电子元器件参数

第十节场效应管参数符号意义第八节半导体二极管参数符号及其意义第九节双极型晶体管参数符号及其意义第一节电感线圈

第二节电容器第三节电阻器第四节电位器第五节电子元器件的缺点特点第六节衔接器第七节半导体器件命名方法第一讲常用电子元器件的参数

电阻分类及符号普通电阻特殊电阻金属膜电阻碳膜电阻线绕电阻排阻电位器光敏电阻热敏电阻压敏电阻磁敏电阻TPB碳膜电阻排阻光敏电阻贴片电阻贴片电阻电位器电位器电阻分类及符号电阻特性特性：对电流有妨碍作用。满足欧姆定律：电阻的主要参数电阻值〔等值代换〕单位：ΩKΩMΩ功率〔只能以大代小〕单位：W电阻识别电阻的标称直接标称220Ω4R7＝4.7Ω103＝10*103Ω＝10K14=1*104Ω=10KΩ色环标称四道色环标称〔用于普通电阻〕五道色环标称〔用于精细电阻〕色环电阻的识别方法四道色环标称：第一第二道表示有效数字，第三道表示加零个数，第四道为误差等级。黑棕红橙黄绿蓝紫灰白金银本性01234567895％10％20％五道色环标称：第一第二第三道为有效数字，第四道为加零个数，第五道为误差等级。五道色环电阻值的表示数字跟四道色环一样其误差表示跟四道色环不同紫蓝红橙金银本性白±0.1%±0.25%±0.5%±1%±5%±10%±20%+20-50±%第一道色环的识别对于四道色环的电阻，由于第四道色环表示误差，而误差只有三种，且表示误差的色环不表示阻值，故首先找到第四道色环，另一端即为引一道。五道色环的电阻两色环间间隔较大的一端为第五道，另一端即为引一道黄紫红金黄紫绿黑橙电阻电路串联分电压IR1R2U1U2++__+_Uabi2i1iR2R1+_abu并联分电流电容分类及符号普通电容特殊电容电解电容瓷片电容绦纶电容钽电容可变电容半可变电容电容分类及符号电解电容贴片电阻瓷片电容绦纶电容电解电容贴片电容贴片电容绦纶电容电容特性及参数特性：储能，以电场能情势储存能量。电阻的主要参数电容量〔单位µFnFpF〕耐压值〔单位VKV〕电容识别电容的标称直接标称：如：220µF25V4µ7=4.7µF4n7=4.7nF(纳法)47n=47nF=0.047µF间接标称：如：103=10*103pF=10000pF电容电路串联分电压i2i1iC2C1+_abu并联分电流IC1C2U1U2++__+_Uab电感分类及符号电感分类及符号普通电感特殊电感中频变压器〔中周〕变压器空芯电感实芯电感实芯电感实芯电感实芯电感中周变压器稳压二极管各种二极管的外形开关二极管大功率整流二极管整流二极管发光二极管贴片发光二极管贴装稳压二极管光电二极管各种三极管的外形大功率晶体三极管晶体三极管大功率晶体三极管贴片三极管光电三极管高频三极管高频三极管音频功放三极管各种场效应管的外形电感特性及参数特性：储能，以磁场能情势储存能量。主要参数电感量H额定电流或功率电感识别：直接标称电感电路串联分电压并联分电流i2i1iL2L1+_abuIL1L2U1U2++__+_Uab第一节电感线圈

电感线圈是由导线一圈一圈地绕在绝缘管上，导线彼此相互绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

一、电感的分类按电感方式分类：固定电感、可变电感。

按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。

按任务性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。

按绕线构造分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。二、电感元件的实物图与电路图形符号三、电感元件的根本知识

四、电感元件的主要参数五、分布电感

在电路中，由于导线布线和元器件的分布而存在的电感叫分布电感。例如，电解电容是两层薄膜卷起来的，这种卷起来的构造在高频时都具有一定的电感，它对电路的影响等效于给电路串联上一个电感器，这个电感值就是分布电感。根据电感器的频率特性，可以知道由于分布电感的数值普通不大，在低频可以不思索分布电感的影响，但对于高频交流电路，分布电感的影响就不能忽略了。2.传输电缆的分布参数可以把一条传输电缆看成是由分布电容、分布电感和电阻结合组成的等效电路，如图1所示图1传输电缆等效电路图1.线绕精细电阻和电位器的分布参数〔分布电容和分布电感〕由于线绕精细电阻和电位器存在分布参数，所以线绕精细电阻和电位器的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，即正向绕制的匝数和反向绕制的匝数一样，以尽量减小分布电感。3.印制板引线的分布参数对高频电路印制板上的引线来说，它的分布电感不容忽视。去除这些分布电感影响，可以加宽电源线和地线以减少电源线和地线的阻抗。4.接插件的分布参数线路板上的接插件，有520nH的分布电感。双列直插的(24)引脚集成电路插座，有4~18nH的分布电感。5.电容器的分布参数实践中的电容器与“理想〞电容器不同，“实践〞电容器由于其封装、资料等方面的影响，使其只具备电感、电阻的一个附加特性。单片陶瓷电容器具有很低的等效串联电感，即具备很宽的退耦频段，所以比较适宜用作高频电路的退耦电容。综上所述，这些小的分布参数对于在较低频率的电路中是可以忽略不计的；而在高频电路中那么必需予以留意。第二节电容器

电容器是组成电路的根本电子原件之一，在各种电子产品和电力设备中被广泛运用。电容器和电容任何两个相互接近而又彼此绝缘的导体都可构成电容器。组成电容器的两个导体叫做极板，极板中间的物质叫做电介质。常见电容器的电介质有空气、纸、油、云母、塑料及陶瓷等。电容器在电路中起着储存电荷的作用，电容器就是“储存电荷的容器〞。对任何一个电容器而言，两极板的电压都随所带电荷量的添加而添加，并且电荷量与电压成正比，其比值q/U是一个恒量；但是对于不同的电容器，这一比值不一样。可见q/U表现了电容器的固有特性。因此，把电容器所带电荷量与其端电压的比值叫做电容器的电容量，简称电容，用字母C表示。一、电容器的分类按照构造分三大类：固定电容器、可变电容器和微调电容器。

按电解质分类有：有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。

按用途分有：高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。

高频旁路：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。

低频旁路：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。

滤波：铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。

调谐：陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。

高频耦合：陶瓷电容器、云母电容器、聚苯乙烯电容器。

低频耦合：纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。

小型电容：金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。电容器电容量的根本单位是法，用字母F表示。由于实践中的电容器的容量往往比1F小得多，所以电路中常用的单位有微法(μF)、纳法〔nF〕和皮法(pF)等，其关系是:1法=106微法1微法=103纳法=106皮法2.电路图形符号和电容器的作用(1)电容器的图形符号如图1所示(2)电容器的作用在电子电路中，电容器通常具有滤波、旁路和耦合等功能。在如图2所示电路中，C1、C6、C8为耦合电容，C2、C3为滤波电容，C4、C5、C7位谐振电容。图2调频无线筒3.常用电容器的实物图、构造特点及典型运用三、电力电容器

电力电容器是用于电力网络的电容器。电力电容器是一种静止的无功补偿设备。其主要作用是向电力系统提供无功功率，提高功率因数。采用就地无功补偿的方式，可以减少输电线路保送电流，起到减少线路能量损耗和压降，改善电能质量和提高设备利用率的重要作用。电力电容器分为并联电容器〔其中低压产品——低压自愈式并联电容器另列〕、耦合电容器、电容式电压互感器〔CVT〕及交流滤波电容器等。常用电力电容器的实物图、特点及运用如表1所示表1常用电力电容器的实物图、特点及运用四、电容器的主要参数

电容器的主要参数有标称容量与允许偏向、额定任务电压、绝缘电阻、温度系数、电容器损耗和频率特性等。1.电容器的标称容量与允许偏向标志在电容器上的电容量称作标称容量。电容器的实践容量与标称容量存在一定的偏向，电容器的标称容量与实践容量的允许最大偏向范围，称作电容器的允许偏向。电容器的标称容量与实践容量的误差反映了电容器的精度。精度等级与允许偏向的对应关系如表1所示。普通电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级，电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级。表1电容器的精度等级2.电容器的额定任务电压额定任务电压是指电容器在规定的温度范围内，可以延续可靠任务的最高点压，有时又分为额定直流任务电压和额定交流任务电压。额定任务电压的大小与电容器所用介质和环境温度有关。环境温度不同，电容器能接受的最高任务电压也不同。选用电容器时，要根据其任务电压的大小，选择额定任务电压大于实践任务电压的电容器，以保证电容器不被击穿。常用的固定电容任务电压有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、400V、500V、630V、1000V、2500V。耐压值普通直接标称在电容器上，但有些电解电容的耐压采用色标法的，位置接近正极引出线的根部.。表2电容器耐压色环标志3.电容器的温度系数温度的变化会引起电容器容量的微小变化，通常用温度系数来表示电容器的这种特性。温度系数是指在一定温度范围内，温度每变化1ºC时电容器容量的相对变化值。4.电容器的漏电流电容器的介质并不是绝对绝缘的，总会有些漏电，产生漏电流。普通电解电容器的漏电流比较大，其他电容器的漏电流很小。当漏电流较大时，电容器会发热；发热严重时，电容器会因过热而损坏。5.电容器的绝缘电阻电容器的绝缘电阻的值等于加在电容器两端的电压与经过电容器的漏电流的比值。电容器的绝缘电阻与电容器的介质资料和面积、引线的资料和长短、制造工艺、温度和湿度等要素有关。对于同一种介质的电容器，电容量越大，绝缘电阻越小。电容器绝缘电阻的大小和变化会影响电子设备的任务性能，对于普通的电子设备，选用绝缘电阻越大越好。6.电容器的频率特性频率特性是指电容器对各种不同的频率所表现出的性能〔即电容量等电参数随着电路任务频率的变化而变化的特性〕。不同介质资料的电容器，其最高任务频率也不同，例如，容量较大的电容器〔如电解电容器〕只能在低频电路中正常任务，而高频电路中只能运用容量较小的高频瓷介电容器或云母电容器等。7.电容器的介质损耗电容器在电场作用下耗费的能量，通常用损耗功率和电容器的无功功率之比，即损耗角的正切值表示。损耗角越大，电容器的损耗越大，损耗较大的电容器不适于在高频情况下任务。五、分布电容

除电容器外，由于电路的分布特点而具有的电容叫分布电容。分布电容往往都是无形的，例如线圈的相邻两匝之间，两个分立的元件之间，两根相邻的导线间，一个元件内部的各部分之间，都具有一定的电容。它对电路的影响等效于给电路并联上一个电容器，这个电容值就是分布电容。在低频交流电路中，分布电容的容抗很大，对电路的影响不大，因此在低频交流电路中，普通可以不思索分布电容的影响，但对于高频交流电路，分布电容的影响就不能忽略。1.电感线圈的分布电容线圈的匝和匝之间、线圈与地之间、线圈与屏蔽盒之间以及线圈的层和层之间都存在分布电容。分布电容的存在会使线圈的等效总损耗电阻增大，质量因数Q降低。高频线圈常采用蜂房绕法，即让所绕制的线圈，其平面不与旋转面平行，而是相交成一定的角度，这种线圈称为蜂房式线圈。线圈旋转一周，导线来回弯折的次数，称为折点数。蜂房绕法的优点是体积小，分布电容小，而且电感量。蜂房式线圈都是利用蜂房绕线机来绕制的，折点数越多，分布电容越小。2.变压器的分布电容变压器在初级和次级之间存在分布电容，该分布电容会经变压器进展耦合，因此该分布电容的大小直接影响变压器的高频隔离性能。也就是说，该分布电容为信号进入电网提供了通道。所以在选择变压器时，必需思索其分布电容的大小。3.输出变压器层间分布电容输出变压器层间分布电容对音频信号的高频有极大的衰减作用，直接导致音频信号在整个频带内不均匀传输，是音频信号失真增大的主要因数。为了减弱极少的分布电容就要采用初级每层分段的特殊绕法，以降低分布电容对音频信号的衰减。第三节电阻器

电阻器是组成电路的根本元件之一，在各种电子产品和电力设备中被广泛运用。1.电阻和电阻器导体对电流的妨碍作用叫电阻。电阻值用字母R表示，单位为欧[姆]，符号为Ω。常用的电阻单位还有千欧〔kΩ〕、兆欧〔MΩ〕，它们之间的关系是：1MΩ=103kΩ=106Ω二、电阻器的分类1、线绕电阻器：通用线绕电阻器、精细线绕电阻器、大功率线绕电阻器、高频线绕电阻器。2、薄膜电阻器：碳膜电阻器、合成碳膜电阻器、金属膜电阻器、金属氧化膜电阻器、化学堆积膜电阻器、玻璃釉膜电阻器、金属氮化膜电阻器。3、实心电阻器：无机合成实心碳质电阻器、有机合成实心碳质电阻器。4、敏感电阻器：压敏电阻器、热敏电阻器、光敏电阻器、力敏电阻器、气敏电阻器、湿敏电阻器。三、常用电阻器实物图、构造特点及运用电阻器主要用来稳定和调理电路中电流和电压的大小，在电路中主要起限流、降压、分流、隔离和分压等作用。常用电阻器的实物图、构造特点及运用如表1所示。四、电阻器的主要特性参数1.标称阻值常用的标称阻值有E6、E12、E24系列，如表1所示。实践阻值与标称阻值的相对误差称为允许偏向。常用的精度有±5%、±10%、±20%，精细电阻精度要求更高，如±2%、±1%和±0.5%~±0.001%。2.允许误差标称阻值与实践阻值的差值跟标称阻值之比的百分数称作阻值偏向，它表示电阻器精度。允许误差与精度等级对应关系如表2所示。3.额定功率电阻器在交、直流电路中长期、延续任务所允许耗费的最大功率，称为电阻器的额定功率，共分为19个等级，如表3所示。常用的额定功率有1/20W、1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、5W、10W和20W等。表3电阻器额定功率系列其中1/8W和1/4W的电阻器较为常用，但是在大电流场所，大功率的电阻器也用得很普遍。图1所示为各额定功率值得电阻器在电路图上的符号。4.额定电压额定电压是由阻值和额定功率换算出的电压。5.最高任务电压最高任务电压是允许的最大延续任务的电压。在低气压任务时，最高任务电压较低。6.温度系数温度系数是温度每变化1°C所引起的电阻值的相对变化。温度系数越小，电阻的稳定性越好。阻值随温度升高而增大的为正温度系数，反之为负温度系数。需求特别指出的是，电阻噪声与其误差等级亲密相关，精度越低的电阻在电路中的噪声越大，因此在运用中应根据不同的电路进展选择。五、电阻器的运用

电阻器在电子产品中的运用在电子产品中电阻器主要用作分压、分流、限流和降压，在如图1所示的分压电路中有在如图2所示的分流电路中，电阻R1、R2、R3为分流电阻。图1分压电路图2分流电路敏感电阻器主要是指电特性〔例如电阻率〕对于温度、光通、电压、机械力、磁通、湿度和气敏电阻器。利用这类元件可以构成能检测相应物理量的探测器，如红外探测器、辐射热探测器等；还可制成无触点开关和非接触式电位器，如光电电位器和磁敏电位器等。由于他们几乎都是用半导体资料做成的，因此这类电阻器也称为“半导体电阻器〞。随着电器设备的开展敏感电阻器的运用越来越广泛。如可见光光敏电阻器主要用于各种光电控制系统、光电自动开关门户、声光控照明系统和报警器等方面，如表1中的光电控制电路所示；正温度系数热敏电阻〔PTC〕普通用于电冰箱紧缩机启动电路、彩色显像管消磁电路〔如表1中的电视机消磁电路所示〕、电动机过电过热维护电路、限流电路和恒温加热电路等方面；负温度系数热敏电阻器〔NTC〕普通用于各种电子产品温度补偿、温度控制和稳压电路等方面。2.电阻器在电力设备中的运用电路电路是高电压、大功率、大电流的电路，对电阻器的要求较高。在选择时既要思索电阻器的电器参数也要留意电阻器的外形，以顺应不同电力设备的需求。(1)陶瓷管型启动式线绕电阻器陶瓷管型启动式线绕电阻器将固定圈数成形于陶瓷管上，选择适当电阻合金线材，顺着陶瓷管上旋状牙沟缠绕，其外形如图3所示。该启动电阻器功率大且巩固，耐高温、散热性优，电阻温度系数小、呈直线变化，适宜大电流做短时间过负载时运用，适用于电动机启动、负载测试、产业机械、电力分配、仪器设备及自动控制安装等。(2)电力铝壳电阻器电力铝壳电阻器是弹簧合金电阻体与成形铝壳的组合，将其经高温阳极处置后，再以特殊不燃性耐热水泥充填固定，所以不怕外来的机械力量与尘埃环境。这种电阻器不但功率大而且巩固，耐振，散热良好，电阻温度系数小，呈直线变化，适用于产业机械、负载测试、电力分配、仪器设备及自动控制安装等。图1陶瓷管型启动式线绕电阻器图2电力铝壳电阻器第四节电位器

1.电位器的作用电位器实践上就是可变电阻器，由于它在电路中的作用是获得与输入电压〔外加电压〕成一定关系得输出电压，因此称之为电位器。2.电路图形符号电位器阻值的单位与电阻器一样，根本单位也是欧姆，用符号Ω表示。电位器在电路中用字母R或RP〔旧规范用W〕表示，图1是其电路图形符号。图1电位器电路图形符号3.常用电位器实物图、构造特点及运用4.电位器的主要参数电位器的主要参数有标称阻值、额定功率、分辨率、滑动噪声、阻值变化特性、耐磨性、零位电阻及温度系数等。(1)电位器的标称阻值和额定功率①电位器上标注的阻值叫标称阻值。②电位器的额定功率是指在直流或交流电路中，当大气压为87~107kPa，在规定的额定温度下长期延续负荷所允许耗费的最大功率。线绕和非线绕电位器的额定功率系列入表2所示。(2)电位器的阻值变化特性阻值变化特性是指电位器的阻值随活动触点挪动的长度或转轴转动的角度变化的关系，即阻值输出函数特性。常用的阻值变化特性有3种，如图2所示。图2电位器阻值变化曲线直线式〔X型〕：随着动角点位置的变化，其阻值的变化接近直线。指数式〔Z型〕：电位器阻值的变化与动角点位置的变化成指数关系。①直线式电位器的阻值变化与旋转角度成直线关系。当电阻体上的导电物质分布均匀时，单位长度的阻值大致相等。它适用于要求调理均匀的场所〔如分压器〕。

②指数式电位器因电阻体上的导电物质分布不均匀，电位器开场转动时，阻值变化较慢，转动角度增大时，阻值变化较陡。指数式电位器单位面积允许接受的功率不等，阻值变化小的一端允许接受的功率较大。它普遍运用于音量调理电路里，由于人耳对声音响度的听觉最灵敏，当音量大到一定程度后，人耳的听觉逐渐变愚钝。所以音量调理普通采用指数式电位器，使声音的变化显得平稳、温馨。③对数式电位器因电阻体上导电物质的分布也不均匀，在电位器开场转动时，其阻值变化很快，当转动角度增大时，转动到接近阻值大的一端时，阻值变化比较缓慢。对数式电位器适用于与指数式电位器要求相反的电子电路中，如电视机的对比度控制电路、音调控制电路。(3)电位器的分辨率电位器的分辨率也称为分辨力，对线绕电位器来讲，当动接点每挪动一圈时，输出电压不延续的发生变化，这个变化量与输出电压的比值为分辨率。直线式线绕电位器的实际分辨率为绕线总匝数N的倒数，并以百分数表示。电位器的总匝数越多，分辨率越高。(4)电位器的最大任务电压电位器的最大任务电压是指电位器在规定的条件下，长期可靠地任务而不损坏，所允许接受的最高点任务电压，也称为额定任务电压。电位器的实践任务电压要小于额定任务电压。假照实践任务电压高于额定任务电压，那么电位器所接受的功率要超越额定功率，那么导致电位器过热损坏。(5)电位器的动噪声当电位器在外加电压作用下，其动接触点在电阻体上滑动时，产生的电噪声称为电位器的动噪声。动噪声是滑动噪声的主要参数之一，动噪声值的大小与转轴速度、接触点和电阻体之间的接触电阻、电阻体的电阻率不均匀变化、动接触点的数目以及外加电压的大小有关。5.电位器构造和种类电位器由外壳、滑动轴、电阻体和三个引出端组成，如图3所示。电位器的种类很多，按调理方式可分为旋转式〔或转柄式〕和直滑式电位器；按联数可分为单联式和多联式电位器；按有无开关分为无开关和有开关两种；按阻值输出函数特性可分为直线式电位器、指数式电位器和对数式电位器三种。照实芯电位器、片式电位器、碳膜电位器、玻璃釉电位器、精细导电塑料电位器和其他电位器。6.电位器的运用(1)调光台灯电路图4所示是一个简单适用的调光台灯电路。调理RP的阻值，可改动电容C充电到达UG值得时间，即调整晶闸管的导通角，使晶闸管早一点或迟一点触发导通，从而调理晶闸管的输出电压，使灯两端电压能在0~220V间变化。电压高，灯发光亮；电压低，灯发光暗。图3普通电位器构造图图4调光台灯电路(2)直流稳压电源电路直流稳压电源电路如图5所示。普通R4可选小功率碳膜电位器、RP选大功率的线绕滑动式电位器。调理R4的阻值可改动输出电压U的高低，调理RP可测试电源的带负载才干。图5直流稳压电源电路第五节电子元器件的缺点特点电器设备内部的电子元器件虽然数量很多，但其缺点却是有规律可循的。1.电阻损坏的特点

电阻是电器设备中数量最多的元件，但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见，阻值变大较少见，阻值变小非常少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻运用最广，其损坏的特点一是低阻值〔100Ω以下〕和高阻值〔100kΩ以上〕的损坏率较高，中间阻值〔如几百欧到几十千欧〕的极少损坏；二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑，很容易发现，而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻普通用作大电流限流，阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或外表爆皮、裂纹，有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种，烧坏时能够会断裂，否那么也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的外表会炸掉一块皮，有的也没有什么痕迹，但绝不会烧焦发黑。根据以上特点，在检查电阻时可有所偏重，快速找出损坏的电阻。2.电解电容损坏的特点电解电容在电器设备中的用量很大，缺点率很高。电解电容损坏有以下几种表现：一是完全失去容量或容量变小；二是细微或严重漏电；三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有：〔1〕看：有的电容损坏时会漏液，电容下面的电路板外表甚至电容外表都会有一层油渍，这种电容绝对不能再用；有的电容损坏后会鼓起，这种电容也不能继续运用；〔2〕摸：开机后有些漏电严重的电解电容会发热，用手指触摸时甚至会烫手，这种电容必需改换；〔3〕电解电容内部有电解液，长时间烘烤会使电解液变干，导致电容量减小，所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容，离其越近，损坏的能够性就越大。3.二、三极管等半导体器件损坏的特点二、三极管的损坏普通是PN结击穿或开路，其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现：一是热稳定性变差，表现为开机时正常，任务一段时间后，发生软击穿；另一种是PN结的特性变差，用万用表R×1k测，各PN结均正常，但上机后不能正常任务，假设用R×10或R×1低量程档测，就会发现其PN结正向阻值比正常值大。丈量二、三极管可以用指针万用表在路丈量，较准确的方法是：将万用表置R×10或R×1档〔普通用R×10档，不明显时再用R×1档〕在路测二、三极管的PN结正、反向电阻，假设正向电阻不太大〔相对正常值〕，反向电阻足够大〔相对正向值〕，阐明该PN结正常，反之就值得疑心，需焊下后再测。这是由于普通电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上，用万用表低阻值档在路丈量，可以根本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。4.集成电路损坏的特点集成电路内部构造复杂，功能很多，任何一部分损坏都无法正常任务。集成电路的损坏也有两种：彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时，可将其拆下，与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻，总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的，可以在设备任务时，用无水酒精冷却被疑心的集成电路，假设缺点发生时间推迟或不再发生缺点，即可断定。通常只能改换新集成电路来排除。第六节衔接器1.衔接器的作用衔接器又称接插件，主要是在电子产品、电力设备中提供方便的电气插拔式衔接，广泛地运用于电子设备当中，使得电子产品的消费、维修效率得以极大提高。由于大量采用插拔式衔接，其衔接的可靠性、接触点电阻的大小对于产品的质量来说就越来越重要，因此必需对所采用的衔接器的性能进展全面的了解，以便合理正确地运用衔接器。2.常见的衔接器实物图及特点运用如表1所示2衔接器的构造和产品分类(1)衔接器的根本构造①接触件。它是衔接器完成电衔接功能的中心零件，普通由阳极接触件和阴极接触件组成接触对，经过阴、阳接触件的插合完成电衔接。阳极接触件为刚性零件，其外形为圆柱形〔圆插针〕、方柱形〔方插针〕或扁平形〔插片〕。阳极接触件普通由黄铜、磷青铜制成。阴极接触件即插孔，它是接触对的关键零件，依托弹性构造在于插针插合时发生弹性变形而产生弹性力与阳性接触件构成严密接触，完成衔接。插孔的构造种类很多，有圆筒型〔劈槽、缩口〕、音叉型、悬臂梁型〔纵向开槽〕、折叠型〔纵向开槽，“9〞形〕、盒形〔方插孔〕以及双面面线簧插孔等。②绝缘体。绝缘体也常称为基座或安装板，它的作用是使接触件按所需求的位置和间距陈列，并保证接触件之间和接触件与外壳之间的绝缘性能。良好的绝缘电阻、耐电压性能以及易加工性是选择绝缘资料加工成绝缘体的根本要求。③壳体。壳体也称外壳〔视种类而定〕，是衔接器的外罩，它为内装的绝缘安装板和插针提供机械维护，并提供插头和插座插合时的对准，进而将衔接器固定到设备上。④附件。附件分构造附件和安装附件。构造附件如卡圈、定位键、定位销、导向销、衔接环、电缆夹、密封圈及密封垫等。安装附件如螺钉、螺母、螺杆及弹簧圈等。附件大都有规范件和通用件。(2)衔接器产品分类从技术上看，衔接器产品类别只需两种根本的划分方法：按外形构造可分为圆形和矩形〔横截面〕；按任务频率分低频和高频〔以3MHz为界〕。按照上述划分，同轴衔接器属于圆形，印制电路衔接器属于矩形〔从历史上看，印制电路衔接器确实是从矩形衔接器中分别出来自成一类的〕，而目前流行的矩形衔接器其截面为梯形，近似于矩形。以3MHz为界划分低频和高频，与无线电波的频率划分也根本一样。衔接器的运用1.

圆形衔接器及射频衔接器由于圆形衔接器广泛运用于航天设备的衔接中，所以又叫航空插头，具有经过的电流大，接触牢靠，密封性能、衔接性能、屏蔽效果优越等特性，在民用产品方面运用也比较广泛，图1所示为常见的影碟机中的莲花插头、高频信号衔接插头等。图1影碟机所运用的莲花插头和莲花插座2.矩形衔接器相对于圆形衔接器来说矩形衔接器空间利用率比较高，在电子设备中有着广泛的运用，图2所示为在计算机的主板与板卡之间的衔接。图2矩形衔接器在计算机设备之间的衔接运用3.印制板衔接器印制板衔接器在计算机线路板中的运用如图3所示。图3印制板衔接器在计算机线路板中的运用衔接器的根本性能

衔接器的根本性能可分为三大类：即机械性能、电气性能和环境性能。1.机械性能就衔接功能而言，插拔力是重要的机械性能。插拔力分为插入力和拔出力〔拔出力亦称分别力〕，两者的要求是不同的。另一个重要的机械性能是衔接器的机械寿命。机械寿命实践上是一种耐久性目的，在国标GB5095中把它叫做机械操作。它是以一次插入和一次拔出为一个循环，以在规定的插拔循环后衔接器能否正常完成其衔接功能〔如接触电阻值〕作为评判根据。衔接器的插拔力和机械寿命与接触件构造〔正压力大小〕、接触部位镀层质量〔滑动摩擦因数〕以及接触件陈列尺寸精度〔对准度〕有关。2.电气性能衔接器的主要电气性能包括接触电阻、绝缘电阻和抗电强度。①接触电阻。高质量的电衔接器该当具有低而稳定的接触电阻。衔接器的接触电阻从几毫欧到数十毫欧不等。②绝缘电阻。衡量电衔接器接插件之间和接触件与外壳之间绝缘性能的目的，其数量级为数百兆欧至数千兆欧不等。③抗电强度。抗电强度也称耐电压、介质耐压，是表征衔接器接触件之间或接触件与外壳之间耐受额定实验电压的才干。④其他电气性能。电磁干扰泄露衰减是评价衔接器的电磁干扰屏蔽效果，电磁干扰泄露衰减是评价衔接器的电磁干扰屏蔽效果，普通在100MHz~10GHz频率范围内测试。对射频同轴衔接器而言，还有特性阻抗、插入损耗、反射系数和电压驻波比等电气目的。由于数字技术的开展，为了衔接和传输高速数字脉冲信号，出现了一类新型的衔接器即高速信号衔接器，相应地，在电气性能方面，除特性阻抗外，还出现了一些新的电气目的，如串扰、传输延迟和时滞等。3.环境性能常见的环境性能包括耐温、耐湿、耐盐雾、耐振动和耐冲击等。①耐温。目前衔接器的最高任务温度为200ºC〔少数高温特种衔接器除外〕，最低温度为-65ºC。由于衔接器任务时，电流在接触点处产生热量，导致温升，因此普通以为任务温度应等于环境温度与接点温度之和。在某些规范中，明确规定了衔接器在额定任务电流下允许的最高温升。②耐湿。潮气的侵入会影响衔接器绝缘性能，并锈蚀金属零件。恒定湿热实验条件为相对湿度在90%~95%〔根据产品规范，可达98%〕、温度为+40±20ºC，实验时间按产品规定最少为96h。交变湿热实验那么更严苛。③耐盐雾。衔接器在含有潮气和盐分的环境中任务时，其金属构造件、接触件外表处置层有能够产生电化腐蚀，影响衔接器的物理和电气性能。为了评价电衔接器耐受这种环境的才干，规定了盐雾实验。它是将衔接器悬挂在温度受控的实验箱内，用规定浓度的氯化钠溶液用紧缩空气喷出，构成盐雾大气，其暴露时间由产品规范规定，至少为48h。④耐振动和冲击。耐振动和冲击是电衔接器的重要性能，在特殊的运用环境中如航空和航天、铁路和公路运输中尤为重要，它是检验电衔接器机械构造的巩固性和电接触可靠性的重要目的。在有关的实验方法中都有明确的规定。冲击实验中应规定峰值加速度、继续时间和冲击脉冲波形以及电气延续性中断的时间。⑤其他环境性能。根据运用要求，电衔接器的其他环境性能还有密封性〔空气走漏、液体压力〕、液体浸渍〔对特定液体的耐恶习化才干〕和低气压等。第七节半导体器件命名方法一、中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分〔场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只需第三、四、五部分〕组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的资料和极性。表示二极管时：A-N型锗资料、B-P型锗资料、C-N型硅资料、D-P型硅资料。表示三极管时：A-PNP型锗资料、B-NPN型锗资料、C-PNP型硅资料、D-NPN型硅资料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管〔f>3MHz,Pc<1W〕、D-低频大功率管〔f<3MHz,Pc>1W〕、A-高频大功率管〔f>3MHz,Pc>1W〕、T-半导体晶闸管〔可控整流器〕、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号

例如：3DG18表示NPN型硅资料高频三极管二、日本半导体分立器件型号命名方法日本消费的半导体分立器件，由五至七部分组成。通常只用到前五个部分，其各部分的符号意义如下：第一部分：用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电〔即光敏〕二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。第二部分：日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。第三部分：用字母表示器件运用资料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N沟道场效应管、M-双向可控硅。第四部分：用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从“11〞开场，表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号；不同公司的性能一样的器件可以运用同一顺序号；数字越大，越是近期产品。第五部分：用字母表示同一型号的改良型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改良产品。三、美国半导体分立器件型号命名方法美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下：第一部分：用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、〔无〕-非军用品。第二部分：用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。第三部分：美国电子工业协会〔EIA〕注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会〔EIA〕注册登记。第四部分：美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。第五部分：用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如：JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管，JAN-军级、2-三极管、N-EIA注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。四、国际电子结合会半导体器件型号命名方法德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子结合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个根本部分组成，各部分的符号及意义如下：第一部分：用字母表示器件运用的资料。A-器件运用资料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV如锗、B-器件运用资料的Eg=1.0~1.3eV如硅、C-器件运用资料的Eg>1.3eV如砷化镓、D-器件运用资料的Eg<0.6eV如锑化铟、E-器件运用复合资料及光电池运用的资料第二部分：用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封锁磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。第三部分：用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示公用半导体器件的登记序号。第四部分：用字母对同一类型号器件进展分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进展分档的标志。除四个根本部分外，有时还加后缀，以区别特性或进一步分类。常见后缀如下：

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的允许误差范围，字母A、B、C、D、E分别表示允许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%；其后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值；后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。2、整流二极管后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。3、晶闸管型号的后缀也是数字，通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。如：BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管，AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。五、欧洲早期半导体分立器件型号命名法欧洲有些国家，如德国、荷兰采用如下命名方法。第一部分：O-表示半导体器件第二部分：A-二极管、C-三极管、AP-光电二极管、CP-光电三极管、AZ-稳压管、RP-光电器件。第三部分：多位数字-表示器件的登记序号。第四部分：A、B、C┄┄-表示同一型号器件的变型产品。

俄罗斯半导体器件型号命名法由于运用少，在此不引见。第八节半导体二极管参数符号及其意义CT---势垒电容

Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的运用条件下，在正弦半波中允许延续经过的最大任务电流〔平均值〕，硅开关二极管在额定功率下允许经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF〔AV〕---正向平均电流

IFM〔IM〕---正向峰值电流〔正向最大电流〕。在额定功率下，允许经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流

IFRM---正向反复峰值电流

IFSM---正向不反复峰值电流〔浪涌电流〕

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所经过的任务电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR〔AV〕---反向平均电流IR〔In〕---反向直流电流〔反向漏电流〕。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所经过的电流；硅开关二极管两端加反向任务电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向任务电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向反复平均电流

IDR---晶闸管断态平均反复电流

IRRM---反向反复峰值电流

IRSM---反向不反复峰值电流〔反向浪涌电流〕

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流〔反向测试电流〕。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向〔整流〕电流。在规定条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许延续经过锗检波二极管的最大任务电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许经过的电流iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---任务电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值〔质量要素〕

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---接受脉冲烧毁功率

PFT〔AV〕---正导游通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正导游通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi---输入功率

PK---最大开关功率

PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能接受的最大功率

PMP---最大漏过脉冲功率

PMS---最大接受脉冲功率

Po---输出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---总耗散功率

Pomax---最大输出功率

Psc---延续输出功率

PSM---不反复浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在给定运用条件下，稳压二极管允许接受的最大功率

RF〔r〕---正向微分电阻。在正导游通时，电流随电压指数的添加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压添加微小量△V，正向电流相应添加△I，那么△V/△I称微分电阻

RBB---双基极晶体管的基极间电阻

RE---射频电阻

RL---负载电阻

Rs(rs)----串联电阻

Rth----热阻

R(th)ja----结到环境的热阻

Rz(ru)---动态电阻

R(th)jc---结到壳的热阻

rδ---衰减电阻

r(th)---瞬态电阻

Ta---环境温度

Tc---壳温

td---延迟时间

tf---下降时间

tfr---正向恢复时间

tg---电路换向关断时间

tgt---门极控制极开通时间

Tj---结温

Tjm---最高结温

ton---开通时间

toff---关断时间

tr---上升时间

trr---反向恢复时间

ts---存储时间

tstg---温度补偿二极管的贮成温度

a---温度系数

λp---发光峰值波长

△λ---光谱半宽度

η---单结晶体管分压比或效率

VB---反向峰值击穿电压

Vc---整流输入电压

VB2B1---基极间电压

VBE10---发射极与第一基极反向电压

VEB---饱和压降

VFM---最大正向压降〔正向峰值电压〕

VF---正向压降〔正向直流电压〕

△VF---正向压降差

VDRM---断态反复峰值电压

VGT---门极触发电压

VGD---门极不触发电压

VGFM---门极正向峰值电压

VGRM---门极反向峰值电压

VF〔AV〕---正向平均电压

Vo---交流输入电压

VOM---最大输出平均电压

Vop---任务电压

Vn---中心电压

Vp---峰点电压

VR---反向任务电压〔反向直流电压〕

VRM---反向峰值电压〔最高测试电压〕

V〔BR〕---击穿电压

Vth---阀电压〔门限电压〕

VRRM---反向反复峰值电压〔反向浪涌电压〕

VRWM---反向任务峰值电压

Vv---谷点电压

Vz---稳定电压

△Vz---稳压范围电压增量

Vs---通向电压〔信号电压〕或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数

Vk---膝点电压〔稳流二极管〕

VL---极限电压第九节双极型晶体管参数符号及其意义

Cc---集电极电容

Ccb---集电极与基极间电容

Cce---发射极接地输出电容

Ci---输入电容

Cib---共基极输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cn---中和电容〔外电路参数〕

Co---输出电容Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coe---共发射极输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Cre---共发射极反响电容

Cic---集电结势垒电容

CL---负载电容〔外电路参数〕

Cp---并联电容〔外电路参数〕

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVebo---集电极开路EB结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVcer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

D---占空比

fT---特征频率

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的任务频率

hFE---共发射极静态电流放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hRE---共发射极静态电压反响系数

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hre---共发射极小信号开路电压反响系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值

IE---发射极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能延续地经过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ISB---二次击穿电流

IAGC---正向自动控制电流

Pc---集电极耗散功率

PCM---集电极最大允许耗散功率

Pi---输入功率

Po---输出功率

Posc---振荡功率

Pn---噪声功率

Ptot---总耗散功率

ESB---二次击穿能量

rbb'---基区扩展电阻〔基区本征电阻〕

rbb'Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积

rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻

roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻

RE---外接发射极电阻〔外电路参数〕

RB---外接基极电阻〔外电路参数〕

Rc---外接集电极电阻〔外电路参数〕

RBE---外接基极-发射极间电阻〔外电路参数〕

RL---负载电阻〔外电路参数〕

RG---信号源内阻

Rth---热阻

Ta---环境温度

Tc---管壳温度

Ts---结温

Tjm---最大允许结温

Tstg---储存温度

td----延迟时间

tr---上升时间

ts---存贮时间

tf---下降时间

ton---开通时间

toff---关断时间

VCB---集电极-基极〔直流〕电压

VCE---集电极-发射极〔直流〕电压

VBE---基极发射极〔直流〕电压

VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压

VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压

VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压

VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压

Vp---穿通电压。

VSB---二次击穿电压

VBB---基极〔直流〕电源电压〔外电路参数〕

Vcc---集电极〔直流〕电源电压〔外电路参数〕

VEE---发射极〔直流〕电源电压〔外电路参数〕

VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降

VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降〔前向压降〕

VAGC---正向自动增益控制电压

Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值

Vn---噪声电压

Cj---结〔极间〕电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv---偏压结电容

Co---零偏压电容

Cjo---零偏压结电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cs---管壳电容或封装电容

Ct---总电容

CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC---电容温度系数

Cvn---标称电容

IF---正向直流电流〔正向测试电流〕。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，经过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的运用条件下，在正弦半波中允许延续经过的最大任务电流〔平均值〕，硅开关二极管在额定功率下允许经过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF〔AV〕---正向平均电流

IFM〔IM〕---正向峰值电流〔正向最大电流〕。在额定功率下，允许经过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH---恒定电流、维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流

IFRM---正向反复峰值电流

IFSM---正向不反复峰值电流〔浪涌电流〕

Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所经过的任务电流

IF(ov)---正向过载电流

IL---光电流或稳流二极管极限电流

ID---暗电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IEM---发射极峰值电流

IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM---最大输出平均电流

IFMP---正向脉冲电流

IP---峰点电流

IV---谷点电流

IGT---晶闸管控制极触发电流

IGD---晶闸管控制极不触发电流

IGFM---控制极正向峰值电流

IR〔AV〕---反向平均电流

IR〔In〕---反向直流电流〔反向漏电流〕。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所经过的电流；硅开关二极管两端加反向任务电压VR时所经过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向任务电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流

IRR---晶闸管反向反复平均电流

IDR---晶闸管断态平均反复电流

IRRM---反向反复峰值电流

IRSM---反向不反复峰值电流〔反向浪涌电流〕

Irp---反向恢复电流

Iz---稳定电压电流〔反向测试电流〕。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk---稳压管膝点电流

IOM---最大正向〔整流〕电流。在规定条件下，能接受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许延续经过锗检波二极管的最大任务电流

IZSM---稳压二极管浪涌电流

IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许经过的电流iF---正向总瞬时电流

iR---反向总瞬时电流

ir---反向恢复电流

Iop---任务电流

Is---稳流二极管稳定电流

f---频率

n---电容变化指数；电容比

Q---优值〔质量要素〕

δvz---稳压管电压漂移

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

PB---接受脉冲烧毁功率

PFT〔AV〕---正导游通平均耗散功率

PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正导游通总瞬时耗散功率

Pd---耗散功率

PG---门极平均功率

PGM---门极峰值功率

PC---控