二极管及应用-二极管的结构、符号及特性（电子技术课件）

二极管的结构、符号及特性一、半导体二极管小功率二极管大功率二极管稳压二极管发光二极管1.1.3二极管的结构、符号及特性1.二极管的常见外形

构成二极管核心是PN结，在PN结的P区引出的电极叫做阳极或正极、N区引出的电极叫做阴极或负极。

符号中的箭头表示正偏时的正向电流方向（P指向N）二极管结构示意图二极管的电气符号常用D（Diode）表示二极管。2.二极管的符号3.二极管分类（1）按材料分二极管按照材料，可以分为硅材料二极管和锗材料二极管。（2）按PN结面积分点接触型：结面积小，结电容小，故结允许的电流小，最高工作频率高。面接触型：结面积大，结电容大，故结允许的电流大，最高工作频率低。平面型：结面积可小、可大，小的工作频率高，大的结允许的电流大。（3）按用途分普通二极管整流二极管稳压二极管发光二极管光电二极管检波二极管二、二极管的伏安特性曲线

死区硅管：0.5V锗管：0.1V正向导通电压降硅管：0.6V-0.7V锗管：0.2V-0.3V死区电压正向导通区

1.正向特性二极管两端的电压与通过二极管电流之间的关系曲线。反向击穿电压UBR反向截止区2.反向特性反向特性反向击穿区当二极管承受的反向电压未达到击穿电压UBR

时，二极管呈现很大电阻，此时仅有很微小的反向电流IR，称为反向饱和电流IS。当二极管承受的反向电压已达到击穿电压V（BR）时，反向电流急剧增加，该现象称为二极管反向击穿。反向饱和电流ISu/Vi/mA正向特性

死区电压反向特性IS0μA击穿电压击穿特性反向电流3.理想二极管正向导通压降：UF=0反向电流：IR=0；反向电阻R=∞反向击穿电压UR=∞IS

死区电压反向电流三、二极管通断判断1.用万用表测试若测得其正向压降为0.6v~0.8v（或0.2v~0.3v）时，二极管导通。若正向压降小于死区电压为0.5v（或0.1v）时，二极管截止；若正向压降为0v时，二极管短路。2.解题分析（2）对于有并联（同向或反向）情况的二极管电路，方法相同，只是处于正向连接的二极管中，电位差大的优先导通。（1）将二极管从电路中脱开，分析出它两端的电位，若二极管原方向接入，加的是正向偏置电压，则导通，加的是反向偏置电压，则截止。判断二极管的工作状态，并计算当二极管为理想二极管时电路中A、O两点之间的电压，当二极管管压降为0.7V时，求：电路中A、O两点之间的电压。

3.例题分析

二极管导通理想状态时，A、O两点之间的电压为-12V当二极管管压降为0.7V时，A、O两点之间的电压为-12.7V判断二极管的工作状态，并计算当二极管为理想二极管时电路中A、O两点之间的电压，当二极管管压降为0.7V时，求：电路中A、O两点之间的电压。

4.练习

指二极管长期工作时允许通过的最大正向平均电流值。

指二极管不击穿时所允许加的最高反向电压，URM通常是反向击穿电压的一半，以确保二极管安全工作。四、二极管的主要参数1.最大整流电流IFM2.最高反向工作电压URM实际应用时，流过二极管的平均电流不能超过这个数值，否则，将导致二极管因过热而损坏。

它指管子未进入击穿区时的反向电流，一般很小，但受温度影响很大。指二极管保持单向导电性时外加电压的最高频率。3.反向饱和电流IS4.最高工作频率fM硅二极管的反向电