IGBT模块可靠性、失效率及MTBF概念_第1页
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文档简介

IGBT模块的基本构造(含基板):IGBT模块的基本构造决定了它的老化失效机理:

1.绑定线连接老化所造成的使用寿命终结

2.焊接层连接老化所造成的使用寿命终结

3.封装/端子的老化所造成的使用寿命终结4.其它因素(如气候变化、化学腐蚀)所造成的老化失效

绑定线连接老化失效的典型式样:焊接层(DCB-基板)的老化:陶瓷衬底和基板之间焊接层的老化衰变

几种材料的热膨胀系数

封装/端子的老化损坏:封装框架/端子的断裂(热冲击或振动)可靠性测试项目(标准工业级模块):可靠性测试的失效检验标准:可靠性测试之一:功率循环测试:PowerCycling(PC)Stressingthechip/bondwiresystemattwodifferentjunctiontemperatures.TestPointsofTemperatureSwing(forexample):Tj=50K:TJ1=75C,TJ2=125CFailureCriteria:AnIncreasedSaturationVoltageof5%可靠性测试之一:热循环测试:ThermalCycling(TC)Heatingup&Coolingdownthecase(baseplate)attwodifferentcasetemperatures.TestPointsofTemperatureSwing(forexample):Tj=80K:TC1=20C,TC2=100CFailureCriteria:AnIncreasedThermalResistanceof20%可靠性测试之一:振动测试:失效率(单位:FIT):功率器件的失效原因之一:宇宙射线宇宙射线:由宇宙星体产生、并在辐射过程中衍生出的高能粒子原生:可能为超新星、恒星体产生,和太阳活动有关次生:辐射过程中衍生出的核子(质子、中子)、介子和电磁辐射次生射线可直达地面并覆盖广大区域。中子破坏功率器件的空间电荷区电场(原子电离反应),造成器件失效。功率器件的宇宙射线失效率:影响因素器件阻断状态下承受的电压(VCE):电压上升,失效率上升(同一器件)DCStability(IHV):VCE@100FIT海拔高度:高度上升,失效率增加芯片温度(结温):结温增加,失效率下降英飞凌功率器件的失效率(估算+统计):MTBF(MeanTimeBetweenFailures)平均无故障时间:一个变流器MTBF寿命估算的例子:

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