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文档简介
硅外延生长本课程是关于硅外延生长的介绍，从定义、历史发展到应用领域，深入了解硅外延生长的原理和方法。硅外延生长概述什么是硅外延生长？硅外延生长是一种通过在硅基底上沉积高品质单晶硅薄膜的过程。硅外延生长的历史发展硅外延技术从二十世纪六十年代就开始发展，并随着半导体工业的高速发展一直得到迅速发展。硅外延生长的应用领域现代半导体类产品如计算机芯片、智能手机和光通信等都需要硅外延生长技术。硅外延生长的原理与方法硅外延生长的原理硅外延生长是核形成、晶核的成长与自发畴界移动等复杂过程的综合表象。硅外延生长的方法气相外延法液相外延法气相外延法1原理与流程气相外延法是指以光刻胶为模板，在硅片上生长SiGe薄膜的方法。2工艺参数气相外延生长的基本工艺参数有衬底温度、反应气体流量、反应时间和硅和外延材料供应速率。3应用用于光子集成芯片、高分辨率图像传感器和生物传感器等领域。液相外延法1原理与流程液相外延法是指用硅基底与融合锡（或石墨）作为液相反应体，在相应条件下长出外延晶体。2工艺参数液相外延法的工艺参数有溶液成分，溶液温度，外延晶体生长速率和升温速率等。3应用用于太阳能电池电极、太阳能电池背反射层、光子晶体、一维纳米线等领域。硅外延生长中的关键问题1晶体质量改善外延晶体质量是硅外延生长技术需要解决的重要问题，会直接影响到器件的稳定性和性能。2晶体缺陷硅外延生长晶体缺陷普遍存在，需要进一步的研究和控制来规避。3其他问题包括杂质控制、单晶硅晶格离子注入、晶格应力控制等等。硅外延生长的未来发展趋势硅外延生长技术将继续发展，主要趋势是提高生长效率和晶体质量。发展方向晶体质量控制、研究新的衬底材料以及外延材料和外延工艺的不断创新。未来展望
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