半导体器件试题

第一 半导体器1NP（2N（3、PN（当外加反向电压增加时，PN0，PN6、二极管是根据PN结的单向导电性制成的，因此二极管也含有单向导电性 7、二极管的电流-电压关系特性可大概理解为反向偏置导通，正向偏置截止 91012、普通来说，硅二极管的死区电压不大于锗二极管的死区电压 13、如果二极管的正、反向电阻都很大，则该二极管内部断路 14、二极管的正极电位为-20V，负极电位为，则二极管处在零偏 1516、二极管的正极电位是-20V，1718、稳压二极管工作在正常的反向击穿状态时，切断外加电压后，PN结仍处在反向击穿状 19、当工作电流超出最大稳定电流时，稳压二极管将不起稳压作用，但并不损坏 20、三极管相称于两个反向连接的二极管，因此基极断开后还能够作为二极管使用。 2122、三极管由两个PN构造成，因此能用两个二极管反向连接起来充当三极管使用 2324、NPN型和PNP型三极管的区别是掺入杂质元素不同 25ICEO26、发射结处在正向偏置的三极管，一定是工作在放大区 27、当三极管的两个PN结都处在反偏时，三极管处在截止状态 28、当三极管的发射结正偏，集电结反偏时，三极管处在饱和状态 29、三极管处在饱和状态时，它的集电极电流将随基极电流的增加而增加 30、NPN型三极管各电极对地的电位分别为：UC=9V，UB=，UE=0V，则该三极管的工作状态 1、在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加 几价元素可形成P型半导体A.五价B.四价C.2、PN结加正向电压时，空间电荷区 A.变窄B.基本不变C.3、温度升高时，二极管的反向饱和电流 A.增大B.不变C.4、点接触型二极管较合用于 5、面接触型二极管比较合用于 6、随着正向电流的增大，普通二极管的直流电阻和交流电阻（ 7R*10R*100R2，两者相比（A、 B、 8、当温度升高后，二极管的正向电压（A、增 B、减C、不变戏 D、无法拟9、如果二极管的正反电阻都很小功率二极管的性能好坏时，应把欧姆档拨到（A、正 B、已被击C、内部断 D、无法拟10、用万用表欧姆档测量小功率晶体二极管的特性好坏是应把欧姆档拨到 A、R×100或 B、C、 D、都能AO11、下题图1－1所示电路中，设DAO题图A、 B、C、 D、12、下题图1－2所示电路中，当E=10V时，UD=;若E=20V时，则UD应是 RRD题图A、 B、略C、仍 D、略13A、正向导通B、反向截止CBC A、PNP型锗 B、NPN型锗C、PNP型硅 D、NPN型硅 A、 B、 C、 D、 17、当晶体三极管的两个PN结都正偏时，则晶体三极管处在 A、截止状态 B、放大状C、饱和状态 D、击穿状18、当晶体管的发射结正偏，集电结反偏时，则晶体管处在 A、放大状 B、饱和状C、截止状 D、击穿状19、当环境温度升高时，晶体三极管的反向电流将 A、增 B、减C、不 D、无法拟 21、三极管处在饱和状态时，它的集电极电流将 C、与基极电流变化无关，只决定于EC和RC22、如题图1－3所示为三极管输出特性，该管在Uce=6v,Ic=3mA处的电流放大倍数β A、 B、D、C、D、23PN（ 24PN（ A、NPN B、PNP 1（

题图45V，1－5 1－为抱负二极管D DO

题图

51－7Uim>E，DRD EE1－1－71－9UD＝，5～15mA1－8DZ1DZ25V10V，1－10 1－UO1UO21－IZmax＝25mA。UI10V、15V、35VUOUI