对应的分析还可以改变Cc的值，来看总的等效输入噪声有什么变化失调分析系统失调之外的失调主要来源：输入差分对u1和u2、电流镜M1和M2的失配U1,u2电压失调为：M1,M2带来的失调为：ΔVt,ΔW为元件间的阈值电压和跨导之差失调分析晶体管随机失配在良好的版图设计条件下阈值电压(mV)栅宽(u)均与栅面积的平方根成反比NMOS:tox=1.25e-08+toxnPMOS:tox=1.3e-08+toxptoxn,toxp的值与model的corner有关，在tt情况下，toxn=toxp=0根据类似工艺的一个估计值tox的单位为e-10在MOS晶体管的参数中考虑失配例：原有的W=12u,M=2

修改为W=‘12u+12u*0.04u*alfa/sqrt(2*12um*5um)’M=2delvto=‘12.5n*alfa/sqrt(2*12um*5um)’这里alfa为(0,1)高斯分布变量依次将网表的内容按照上面的方法修改失调分析失调分布分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probedcv(vo1)v(vo).op.dcv_vdc2.452.510.0001sweepmonte=30*.trans10ns200ns20ns0.1ns*.acdec101k500meg

$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1palfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end用monte-carlo仿真来分析失配导致的失调分布失调分布分析30次monte-carlo仿真结果由此可见ota的失调分布可达(-10mV~10mV)可增大晶体管来减小Vos，但是会带来速度问题压摆率分析在输入端输入一个较大的脉冲信号，以观察输出端的电压摆率在中将V_vac的定义换成：V_vpulsevin0PULSE2320ns0.1n0.1n100n200n压摆率分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probetranv(vo1)v(vo).op*.dcv_vdc2.452.510.001sweepmonte=30.trans0.1ns1000ns*.acdec101k500meg

$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1p$alfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end用瞬态仿真来分析ota输出slewrate压摆率分析压摆率仿真结果由右图可测得ota的上升和下降压摆率分别为146V/us和132V/usProblem:在电路图中如何分析上升和下降压摆率？将结果与仿真结果进行对比模型corner仿真在中将V_vpulse的定义换回来：V_Vacvin0DC2.5VAC1V0模型corner仿真Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probedcv(vo).op.dcv_vdc2.452.510.0001$sweepmonte=30*.trans0.1ns1000ns*.acdec101k500meg

$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1p$alfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end做DC扫描，分析各种corner下的增益和失调的变化模型corner仿真在.end前插入.alter语句，如下：Otasimulation…….alter.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’ff.alter.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’fs.alter.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’sf.alter.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’ss.end模型corner仿真ttttfffffsfssfsfssssFf时增益最小，ss时增益最大，查看csmc.lib，对这种现象给出解释Vo=vdd/2分别对应于V_vdc为：2.48762.48142.48612.48812.4912模型corner仿真Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo)vp(vo).op*.dcv_vdc2.452.510.0001$sweepmonte=30*.trans0.1ns1000ns.acdec101k500meg$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1p$alfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end知道了各种corner下的失调后，就可以设置V_vdc做AC扫描，分析各种corner下的增益和GBW的变化模型corner仿真…….alterV_Vdcvip02.4814V.lib'f:\spice\userlib\csmc.lib'ff.alterV_Vdcvip02.4861V.lib'f:\spice\userlib\csmc.lib'fs.alterV_Vdcvip02.4881V.lib'f:\spice\userlib\csmc.lib'sf.alterV_Vdcvip02.4912V.lib'f:\spice\userlib\csmc.lib'ss.end对于各种corner加入了对应的V_vdc定义模型corner仿真ffss模型corner仿真ffssffss模型corner仿真由仿真结果可测得：gainGBWPhasemargintt989103MHz67.2ff585122MHz75.9fs922108MHz64.8sf93997.9MHz71.2ss1.46k87.4MHz62.4温度分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probedcv(vo).op.dcv_vdc2.452.510.0001

sweeptemp010020*.trans0.1ns1000ns*.acdec101k500meg

$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1p$alfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end做温度扫描，分析各种温度下增益和失调的变化温度分析温度变化对系统失调和增益的影响00100100Vo=vdd/2分别对应于V_vdc为：2.48822.48772.48732.48682.48632.4858温度分析Otasimulation.prot.lib‘LIB_PATH\csmc.lib’tt.unprot.optionpostprobe.probeacv(vo)vp(vo).temp0*.dcv_vdc2.452.510.0001$sweepmonte=30*.trans0.1ns1000ns.acdec101k500meg$sweepccv05p1p*.noisev(vo)v_vac20.pararzv=1kccv=1pclv=1p$alfa=agauss(0,3,3).inc‘NETLIST_PATH\’.end知道了各种温度的失调后，就可以设置V_vdc做AC扫描，分析各种温度下的增益和GBW的变化插入下一页内容将中的V_vdc定义改为：V_vdcvip02.4882V温度分析.alter.temp20V_Vdcvip02.4877V.alter.temp40V_Vdcvip02.4873V.alter.temp60V_Vdcvip02.4868V.alter.temp80V_Vdcvip02.4863V.alter.temp100V_Vdcvip02.4858V.end对于各种温度加入了对应的V_vdc定义温度分析不同温度下的AC分析结果1000温度分析不同温度下的AC分析结果1000温度分析由仿真结果可测得：tempgainGBWPhasemargin01.03k109MHz68.320998104MHz67.44096298.3MHz66.86093694.5MHz66.28091390.7MHz65.710089086.7MHz65.4温度升高性能变差！运放的仿真方法运放的仿真与运放的应用环境是不可分割的，在仿真之前一定要首先确定运放的实际负载，包括电阻、电容负载，只有在负载确定之后，仿真出的结果才有意义。也就是说，仿真电路的搭建最好是能模拟运放的实际工作状态。不同的应用场合对运放的性能指标要求也不一样，并不需要在任何时候都要将运放的所有指标都进行仿真，所以，在仿真之前要明确应该要仿真运放的哪几项指标，哪几项指标是可以不仿真的。在仿真时，要对不同的指标分别建立仿真电路。DC、AC分析是获得电路某一性能指标的一种手段，它需要一些相关的条件来支持；瞬态仿真则是反映出电路实际工作的现象，只有瞬态仿真通过，才能说明电路具备了相应的能力，瞬态仿真必不可少！而且，每一个AC、DC分析结果都可以用瞬态仿真加以验证。电路的分析不能完全依赖于仿真结果。最好是先经过手算得到数值或确定范围，然后利用仿真结果加以验证。MOS运算放大器性能指标总表共模输入范围(DC)将运放接成Buffer，对V1进行DC扫描，从0扫到VDD，输出电压能线性跟随输入变化的范围对应共模输入范围。因为超过共模输入范围后，输入级有管子进入线性区，OP增益急剧下降，输出不能跟随输入变化。共模输入范围仿真电路共模输入范围仿真波形：传输曲线中的线性部分斜率是1，对应于输入共模范围为0.229V到2.98V共模输入范围说明：这种仿真方法是有条件的，在输出摆幅大于共模输入范围时有效，否则不能线性跟随，这是由于OP输出级管子进入线性区使增益下降。例如，输入对管为PMOS的折叠式共源共栅结构。输出摆幅(DC)将运放接成增益为10的反相放大器，对V2进行DC扫描，从0扫到VDD，输出曲线斜率为负10的范围对应