p-GaN欧姆接触电极及GaN蓝光激光器窄条工艺研究的开题报告_第1页
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p-GaN欧姆接触电极及GaN蓝光激光器窄条工艺研究的开题报告一、研究背景和意义随着电子信息技术的发展，蓝光激光器成为了新一代光学存储设备、3D打印等高端应用的核心光源，因此相关研究备受关注。在GaN基宽禁带半导体器件中，p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极的制备是实现高性能GaN器件的关键部分。同时，GaN蓝光激光器的制备也是一个热点研究领域。本文将通过对p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极以及GaN蓝光激光器窄条工艺进行研究，探究制备高性能GaN器件的方法和技术，为蓝光激光器等应用提供有力支持。二、研究内容和方案1.p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极制备2.GaN蓝光激光器窄条工艺研究方案：1.p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极制备利用化学气相沉积技术在n-GaN表面沉积一层金属，之后在p-GaN上进行光刻制备电极，再通过退火等工艺获得p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极。2.GaN蓝光激光器窄条工艺研究采用电子束光刻技术制备GaN窄条激光器，随后在窄条上进行干蚀等工艺以实现激光的放大功能。三、研究预期1.实现高性能GaN器件的制备2.提高GaN器件的性能指标，增加应用范围3.为蓝光激光器等应用提供技术支持四、研究方法1.金属薄膜沉积、光刻制备电极等微纳制备技术2.大气压等离子干蚀工艺3.材料结构表征分析等方法五、论文结构第一章：绪论1.1研究背景和意义1.2国内外研究现状和进展1.3研究内容和方案1.4研究预期1.5研究方法1.6论文结构第二章：GaN器件制备技术2.1p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极制备技术2.2GaN窄条激光器制备技术第三章：GaN器件性能测试3.1p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极性能测试3.2GaN蓝光激光器性能测试第四章：结果与讨论4.1p-GaN/n-GaN结构欧姆接触电极制备结果及性能分析4.2GaN蓝光

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